隨著半導體工藝的日益復雜化，如何延續摩爾定律一直是行業熱門話題，不少人直言這個定律即將甚至已經終結，而作為半導體行業領軍巨頭，Intel一直在不斷探索新的材料、技術和工藝，持續推進摩爾定律。

12月3日，權威的《自然》雜志發表了一篇有關下一代邏輯器件（Logic devices）的研究論文，作者包括Intel、加州大學伯克利分校、勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。

這篇論文描述了一種由Intel發明的磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件，相比目前最常用的互補金屬氧化物半導體（CMOS），MESO器件結合了超低休眠狀態功率，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍，并考慮到了未來計算所需的關于存儲器、互連線和邏輯的要求。

目前，Intel已經做出了該MESO器件的原型，采用的是在室溫下呈現新興量子行為的量子材料，以及由材料科學家Ramamoorthy Ramesh開發的磁電材料——他目前就任于加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室。

MESO還利用了由物理學家Albert Fert描述的自旋軌道超導效應（Spin-orbit transduction effects）——他就任于法國國家科學研究院/泰雷茲集團聯合物理研究組。

在探求不斷更新半導體工藝、微縮CMOS的同時，Intel一直在研究超越CMOS時代的未來十年即將出現的計算邏輯選項，推動計算能效提升，并跨越不同的計算架構促進性能增長。

Intel資深院士兼技術與制造事業部探索性集成電路組總監Ian Young表示：“我們正在研究超越CMOS時代的計算方案，尋求革命性而不是演進性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎，將量子材料創新與計算結合在一起。我們對已經取得的進展感到非常興奮，并期待著發揮其潛力，未來做出進一步降低翻轉電壓的演示。”

Intel功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室溫量子材料開發。它展現了該技術的可能性，并有望在業界、學術界和各國家實驗室中引發新一輪創新。而這種新型計算器件和架構所需的許多關鍵材料和技術，還需要進行更多開發。”