半導體的基本物理特性

1、溫度上升電阻下降的特性

2、整流效應

3、光伏特效應

4、光電導效應

半導體的重要特性

1、熱敏特性

半導體的電阻率隨溫度變化會發生明顯地改變。例如純鍺，濕度每升高10度，它的電阻率就要減小到原來的1／2。溫度的細微變化，能從半導體電阻率的明顯變化上反映出來。利用半導體的熱敏特性，可以制作感溫元件——熱敏電阻，用于溫度測量和控制系統中。值得注意的是，各種半導體器件都因存在著熱敏特性，在環境溫度變化時影響其工作的穩定性。

2、光敏特性

半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小；無光照時，電阻率很大。例如，常用的硫化鎘光敏電阻，在沒有光照時，電阻高達幾十兆歐姆，受到光照時．電阻一下子降到幾十千歐姆，電阻值改變了上千倍。利用半導體的光敏特性，制作出多種類型的光電器件，如光電二極管、光電三極管及硅光電池等．廣泛應用在自動控制和無線電技術中。

3、摻雜特性

在純凈的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發生極大的變化。例如．在純硅中摻人。百萬分之—的硼元素，其電阻率就會從214000歐。里面一下于減小到0.4歐。里面．也就是硅的導電能為提高了50多萬倍。人們正是通過摻入某些特定的雜質元素，人為地精確地控制半導體的導電能力，制造成不同類型的半導體器件。可以毫不夸張的說，幾乎所有的半導體器件，都是用摻有特定雜質的半導體材料制成。