介紹

瑞薩Virtual EEPROM模塊簡稱VEE模塊，該VEE模塊模擬基本的EEPROM功能，支持讀和寫操作兩種常見的數據操作。在應用程序的整個生命周期內，保留存儲扇區的擦除計數，擦除計數可以隨時訪問。驅動函數會自動做磨損均衡處理，延長Flash的使用壽命。

主要內容

以開發板EK-RA2E2為例，使用VEE模塊存取數據：

1、創建新工程

2、工程創建完成后，通過FSP配置Virtual EEPROM

2.1 添加Virtual EEPROM Stack

選擇配置標簽頁 Stack → New Stack → Storage → Virtual EEPROM on Flash(rm_vee_flash)

2.2 配置Virtual EEPROM Stack

在生成的Stack框圖中，點擊 Virtual EEPROM on Flash(rm_vee_flash)，可以看到e2?studio左下角出現屬性欄，按照如圖所示配置。

2.3 配置g_flash0 flash(r_flash_lp)

點擊框圖中g_flash0 flash(r_flash_lp)，并按下圖所示，設置Flash Ready Interrupt Priority。此處工程設置為Priority 1，可根據實際需要調整。

按照上面步驟配置配置完成后，點擊??FSP就會生成工程Virtual EEPROM以及相關的初始化代碼。

3、編寫示例代碼，驗證Virtual EEPROM功能。

在工程中打開scr/hal_entry.c文件，void?hal_entry(void) 函數由main函數調用，我們自己的代碼由hal_entry調用，這樣做符合瑞薩軟件的架構，方便以后使用RTOS。

在hal_entry.c文件中添加下面的代碼

?

然后在hal_entry函數調用上面的rm_vee_example函數

接下來就可以編譯調試程序，當程序正常運行起來之后，就可以看到綠色LED燈亮起，說明存到Flash中的數據再讀取出來，經過對比確認數據正確。也可以在調試狀態下，將全局變量添加到觀察窗口，單步調試，觀察數據的變化。

程序運行前

程序運行起來之后

可以看到右側相關變量的數值已經有改變

在后面附加了如何在調試過程中觀察全局變量數值變化。

*附：觀察全局變量的方式

選中要觀察的數據名稱，右擊，選擇添加監看表達式

?

可以在調試界面看到相關表達式的值，隨著程序運行，可以在這里觀察數值的變化。

結論

使用VEE模塊，可以方便地使用Flash存取數據。不再需要自己去考慮數據存儲的位置以及磨損均衡等問題，可以把精力專注于實現功能上。

審核編輯：湯梓紅