飛索（Spansion）預定于2013年7～9月，完成富士通半導體（Fujitsu Semiconductor）微控制器（MCU）、模擬及混合信號部門購并，未來將加速整合該部門技術資源，以及自家的嵌入式電荷擷取（eCT）閃存技術，全力加速嵌入式閃存（eFlash）MCU研發，預計于2015年發布首款產品。

　　飛索資深副總裁暨全球技術長Saied Tehrani表示，飛索購并富士通半導體MCU和模擬業務后，將可進一步擴大在汽車、工業和消費性電子等嵌入式系統市場的產品線陣容。

　　飛索資深副總裁暨全球技術長Saied Tehrani表示，該公司在嵌入式市場與閃存領域已累積不少成果，若再結合富士通半導體MCU、模擬業務相關產品和技術，以及其在日本市場的優勢，將可進一步擴大市場版圖，帶動飛索閃存產品銷售成長。

　　據了解，在雙方購并作業完成后，富士通半導體將成為飛索MCU和模擬業務的晶圓代工廠，并將沿用既有的55納米、65納米及90納米制程，為飛索量產eFlash MCU。

　　Tehrani指出，除合并富士通半導體資源外，飛索亦于近期與聯電達成40納米制程合作協議，可望為旗下的系統單晶片（SoC）帶來優勢，未來也不排除透過該制程開發出更高性能、低功耗、高成本效益的MCU和SoC解決方案。

　　據悉，飛索與聯電的40納米合作協議中，將授權聯電其獨家的eCT閃存技術，該技術類似飛索的MirrorBit技術，但經過修改和邏輯優化，故具備更快存取時間（低于10奈秒）和更低功率的特色，并易于與邏輯整合，較傳統編碼型（NOR）閃存生產方式使用更少的光罩制程步驟，讓eCT能整合閃存和高性能邏輯SoC產品，成為具有成本效益的解決方案。

　　面對eFlash MCU市場競爭者眾，Tehrani強調，該公司在非揮發性記憶體發展有悠久的歷史，并在嵌入式MCU和SoC獨立式閃存的eCT技術發展上超過10年經驗，且擁有的嵌入式閃存技術系專為先進的邏輯設計，因此具備更快存取速度、低功耗及高運算效率的優勢，有利于提高日后旗下eFlash MCU產品的市場競爭力。