IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;(因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結材料和厚度有關))MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。(因為MOS管有Rds,如果Ids比較大,就會導致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT最主要的作用就是把高壓直流變為交流,以及變頻。(所以用在電動車上比較多)

IGBT的應用
IGBT最主要的作用就是高壓直流轉交流,以及變頻,在新能源汽車,智能電網和軌道交通等領域有廣泛的應用。
1、新能源汽車
IGBT是電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件,在電動汽車中發揮著至關重要的作用,主要作用于電動車汽車的充電樁、電動控制系統以及車載空調控制系統。
(1)電動控制系統
作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后汽車電機的驅動;
(2)車載空調控制系統
作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆變;
(3)充電樁
智能充電樁中被作為開關元件使用;
2、智能電網
智能電網的發電端、輸電端、變電端及用電端均需使用IGBT。
(1)發電端
風力發電、光伏發電中的整流器和逆變器都需使用IGBT。
(2)輸電端
特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需大量使用IGBT。
(3)變電端
IGBT是電力電子變壓器的關鍵器件。
(4)用電端
家用白電、 微波爐、LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。
3、軌道交通
眾所周知,交流傳動技術是現代軌道交通的核心技術之一,在交流傳動系統中牽引變流器是關鍵部件,而IGBT又是牽引變流器最核心的器件之一,可以說該器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。


國內外IGBT企業

| 公司名稱 | 所在地 | 城市 | 產品類型 |
| Infineon Technologies AG | 德國 | 紐必堡 | IGBT分立器件和模塊、MOSFET、MCU等 |
| 博世 | 德國 | 斯圖加特 | SIC、sensor |
| 賽米控-丹弗斯(合并) | 德國 | IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、二極管 | |
| 威科電子Vincotech | 德國 | 電子功率模塊;IGBT、PIM模塊、六管模塊、半橋模塊 | |
| 株式會社KEC | 韓國 | IGBT芯片、MOSFET | |
| onsemi安森美 | 美國 | IGBT / MOSFET柵極驅動光電耦合器、高性能光電耦合器、光晶體管管光電耦合器、紅外線、TRIAC驅動光電耦合器;高能效連接、傳感、電源管理、分立及定制器件 | |
| Littelfuse | 美國 | IGBT模塊 | |
| 富士電機 | 日本 | IGBT模塊、分立IGBT、IGBT(EV HEV) | |
| 三菱電機 | 日本 | IGBT模塊;S系列(第6代IGBT)、T/T1系列(第7代IGBT) | |
| 京瓷 | 日本 | IGBT模塊,通用逆變器、變頻空調、太陽能發電系統及混合動力車功率模塊產品 | |
| 電裝 | 日本 | IGBT模塊 | |
| 日立功率半導體公司 | 日本 | 高壓IGBT / SiC、SiC MOSFET、高級溝槽HiGT - sLiPT | |
| 瑞薩電子 | 日本 | LCD驅動器集成電路、智能卡微控制器、射頻集成電路(RF-IC)、大功率放大器、混合信號集成電路、系統級芯片(SoC)、系統級封裝(SiP)等產品 | |
| 安徽長飛先進半導體有限公司 | 安徽 | 蕪湖市 | 碳化硅(SiC)功率半導體,芯片到封裝 |
| 合肥中恒微半導體有限公司 | 安徽 | 合肥 | 國產功率半導體(IGBT,SiC)模塊 |
| 安徽瑞迪微電子有限公司 | 安徽 | 蕪湖 | IGBT/FRD以及碳化硅MOS/SBD芯片 |
| 阿基米德半導體(合肥)有限公司 | 安徽 | 合肥 | 營新能源汽車及光伏儲能充電用分立器件及模塊 |
| 泰科天潤半導體科技(北京)有限公司 | 北京 | 北京 | 碳化硅功率器件 |
| 北京國聯萬眾半導體科技有限公司 | 北京 | 北京 | 氮化鎵功率器件及集成產品、碳化硅晶圓片及模塊 |
| 西人馬聯合測控有限公司(芯片) | 福建 | 廈門 | MEMS芯片、數字芯片、DMD及功率器件 |
| 廈門中能微電子有限公司 | 福建 | 廈門 | VDMOS、超結MOS、SGT、Trench-FS IGBT單管及模組、FRED、碳化硅以及氮化鎵三代半系列產品等 |
| 比亞迪半導體有限公司 | 廣東 | 惠州 | 產品涵蓋MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等 |
