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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>IGBT的崛起——國產功率器件的曙光

IGBT的崛起——國產功率器件的曙光

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2024-02-06 10:47:0411188

IGBT器件的結構和工作原理

IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:593741

IGBT器件失效模式的影響分析

功率循環加速老化試驗中,IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化,失效模式可能存在 多個影響因素,如封裝材料、器件結構以及試驗條 件等。
2024-04-18 11:21:062398

功率器件IGBT及國內外IGBT企業

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR
2024-05-16 08:09:562602

一文看懂功率半導體-IGBT

共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業的“CPU” ? ? ?? · IGBT功率器件中的“結晶” ? ? ? ?· IGBT技術不斷迭代,產品推陳出新 IGBT搭乘新能源快車打開增長
2024-07-21 17:43:412990

IGBT功率器件功耗

IGBT功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發熱的原因主要有兩個,一是功率器件導通時,產生的通態損耗。二是功率器件的開通與關斷過程中產生的開關損耗
2024-07-19 11:21:001921

igbt功率管好壞測量方法

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應用于電力電子領域的高效、高性能的功率電子器件。在實際應用中,對IGBT功率管進行好壞檢測是非常重要的,以確保系統的正常運行和安全。 一、外觀檢查 外觀
2024-08-07 15:37:133985

igbt功率管發熱什么原因

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,在實際應用過程中,IGBT功率管發熱是一個常見問題,嚴重影響了IGBT的可靠性
2024-08-07 15:40:325464

igbt功率管型號參數意義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。IGBT功率管型號參數意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335020

IGBT器件的基本結構和作用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件。它結合了雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物
2024-08-08 09:46:252295

功率器件功率循環測試原理詳解

功率半導體器件,特別是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),在新能源、軌道交通、電動汽車、工業應用和家用電器等諸多應用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電動汽車行業的迅猛崛起下,功率半導體器件市場迎來
2024-08-12 16:31:014598

芯長征科技榮獲功率器件IGBT行業卓越獎

在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業配套品牌頒獎典禮”上,芯長征科技榮獲“功率器件-IGBT行業 卓越獎”。經過近兩個月的激烈競爭和嚴格評審,我們憑借在功率器件領域的創新活力、技術突破和市場卓越表現,從眾多品牌中脫穎而出,贏得此殊榮。
2024-12-10 17:28:231647

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481329

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾
2025-02-09 20:17:291126

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率器件持續躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產
2025-03-13 00:27:37768

向電源行業的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報告造假!

中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報告廠商造假的事件,是中國技術實力與產業鏈話語權提升的標志性案例。通過技術創新與嚴謹的科學態度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564

功率半導體國產化先鋒:長晶科技的創新與崛起

場浪潮中,長晶科技憑借其在功率半導體領域的技術突破與全產業鏈布局,成為國產化進程中的標桿企業。 技術創新:突破高端功率器件壁壘 長晶科技聚焦功率半導體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領域取得顯著成果。在消費電子領域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431299

揚杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進口,重構國產功率器件新生態

國產化破局 重構功率器件生態 IGBT Localization 在全球供應鏈震蕩與國產替代浪潮中,揚杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝矩陣精準對標國際品牌,實現“零改設計、性能超越
2025-05-30 11:50:12627

功率器件中銀燒結技術的應用解析:以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術向高頻、高效、高功率密度方向發展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝與連接技術中,銀燒結技術憑借其獨特的優勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152

MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統的權衡

功率電子系統中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件,廣泛應用于中低壓功率系統。它們各有優缺點,適用于不同的應用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景,能夠有效提高系統
2025-07-07 10:23:192440

傾佳電子碳化硅在電網穩定技術中的崛起:SVG拓撲趨勢及SiC功率器件變革性價值的技術分析

、電力電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,
2025-10-09 18:18:19804

IGBT是電子電力行業的“CPU” | 氮化硼高導熱絕緣材料

文章大綱IGBT是電子電力行業的“CPU”·IGBT功率器件中的“結晶”·IGBT技術不斷迭代,產品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開增長空間天花板·新能源汽車市場成為IGBT增長最充足動力
2025-11-21 12:21:242433

新能源汽車 IGBT 功率器件高低溫沖擊測試

IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應用中
2023-12-01 15:48:31

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