全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號(hào)：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:33:17
6777 。換言之，IP要想發(fā)揮作用，需要配合EDA工具，最終作用于芯片設(shè)計(jì)中，有一定的依附性。 ? 根據(jù)半導(dǎo)體IP研究機(jī)構(gòu)IPnest的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2022年全球設(shè)計(jì)IP同比增長(zhǎng)20.2%，達(dá)到了66.7億美元。其中，Arm公司獨(dú)占四成以上的市場(chǎng)份額。過(guò)去幾年，EDA公司新思科技
2024-01-10 00:11:002996 
了，那么，芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？為什么提到芯片時(shí)都要介紹制程？制程到底是什么？今天宏旺半導(dǎo)體就帶大家來(lái)了解一下。10nm、7nm等到底是指什么？宏旺半導(dǎo)體提過(guò)，芯片是由
2019-12-10 14:38:41
本人5年工作經(jīng)驗(yàn)，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對(duì)拋光、切割比較精通，使用過(guò)NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機(jī)會(huì)請(qǐng)與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
；*** CryptoCell技術(shù)有助于強(qiáng)化安全SoC設(shè)計(jì)；采用ARM Cordio? radio IP的完整無(wú)線解決方案，支持802.15.4 和Bluetooth? 5；通過(guò)ARM mbed? Cloud，云服務(wù)能夠支持物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的安全管理；ARM Artisan? IoT POP IP針對(duì)臺(tái)積電40ULP工藝實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。
2019-10-23 08:21:13
。”Schorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點(diǎn)變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實(shí)現(xiàn)多次許可。”Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體合作伙伴已經(jīng)用低功耗
2018-09-06 09:27:22
工藝之前會(huì)是Atom的有力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。它采用硬宏的形式，設(shè)計(jì)使用***臺(tái)積電（TSMC）的40G40nm制造工藝技術(shù)制造。Osprey硬宏分別針對(duì)功耗和性能作了優(yōu)化，而針對(duì)性能的優(yōu)化使得ARM處理器完全
2019-01-25 17:04:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒(méi)有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
;font face="Verdana">半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)</font>下載</strong>
2009-10-09 08:30:51
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
什么呢？一般固體材料依導(dǎo)電情形可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體。半導(dǎo)體通常采用矽當(dāng)導(dǎo)體，因?yàn)榛瘜W(xué)元素的矽晶體內(nèi)，每個(gè)原子都能貢獻(xiàn)四個(gè)價(jià)電子，而矽原子內(nèi)部原子核帶有四個(gè)正電荷。相鄰原子間的電子對(duì)，構(gòu)成了原子間
2018-11-08 11:10:34
單憑顏色而判斷出大約的氧化層厚度。不過(guò)若超過(guò)1.5微米以上的厚度時(shí)，氧化層顏色便漸不明顯。(二)擴(kuò)散(爐) (diffusion) 1、擴(kuò)散攙雜半導(dǎo)體材料可攙雜n型或p型導(dǎo)電雜質(zhì)來(lái)調(diào)變阻值，卻不影響其
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
的柵長(zhǎng)（下圖中的線寬）。第三，單點(diǎn)技術(shù)突破難構(gòu)成半導(dǎo)體制造工序的最小單位的工藝技術(shù)就是單點(diǎn)技術(shù)，或者組件技術(shù)。集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作。復(fù)雜電路的制造工序超過(guò)500道
2020-09-02 18:02:47
一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)，讓每家公司都能夠?qū)Ｗ⒂谒麄兊暮诵母?jìng)爭(zhēng)力，這是管理復(fù)雜性的一個(gè)好方法。這就是第三個(gè)時(shí)代所發(fā)生的事情。芯片的設(shè)計(jì)和實(shí)施由無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)，設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施由 EDA 公司負(fù)責(zé)，工藝技術(shù)則
2024-03-13 16:52:37
個(gè)生態(tài)系統(tǒng)，讓每家公司都能夠?qū)Ｗ⒂谒麄兊暮诵母?jìng)爭(zhēng)力，這是管理復(fù)雜性的一個(gè)好方法。這就是第三個(gè)時(shí)代所發(fā)生的事情。芯片的設(shè)計(jì)和實(shí)施由無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)，設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施由 EDA 公司負(fù)責(zé)，工藝技術(shù)則交給
2024-03-27 16:17:34