| 深圳愛仕特科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | 車規級碳化硅功率模塊、功率器件驅動器 |
| 深圳尚陽通科技有限公司(Fabless) | 廣東 | 深圳 | 功率器件半導體產品;IGBT、SnowMOS、TTMOS、SiC系列產品 |
| 深圳芯能半導體技術有限公司 | 廣東 | 深圳 | 產品線包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標準功率模塊(PIM) |
| 深圳市芯威能半導體有限公司 | 廣東 | 深圳 | IGBT芯片、IGBT模塊 |
| 廣東芯聚能半導體有限公司 | 廣東 | 廣州 | IGBT/SiC功率模塊及離散式組件Discrete;車規級功率模塊、工業級功率模塊和分立器件等 |
| 深圳方正微電子有限公司(SIC) | 廣東 | 深圳 | 6寸SiC器件;功率分立器件(如DMOS、IGBT、SBD和FRD)和功率集成電路(如BiCMOS、BCD和HV CMOS)等領域的晶圓制造技術 |
| 深圳市依思普林科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | IGBT模塊(車規級)、獨立電機控制器、動力總成系統 |
| 深圳云潼科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | 產品涵蓋IGBT、MOSFET、功率TVS和小功率器件 |
| 中微半導體(深圳)股份有限公司(芯片設計) | 廣東 | 深圳 | IGBT、MOSFET、電機驅動、柵極驅動 |
| 廣東匯芯半導體有限公司 | 廣東 | 佛山 | 主要產品包括高壓集成電路(HVIC)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、功率場效應晶體管(PowerMOS)、微控制單元(MCU)、傳感器(Sensor)及其集成化 |
| 基本半導體 | 廣東 | 深圳 | SIC模塊 |
| 深華穎半導體(深圳)有限公司 | 廣東 | 深圳 | 功率器件, |
| 北一半導體科技(廣東)有限公司 | 廣東 | 深圳 | 主要經營功率半導體元器件,包括IGBT、PIM / IPM等產品 |
| 廣汽零部件(廣州)產業園有限公司 | 廣東 | 廣州 | IGBT封測 |
| 安建科技(深圳)有限公司(JSAB Technologies Limited) | 廣東 | 深圳 | 低電壓的SGT-MOSFET(分裂柵金屬氧化物場效應晶體管)、高電壓的SJ-MOSFET(超結金屬氧化物場效應晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管) |
| 東莞森邁蘭電子科技有限公司(SIC) | 廣東 | 東莞 | 功率半導體器件、功率半導體模塊、新能源汽車逆變器、太陽能發電逆變器、風力發電逆變器、軌道交通逆變器變換器的核心組件 |
| 深圳市海思邁科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | IGBT/MOSFET隔離驅動模塊 |
| 智新半導體有限公司(IGBT+SIC) | 湖北 | 武漢 | IGBT模塊 |
| 湖北臺基半導體股份有限公司 | 湖北 | 襄陽 | 大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導體模塊、固態脈沖功率開關等功率半導體器件 |
| 武漢騏鴻科技有限公司 | 湖北 | 武漢 | SIC模塊 |
| 株洲中車時代電氣股份有限公司 | 湖南 | 株洲 | IGBT及FRD模塊,SiC芯片及器件 |
| 長沙瑤華半導體科技有限公司 | 湖南 | 長沙 | IGBT模組 |
| 吉林華微電子股份有限公司 | 吉林 | 吉林 | 功率半導體器件及IC,包括IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等系列產品 |
| 江蘇長電科技股份有限公司 | 江蘇 | 江陰市 | 碳化硅(SiC)功率模塊 |
| 南京銀茂微電子制造有限公司 | 江蘇 | 南京 | 功率IGBT和MOSFET模塊產品 |
| 蘇州東微半導體股份有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | IGBT芯片 |
| 江蘇宏微科技股份有限公司 | 江蘇 | 常州 | IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管和模塊 |
| 蘇州華太電子技術股份有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | IGBT、MOSFET、SiC |
| 無錫利普思半導體有限公司 | 江蘇 | 無錫 | 主要產品包括新能源汽車和工業用的高可靠性SiC和IGBT模塊 |
| 無錫新潔能股份有限公司(605111) | 江蘇 | 無錫 | MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件 |
| 華潤微電子有限公司 | 江蘇 | 無錫 | 產品聚焦于功率半導體、智能傳感器與智能控制領域,芯片 |
