MEMS技術是目前很多廠家都在使用的先進技術之一，在前兩篇文章中，小編對MEMS存儲設備請求調度算法以及MEMS存儲設備的故障管理有所介紹。為增進大家對MEMS的了解，本文將對典型的MEMS工藝流程以及MEMS加速度計的運用前景予以闡述。如果你對MEMS具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。

　　一、典型MEMS工藝流程

　　MEMS表面微機械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進行的MEMS制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學氣相淀積（LPCVD）這一類方法來獲得作為結構單元的薄膜。表面微加工工藝采用若干淀積層來制作結構，然后釋放部件，允許它們做橫向和縱向的運動，從而形成MEMS執行器。最常見的表面微機械結構材料是LPVCD淀積的多晶硅，多晶硅性能穩定且各向同性，通過仔細控制淀積工藝可以很好的控制薄膜應力。此外，表面微加工工藝與集成電路生產工藝兼容，且集成度較高。

　　下面結合北京大學微系統所的MEMS標準工藝，以一個MEMS中最主要的結構——梁為例介紹一下MEMS表面加工工藝的具體流程。

　　1.硅片準備

　　2.熱氧生長二氧化硅（SiO2）作為絕緣層

　　3.LPCVD淀積氮化硅（Si3N4）作為絕緣及抗蝕層

　　4.LPCVD淀積多晶硅1（POLY1）作為底電極

　　5.多晶硅摻雜及退火

　　6.光刻及腐蝕POLY1，圖形轉移得到POLY1圖形

　　7.LPCVD磷硅玻璃（PSG）作為犧牲層

　　8.光刻及腐蝕PSG，圖形轉移得到BUMP圖形

　　9.光刻及腐蝕PSG形成錨區

　　10.LPCVD淀積多晶硅2（POLY2）作為結構層

　　11.多晶硅摻雜及退火

　　12.光刻及腐蝕POLY2，圖形轉移得到POLY2結構層圖形

　　13.濺射鋁金屬（Al）層

　　14.光刻及腐蝕鋁層，圖形轉移得到金屬層圖形

　　15.釋放得到活動的結構

　　至此，我們利用MEMS表面加工工藝完成了一個梁的制作。這個工藝流程中共有五塊掩膜版，分別是：

　　1.POLY1，用的是陽版，形成的多晶1圖形用來提供機械層的電學連接，地極板或屏蔽電極;

　　2.BUMP，用的是陰版，在犧牲層上形成凹槽，使得以后形成的多晶硅機械層上出現小突起，減小在釋放過程或工作過程中機械層與襯底的接觸面積，起一定的抗粘附作用;

　　3.ANCHOR，用的是陰版，在犧牲層上刻孔，形成機械層在襯底上的支柱，并提供電學連接;

　　4.POLY2，用的是陽版，用來形成多晶硅機械結構;

　　5.METAL，用的是陽版，用來形成電連接或測試接觸。

　　二、MEMS加速度計的運用前景

　　MEMS傳感器即微機電系統（Microelectro Mechanical Systems），是在微電子技術基礎上發展起來的多學科交叉的前沿研究領域。經過四十多年的發展，已成為世界矚目的重大科技領域之一。它涉及電子、機械、材料、物理學、化學、生物學、醫學等多種學科與技術，具有廣闊的應用前景。而MEMS加速度計便是其中一種。

　　目前利用3軸MEMS加速度計開發出的新型應用有：?帶有運動檢測和狀態感知的手機以監視手機所在位置和被使用狀況。這種傳感器能夠提供很多功能，例如更直觀的用戶界面和延長電池壽命的智能電源管理。?帶有硬盤保護系統的筆記本計算機和媒體播放器。隨著對便攜式設備存儲能力要求的增加，測量沖擊和跌落事件有助于提高產品的魯棒性。

　　可移動游戲機，通過改善當前游戲的界面和開發新的基于運動的游戲而提供更多的互動、直觀和趣味的游戲體驗。數碼相機，通過檢測位置、運動和振動而自動地幫助用戶更好地拍照。?由于這些新型功能可以使產品更具特色，因而3軸MEMS加速度計也得到便攜設備廠商的認同。在價格降低到可以接受的水平后，3軸MEMS加速度計將廣泛應用于手機、媒體播放器、視頻游戲機、照相機和計算機等產品上，有著巨大的市場潛力