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
半導(dǎo)體景氣關(guān)鍵指標(biāo)北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接單出貨比（B/B值），8月雖站上五個(gè)月來(lái)新高達(dá)1.06，但國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)（SEMI）預(yù)警未來(lái)幾個(gè)月將下滑，國(guó)際一線半導(dǎo)體設(shè)備大廠營(yíng)運(yùn)首當(dāng)其沖。 B
2015-11-27 17:53:59
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國(guó)物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)（即溫差效應(yīng)）基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點(diǎn)時(shí)，其接點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，即其兩端形成溫差而實(shí)現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
MPLAB IDIDV3.65和XC8HI，“宏擴(kuò)展工具”是一個(gè)方便的工具來(lái)查看宏在項(xiàng)目文件中的擴(kuò)展（右鍵單擊宏并選擇導(dǎo)航/視圖宏擴(kuò)展）。不幸的是，我發(fā)現(xiàn)了一個(gè)問(wèn)題：當(dāng)我在文件中更改宏的定義時(shí)然后宏
2020-04-14 09:57:51
上的通信協(xié)議，用于規(guī)范計(jì)算機(jī)與存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸。NVME是為SSD而生的。在此之前SSD都用SATA接口。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，SATA接口采用AHCI規(guī)范，其已經(jīng)成為制約SSD速度的瓶頸。AHCI只有1個(gè)命令
2019-11-26 11:21:07
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
的復(fù)雜性,而大多數(shù)半導(dǎo)體制造過(guò)程包含許多非線性且復(fù)雜的化學(xué)與物理反應(yīng)，難以建立其制造模型,加上檢測(cè)技術(shù)的缺乏,造成無(wú)法及時(shí)得知工藝過(guò)程狀態(tài)而難以對(duì)其進(jìn)行有效監(jiān)控。因此,當(dāng)半導(dǎo)體制造進(jìn)入8英寸、12英寸
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
學(xué)習(xí)《模擬電路》，第一個(gè)攔路虎就是半導(dǎo)體物理，由于半導(dǎo)體物理的透徹理解牽扯到半導(dǎo)體物理、量子力學(xué)、統(tǒng)計(jì)力學(xué)等概念，而且概念過(guò)于抽象，初學(xué)者往往要被嚇跑。實(shí)際上，通過(guò)有選擇的介紹必要概念，使用生活中常見(jiàn)現(xiàn)象作類(lèi)比等手段，詳細(xì)解釋每一個(gè)概念的含義，初學(xué)者是完全能學(xué)好半導(dǎo)體物理的。我們先來(lái)看第一個(gè)PPT：
2019-05-15 20:03:37
的美國(guó)派更半導(dǎo)體公司（PeregrineSemiconductorCorp.）開(kāi)發(fā)的。在藍(lán)寶石底板上形成單晶硅薄膜，然后再利用CMOS工藝形成電路。作為采用具有良好絕緣性的藍(lán)寶石的SOS底板，與硅底板
2016-09-15 11:28:41
，再把管腳引出來(lái)，然后固定包裝成為一個(gè)整體。它可以起到保護(hù)芯片的作用，相當(dāng)于是芯片的外殼，不僅能固定、密封芯片，還能增強(qiáng)其電熱性能。所以，封裝對(duì)CPU和其他大規(guī)模集成電路起著非常重要的作用。據(jù)宏旺半導(dǎo)體
2019-12-09 16:16:51
與固體電子學(xué)或凝聚態(tài)物理學(xué)碩士以上學(xué)歷。 2、熟悉半導(dǎo)體激光器工作原理、對(duì)半導(dǎo)體激光器有較深入的研究，熟悉半導(dǎo)體封裝工藝。 3、英語(yǔ)水平較好，能熟練查閱有關(guān)文獻(xiàn)。 4、分析問(wèn)題及解決問(wèn)題的能力較強(qiáng)，動(dòng)手
2015-02-10 13:33:33
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
有所增加。”Schorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點(diǎn)變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實(shí)現(xiàn)多次許可。” Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-05-23 10:25:23
有所增加。”Schorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點(diǎn)變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實(shí)現(xiàn)多次許可。” Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-09-20 11:14:23
有所增加。”Schorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點(diǎn)變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實(shí)現(xiàn)多次許可。” Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-09-27 15:38:30
有所增加。”Schorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點(diǎn)變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實(shí)現(xiàn)多次許可。” Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-10-17 09:28:25
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類(lèi)
