電源/新能源
PCIM Asia 2023 上海國際電力元件、可再生能源管...
? 砥礪前行二十載 電能驅動新未來 作為全球電力電子頂尖展會PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會是一場在亞洲領先的電力電子國際展覽會及研討會。PCIM Asia 作為一個涵蓋組件、驅動控制、散熱管理及終端智能系統的全方位展示平臺，向業界人士呈現一條完整的產業價值鏈。來自消費電子、工業電子、汽車電子、超大功率應用、智能家居、可再生能源管理等領域的買家齊聚一堂，參與這場年度電力電子盛會！ ? 展會理
艾睿光電獲光能杯·2022年中國儲能產業最佳儲能電站解決方案...
近日，由索比儲能網主辦的第十屆“光能杯--標桿的力量”中國光儲行業年度頒獎盛典在蘇州舉辦。 艾睿光電憑借領先的紅外熱成像技術，獲得“2022年中國儲能產業最佳儲能電站解決方案獎”，賦能光伏、儲能領域。? （艾睿光電獲獎照片） 作為非制冷紅外芯片領軍者，艾睿光電積極探索，為新能源行業提供可視化、全覆蓋、非接觸式溫度監控方案，充分滿足光儲領域生產運維等場景應用需求。 紅外熱成像技術是將熱信息瞬間可視化并加以驗證的診斷
超小型隔離單和雙輸出DC-DC高壓電源參數分析
AEQ系列設備能夠在0.5W的輸出功率下，將+5VDC的輸入電壓轉換為高達600VDC的電壓，比其它小形狀因數DC-DC電源具有若干優勢。
繼石墨烯電池后，新型液流電池釩電池問世
研人員對新型電池的研發已有了新的進展，據有關機構資料顯示，2020年9月，德國卡爾斯魯厄理工學院和超級電容器廠商Skeleton Technologies共同發布聲明，表示已聯合研發出了“超級石墨烯電池”。
泰凌微電子TLSR9218 SoC助力和眾科技智能插座獲得M...
? 上海，2023年2月14日 – 專注于高性能、低功耗系統級無線連接芯片的領導者泰凌微電子助力和眾科技的智能插座產品獲得Matter認證，再次為消費者提供了一款滿足最新互聯互通標準的尖端智能家居產品。 ? ? 泰凌CEO盛文軍博士表示，"泰凌在幫助開發者實現Matter產品開發和認證方面現處于業界領先地位。憑借過去幾年的持續研發投入所形成的技術積累，泰凌已經可以全面支持以和眾科技為代表的各界合作伙伴快速實現滿足新一代互聯互通標準的物聯網
聯芯通 VC735X 被 Wi-SUN聯盟認證為第一個 FA...
聯芯通 VC735X 被 Wi-SUN聯盟認證為第一個 FAN 1.1 認證測試用基準器(CTBU)...
2023-02-14 標簽：聯芯通 1944
PTVS20-015C-H專用于大功率直流母線鉗位應用
Bourns PTVS20-015C-H PTVS 二極管符合 IEC 61000-4-2 4 級 ESD 保護要求，同時具有峰值脈沖電流下的低鉗位電壓，有助于滿足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 電流浪涌的防雷要求。
功率半導體起飛，制程向12英寸拓展
作為中國功率半導體業界龍頭之一的華潤微電子宣布，重慶12英寸晶圓制造產線，以及先進功率封裝測試基地等兩大建設計劃，均已建成投產，標志著華潤微車用功率裝置產業基地已初步成形。
瑞薩電子全新汽車級智能功率器件（IPD）特性
隨著E/E架構不斷發展，全新IPD的推出滿足了日益增長的市場需求。在傳統的分布式E/E架構中，來自電池的電能通過機械繼電器和熔斷器組成的電箱，經由長而粗的線束分配給各個電子控制單元（ECU）。
2021 ~ 2027年IGBT全球市場規模CAGR將達7%
絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源與碳中和發展趨勢，2021~2027年市場規模將以復合年均成長率(CAGR) 7%成長至93.8億美元。
瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AG...
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
Vishay推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSF...
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術實現優異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
納微關于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權76件，除去世界知識產權局WO的8件PCT專利之外，其授權率高達約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態。
淺談SiC 和 GaN 的未來發展路線
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關，其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
2023-02-06 標簽：SiCGaNGaN晶體管SiC MOSFET 1425
瑞薩電子推出用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFE...
瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 標簽：逆變器IGBT瑞薩電子SiC MOSFET 919
多氟多的鈉離子電池已經在國內著名車企成功裝車
2022年以來，鋰電池原材料價格上漲、新能源汽車需求快速增長、以及鈉離子電池技術持續進步等多種因素導致其備受關注。
功率半導體行業特點趨勢及機遇挑戰
作為電子系統中的基本單元，功率半導體是電力電子設備正常運行不可或缺的部件，應用場景廣泛，且需求日益豐富。從行業技術和性能發展來看，功率半導體器件結構朝復雜化演進，功率半導體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發展；由于不同結構和不同襯底材料的功率半導體電學性能和成本各有差異，在不同應用場景各具優勢，功率半導體市場呈現多器件結構和多襯底材料共存的特點。
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