????瑞薩科技(Renesas Technology)宣布，從2005年11月開始接受封裝在SiP(系統級封裝)內、集成了DDR SDRAM(雙數據速率同步DRAM)高速存儲器芯片的產品訂貨。該產品是在一個單封裝中整合了瑞薩科技的高性能微處理器和邏輯LSI芯片的多存儲器器件。
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???? 隨著包括圖形設備、車載信息系統和數字消費產品等各個領域的快速發展和功能日益強大，減小芯片尺寸成為了一個迫切的要求。對這種需求的一種反應就是迅速增加SiP產品的應用，因為它可以將若干微處理器、ASIC和存儲器集成在單個的封裝中。
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???? 雖然到目前為止，SDRAM已經成為封裝在一個SiP中最普通類型的工作存儲器，但是現在更高速度和性能的需求推動著人們使用更快的DDR SDRAM的需求。不過，使用DDR SDRAM的問題在于芯片對芯片的高速信號部分的互連設計比較復雜。
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???? 瑞薩科技一直在推動使用集成了微處理器和邏輯LSI的SiP作為“解決方案集成產品，Solution Integrated Product”，到目前為止已向用戶提供了超過1億顆這樣的芯片解決方案。現在，為了滿足上述迫切的市場需求，瑞薩科技將DDR SDRAM封裝在一個SiP中，這將有助于為使用DDR SDRAM的更快和更強大的小型設備提供開發解決方案。
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???? 由于DDR SDRAM比SDRAM更快，包括高速信號在內的總線連接設計通常更加復雜和困難。在DDR SDRAM集成到SiP時遇到同樣問題。瑞薩科技已聲稱利用其在SiP基層方面的專有技術和技巧解決了這個問題。
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???? 新的DDR SDRAM SiP具有以下特性：
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????1.避免了用戶進行復雜的總線連接設計，節省產品開發成本和時間
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???? CPU和DDR SDRAM之間的總線連接在SiP內執行，避免了用戶進行復雜的總線連接設計，從而減少產品的開發成本，并可縮短開發時間，以節省設計資源。
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????2.利用SiP減少無源器件數量，實現更低的產品功耗
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???? DDR SDRAM的連接通常需要使用提供抑制噪聲功能的電容器等外部無源器件。采用SiP實現的總線連接完全是在SiP的內部，避免了對大多數外部無源元件的需要，因而可以降低產品成本。此外，無源元件消耗電流方面的減少可以實現更低的產品功耗。
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????3.穩定的高速運行實現了EMI(電磁干擾)噪聲的全面降低
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???? 將多個芯片容納在單個封裝中，可以顯著縮短芯片對芯片的連線，這將降低EMI噪聲的影響，并可實現穩定的高速運行。