2025-04-15 13:52:11
問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
。 “回顧歷史，”Franca指出，“多虧了EDA行業(yè)的崛起，曾經(jīng)自己開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)工具的半導(dǎo)體公司不再這么做了；晶圓制造商也讓位于專(zhuān)業(yè)代工企業(yè)；曾經(jīng)設(shè)計(jì)專(zhuān)有處理器的廠商現(xiàn)在采用ARM或MIPS內(nèi)核
2019-05-13 07:00:04
工藝流程 半導(dǎo)體純水的工藝大致分成以下幾種： 1、采用離子交換方式，其流程如下：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂床→陰樹(shù)脂床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混合床
2013-08-12 16:52:42
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
`半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用
2016-11-27 22:34:51
、物理學(xué)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理學(xué)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
半導(dǎo)體器件物理與工藝的主要內(nèi)容：第一章 能帶與載流子濃度第二章 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象第三章 p-n結(jié)第四章 雙極型器件第五章 單極型器件第六章 微波器件第七章
2009-07-22 12:07:59
0 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ):一般而言，制作太陽(yáng)能電池的最基本材料是半導(dǎo)體材料，因而本章將介紹一些半導(dǎo)體物理的基本知識(shí)，包括半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶、本征與摻雜半導(dǎo)體、pn結(jié)以
2009-11-24 17:44:4464 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 • 《半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)》曾樹(shù)榮北京大學(xué)出版社• 《半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》[美]Robert F. Pierret 黃如、王漪等譯電子工業(yè)出版社• 《半導(dǎo)體器件物理與工藝》第二版[美
2010-10-03 14:05:030 近日，中芯國(guó)際和ARM公司共同宣布：中芯國(guó)際采用ARM Artisan物理IP系列產(chǎn)品中的ARM Metro™低功耗/高密度產(chǎn)品和Advantage™高性能產(chǎn)品，用于90納米LL（低滲漏）和G（主流）
2006-06-01 23:26:47752 IC China 2009宏力半導(dǎo)體閃耀亮相
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，繼9月初在上海總部舉辦了首屆技術(shù)論壇之后，10月22-24日參加了在蘇州國(guó)際博覽中心舉行的
2009-11-12 09:10:22444 宏力半導(dǎo)體與中國(guó)多家集成電路設(shè)計(jì)孵化基地達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，近日與中國(guó)科學(xué)院EDA中心、上海、西安及深圳等多個(gè)集成
2009-12-03 08:41:411424 宏力半導(dǎo)體推出45V LDMOS電源管理制程，基于先進(jìn)的0.18微米邏輯平臺(tái)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，日前發(fā)布了基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMO
2010-01-15 08:33:261576 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(C
2010-12-28 09:10:291291 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。
2011-03-07 09:12:031489 燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，燦芯半導(dǎo)體與ARM簽署了一份長(zhǎng)期協(xié)議，將被授權(quán)使用ARM的IP工具包，其中包括ARM Cortex, ARM9/11和Mali系列處理器﹑以及CoreSight調(diào)試追蹤技術(shù)和與AMBA兼容
2011-03-18 10:00:19935 ARM公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工商聯(lián)電近日共同宣布達(dá)成長(zhǎng)期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶(hù)提供已經(jīng)通過(guò)聯(lián)電28HPM工藝技術(shù)驗(yàn)證的ARM Artisan物理IP解決方案。這項(xiàng)最新的28納米工藝技術(shù)的
2011-10-13 09:32:44883 本手冊(cè)包括:物理常數(shù)、常用元素、雜質(zhì)及擴(kuò)散源、電熱材料、工藝安全、管殼外形標(biāo)準(zhǔn)化等半導(dǎo)體器件制造工藝常用數(shù)據(jù)手冊(cè)
2011-12-15 16:03:28138 中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:502638 微電子學(xué)基礎(chǔ)，半導(dǎo)體物理，介紹了半導(dǎo)體材料性質(zhì)
2015-11-03 11:32:400 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專(zhuān)工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺(tái)和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:491211 半導(dǎo)體物理學(xué)課件，關(guān)于半導(dǎo)體方面的相關(guān)教學(xué)知識(shí)
