安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級的精準電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達，共推下一代AI數(shù)據(jù)中心加速向800V直流供電方案轉(zhuǎn)型，這種技術(shù)能力的廣度和深度使安森美成為少數(shù)能以可擴展、可實際落地的設(shè)計滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴苛供電需求的公司之一。

在2025 PCIM Asia 展會期間，安森美 SiC JFET產(chǎn)品市場經(jīng)理Brandon Becker接受大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、與非網(wǎng)、Bodos功率系統(tǒng)多家媒體采訪，講述了安森美在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的產(chǎn)品布局和發(fā)展情況。

從核心器件到系統(tǒng)方案，覆蓋AI供電全鏈路

安森美此次展出的產(chǎn)品線極具針對性，直指高功率、高效率的應(yīng)用場景。其展品包括：12kW高功率PSU、3kW LLC、3kW圖騰柱PSU、40W輔助電源等等。

其中，明星產(chǎn)品——12kW AI電源模塊：這款在全球技術(shù)背景下開發(fā)，并已在海外PCIM展上亮相的模塊，此次正式登陸亞洲。它不僅具備高功率密度，還能實現(xiàn)AI電源97.5%以上的超高效率。

這套從AC-DC到DC-DC的端到端解決方案，確保了數(shù)據(jù)中心供電鏈的每一個環(huán)節(jié)都能協(xié)同工作，最終實現(xiàn)系統(tǒng)整體效率的最大化。

Brandon指出，在AI領(lǐng)域，效率不僅僅是技術(shù)指標，更是直接的經(jīng)濟賬。他為我們算了一筆令人印象深刻的賬：“如果幫客戶節(jié)省0.33%的功耗，大約相當于3W。一個機架每年可節(jié)省約550美元電費。而AI數(shù)據(jù)中心通常以3000臺起算，這意味著每年可節(jié)省高達165萬美元的電費。”

這筆巨額節(jié)省直觀地揭示了為何“效率”成為AI基礎(chǔ)設(shè)施最核心的訴求。安森美著力打造的端到端解決方案，其終極目標正是通過系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化，將總擁有成本和運營成本降至最低。這一切都歸根于讓整個系統(tǒng)協(xié)調(diào)一致，最終為每一個數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)每年上百萬美元的成本節(jié)約。

垂直整合+超30年碳化硅專長

要實現(xiàn)如此卓越的性能，離不開深厚的技術(shù)積累和強大的制造能力。Brandon表示，安森美的碳化硅技術(shù)團隊，其專業(yè)知識積累均超過30年。無論是SiC MOSFET技術(shù)，還是SiC JFET技術(shù)。他說：“技術(shù)并不在于某幾件設(shè)備，而是這么多年以來在技術(shù)上的經(jīng)驗積累。”

安森美對全垂直供應(yīng)鏈有著精準把控，面對碳化硅制造中“長晶”和“氧化層工藝”的挑戰(zhàn)，安森美已深耕5-8年，并從一開始就以嚴苛的車規(guī)需求為標準。公司實現(xiàn)了從粉料、晶圓到芯片的全程內(nèi)部制造和測試，通過海量的在線測試和自動化設(shè)備，將不良率大幅下降至1PPM（百萬分之一）以下。這種垂直整合模式確保了從晶體生長到最終成品每一個環(huán)節(jié)的質(zhì)量可控與優(yōu)異。

創(chuàng)新引擎為下一代布局賦能

Brandon介紹說，為應(yīng)對不同應(yīng)用場景的痛點，安森美推出了多項創(chuàng)新技術(shù)：

碳化硅Combo技術(shù)：在MOSFET主導的市場中，Combo技術(shù)解決了高壓高功率應(yīng)用中的電路保護難題。其熱性能曲線優(yōu)于一般碳化硅MOSFET，能更好地應(yīng)對電流和溫度的劇烈變化，同時實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的每平方厘米平均電阻。

JFET與MOSFET的協(xié)同設(shè)計：在最新的650V參考設(shè)計中，安森美同時采用了碳化硅MOSFET和JFET。在PFC等硬開關(guān)電路中，MOSFET表現(xiàn)更佳；而在LLC等軟開關(guān)的DC-DC電路中，JFET因其更低的開關(guān)損耗而更為適合。兩者協(xié)同工作，共同實現(xiàn)了系統(tǒng)能效和功率密度的最大化。

下一代技術(shù)路線圖：安森美的研發(fā)從未止步，正從平面的M3 MOSFET技術(shù)，向2026年即將發(fā)布的溝槽式M4 MOSFET技術(shù)演進。在JFET方面，已進入溝槽產(chǎn)品階段，實現(xiàn)了每平方厘米0.7毫歐的極低電阻。同時，公司也在探索將氮化鎵與碳化硅技術(shù)結(jié)合，以創(chuàng)造更多可能性。

應(yīng)對800V轉(zhuǎn)型，安森美SiC器件成關(guān)鍵推手

英偉達在今年5月就宣布了一項關(guān)鍵決策：自2027年起率先推動機架電源從54V直流向800V高壓直流（HVDC）轉(zhuǎn)變，以支撐單機架功率超1MW的下一代AI數(shù)據(jù)中心。

800V供電架構(gòu)的變革會給上游供應(yīng)鏈產(chǎn)生較大的影響，將直接推動功率器件向高壓化與高頻化方向升級。以集中整流環(huán)節(jié)為例，尤其是關(guān)鍵的固態(tài)變壓器（SST）中，需要使用耐壓等級達2300V至6500V甚至更高的SiC MOSFET。與傳統(tǒng)的硅基IGBT相比，SiC器件在高壓高頻工況下的開關(guān)損耗可降低一個數(shù)量級，是整個供電鏈路實現(xiàn)端到端效率提升約5%的目標的重要基礎(chǔ)。

“AI電源對效率要求極高，要在高功率條件下實現(xiàn)97.5%以上的效率，功率半導體器件尤為關(guān)鍵。以英偉達NVL72的Power Rack為例，單個機架節(jié)省0.33%的損耗（約3W）看似微不足道，僅能省下約550美元電費。但在AI數(shù)據(jù)中心以3000臺起算的規(guī)模下，這筆微小的節(jié)省將聚合為每年高達165萬美元的巨額電費削減。這正是效率優(yōu)化在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中至關(guān)重要的原因：微小的百分比提升，通過規(guī)模化放大，將帶來極具意義的運營成本降低。” 安森美 SiC JFET產(chǎn)品市場經(jīng)理Brandon Becker如是說。

同時，Brandon Becker指出，從現(xiàn)有的400V系統(tǒng)（普遍采用650V/750V器件）升級至800V系統(tǒng)，其關(guān)鍵瓶頸在于高壓器件——如1200V SiC MOSFET與JFET的成熟度。目前市場上能提供此類器件的供應(yīng)商寥寥，而安森美憑借在車規(guī)級800V電池系統(tǒng)中積累的經(jīng)驗，已具備快速響應(yīng)AI服務(wù)器市場的能力。