加利福尼亞州圣何塞市，2016年1月21日－賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票交易代碼：CY）宣布其領先業界的非易失性隨機存取存儲器（（NVRAM）產品組合新增晶圓產品。賽普拉斯的NVRAM產品組合包括鐵電RAM（F-RAM?）和非易失性靜態RAM（nvSRAM），可在斷電時為重要數據提供可靠保護。很多關鍵任務應用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨特優勢之外，還需要能夠實現小巧、獨特封裝選項的裸片。

　　賽普拉斯的F-RAM是業內能效最高的NVRAM技術，具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導致的數據損壞，因此可為醫療、航天和國防應用提供軟錯誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業內速度最快的NVRAM技術，存取時間低至20 ns。它具有非易失性數據保留功能，而且不需要額外的電池，同時提供無限的耐久性。

　　賽普拉斯非易失性產品事業部高級主管Sonal Chandrasekharan表示：“為NVRAM產品組合提供晶圓銷售進一步滿足了客戶的廣泛需求，客戶現在可以在滿足具體應用的封裝規格的同時，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優勢。”

　　關于賽普拉斯的F-RAM

　　賽普拉斯提供豐富的F-RAM產品線，容量涵蓋4Kb至4Mb，電壓范圍是2.0至5.5伏。賽普拉斯的F-RAM具有近乎無限的100萬億次讀寫壽命，因而理想適合于寫操作密集的應用。F-RAM是業界能效最高的非易失性RAM解決方案；F-RAM單元具有與生俱來的低功耗特點，無需充電泵即可工作。賽普拉斯的F-RAM對于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存儲器的應用來說，是非常理想的選擇。這些應用包括汽車、工業、計算、網絡、智能儀表以及多功能打印機。

　　關于賽普拉斯的nvSRAM

　　賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM（BBSRAM）產品，提供快速非易失性數據存儲能力。當發生斷電的時候，數據可自動從SRAM傳輸到非易失性單元中。加電之后，數據可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在網絡、工業、計算和RAID應用中，nvSRAM提供了高速數據傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數據的完整性。

　　關于賽普拉斯

　　賽普拉斯（納斯達克股票代碼：CY）為當今最先進的嵌入式系統提供核心的高性能、高品質解決方案，應用于從汽車、工業和網絡平臺到高交互性的消費和移動設備的廣泛領域。我們擁有豐富的差異化產品線，包括：NOR 閃存、F-RAM? 和 SRAM、Traveo?微控制器、業界唯一的PSoC?可編程片上系統解決方案、模擬和PMIC電源管理芯片、CapSense?電容式觸摸感應控制器，無線BLE低功耗藍牙以及USB連接解決方案。賽普拉斯致力于為全球客戶持續提供具有創新性的、業界最佳的支持和卓越的系統價值。