2016-05-10 17:04:480 )工藝技術(shù)生產(chǎn)的ARM處理器。它是第一個(gè)采用ARM物理IP、在IBM基于32nm高K金屬門(mén)(HKMG)工藝的Common Platform測(cè)試芯片上構(gòu)建的32nm Cortex系列處理器核。該處理器將為
2017-12-04 12:47:01660 近日，國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體有限公司對(duì)外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP，該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:398321 華虹半導(dǎo)體有限公司推出最新低本高效0.18微米數(shù)模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺(tái)增強(qiáng)版（0.18CE 工藝平臺(tái)增強(qiáng)版）。該增強(qiáng)型工藝平臺(tái)的推出，進(jìn)一步奠定了華虹半導(dǎo)體在蓬勃發(fā)展的微控制器
2018-05-15 11:45:001983 華虹半導(dǎo)體今日宣布，基于0.11微米超低漏電嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)（0.11 μm Ultra Low Leakage eNVM Platform，以下簡(jiǎn)稱(chēng)「0.11μm ULL平臺(tái)」），華虹半導(dǎo)體
2018-07-04 17:48:002511 本文首先介紹了半導(dǎo)體的四大基本物理特性，其次介紹了半導(dǎo)體的三大重要特性。
2018-09-27 11:05:2236128 10月10日，華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:58:005530 華虹宏力在功率器件代工制造領(lǐng)域的成功得益于技術(shù)上的創(chuàng)新。2017年初，華虹宏力宣布完成第三代DT-SJ工藝平臺(tái)的第一階段研發(fā)，取得了初步成果，并計(jì)劃在2017年上半年逐步推向市場(chǎng)。
2019-10-18 14:21:333992 感謝華虹宏力選擇華大九天作為其IP設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)的EDA提供商，華虹宏力作為用戶(hù)提出了許多寶貴意見(jiàn)，幫助華大九天進(jìn)一步提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，有力推動(dòng)了本土EDA工具的發(fā)展。期待華大九天與華虹宏力更加深入而密切的合作，為本土半導(dǎo)體企業(yè)戰(zhàn)略合作提供典范。
2019-10-18 14:29:415008 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹宏力”），由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成，是世界領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠。華虹宏力在上海張江和金橋共有3條200mm集成電路生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)13.7萬(wàn)片，工藝技術(shù)覆蓋1微米至90納米各節(jié)點(diǎn)。
2019-10-21 09:48:202222 e絡(luò)盟宣布與全球半導(dǎo)體IP領(lǐng)先供應(yīng)商ARM簽署分銷(xiāo)協(xié)議
2019-08-04 09:26:302966 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是功率半導(dǎo)體器件物理與工藝研究的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2021-02-03 17:02:0034 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23116 半導(dǎo)體器件物理.pdf
2021-11-05 18:13:550 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-02-28 10:31:012464 IP核具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)核的集成電路的總稱(chēng)。經(jīng)反復(fù)驗(yàn)證,具有特定功能的宏模塊。可移植到不同半導(dǎo)體工藝中。
2022-11-11 10:03:192312 [半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
控，能采用精細(xì)化管理模式，在細(xì)節(jié)上規(guī)避常規(guī)問(wèn)題發(fā)生；再?gòu)男聲r(shí)代發(fā)展背景下提出半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)，建議把工作重心放在半導(dǎo)體封裝工藝質(zhì)量控制方面，要對(duì)其要點(diǎn)內(nèi)容全面掌握，才可有效提升半導(dǎo)體封裝工藝質(zhì)量。 引言 從半導(dǎo)
2024-02-25 11:58:101911 
韓國(guó)知名8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體宣布，其自主研發(fā)的第四代0.18微米BCD工藝已正式面世，較上一代工藝性能提升約20%。這一創(chuàng)新成果不僅彰顯了SK啟方在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更為行業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展動(dòng)力。
2024-09-12 17:54:451364 半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類(lèi)污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類(lèi)與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46707 
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