| 江蘇索力德普半導體科技有限公司 | 江蘇 | 無錫 | Super Junction、IGBT、FRD、SGTMOS、SiC功率器件等芯片產品及技術開發、IGBT模塊設計、封測和應用方案 |
| 揚州揚杰電子科技股份有限公司 | 江蘇 | 揚州 | 產品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護器件、小信號等 |
| 江蘇捷捷微電子股份有限公司 | 江蘇 | 啟東 | 分立半導體器件IDM廠商 |
| 蘇州悉智科技有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | 產品定位車規級功率和電源模塊,市場定位為智能電動汽車和清潔能源(儲能&氫能),主打SIC |
| 長城無錫芯動半導體科技有限公司 | 江蘇 | 無錫 | IGBT和SIC模塊 |
| 江蘇東海半導體科技股份有限公司 | 江蘇 | 無錫 | 溝槽型功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET、超級結功率MOSFET、Trench FS-IGBT、超快恢復二極管 |
| 江蘇麗雋功率半導體有限公司(無錫) | 江蘇 | 無錫 | 產品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高頻器件等 |
| 國電南瑞科技股份有限公司 | 江蘇 | 南京 | IGBT模塊 |
| 蘇州固锝電子股份有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | MOSFET及IGBT等部分產品 |
| 蘇州市核加微電子有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | 車規級IGBT模塊和AC-DC轉換模塊 |
| 南京晟芯半導體有限公司 | 江蘇 | 南京 | IGBT,SIC |
| 江蘇中科君芯科技有限公司 | 江蘇 | 無錫 | IGBT、FRD等新型電力電子芯片 |
| 大生集成電路(江蘇)有限公司 | 江蘇 | 鹽城 | 集成電路分立器件及IGBT功率模塊 |
| 德興市意發功率半導體有限公司(代工) | 江西 | 德興 | 多款IGBT及配套的FRD產品 |
| 淄博美林電子有限公司 | 山東 | 淄博 | 美林電子IGBT芯片模塊發布20230923 |
| 青島佳恩半導體有限公司(芯片) | 山東 | 青島 | IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件 |
| 煙臺臺芯電子科技有限公司 | 山東 | 煙臺 | 34 mm、62 mm、Easy、Econo系列IGBT模塊 |
| 科達半導體有限公司 | 山東 | 東營 | IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導體器件(電力電子器件);產品主要為600V和1200V電壓級IGBT單管及1200V IGBT模塊 |
| 威海新佳電子有限公司 | 山東 | 威海 | IGBT、MOSFET、FRD、可控硅、整流模塊、固態繼電器和智能模塊等產品 |
| 西安衛光科技有限公司 | 陜西 | 西安 | MOSFER、IGBT、雙級型功率晶體管、晶閘管模塊、TVS、二極管和硅堆、硅橋等系列產品 |
| 芯派科技股份有限公司 | 陜西 | 西安 | 產品包含:中大功率場效應管(MOSFET,低壓至高壓全系列產品)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管(含快速恢復二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等 |
| 上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司 | 上海 | 上海 | 車規級IGBT功率模塊,目前主推英飛凌HybridPACK Drive功率模塊 |
| 丹佛斯(上海)投資有限公司 | 上海 | 上海 | IGBT和SiC功率模塊和功率堆棧 |
| 飛锃半導體(上海)有限公司 | 上海 | 上海 | 碳化硅(SIC)功率器件產業化的倡導者之一 |
| 格羅烯科(上海)半導體有限公司 | 上海 | 上海 | 格羅烯科致力于SiC單管和功率模塊的研發、設計、生產和銷售,依托GeneSiC大中華區總代的優勢,在保證了上游晶元長期穩定供應的前提下,發揮創業團隊在SiC領域多年從業經驗以及對市場的*把握,努力打造為國內SiC功率器件領域具有較強競爭力的創新型科技企業。 |
| 致瞻科技(上海)有限公司 | 上海 | 上海 | 碳化硅半導體器件和先進電驅系統的高科技公司 |
| 瑞能微恩半導體(上海)有限公司 | 上海 | 上海 | 碳化硅二極管,功率器件及模塊 |
| 上海功成半導體科技有限公司 | 上海 | 上海 | 要從事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結SJ、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設計和研發。 |
| 上海華虹宏力半導體制造有限公司 | 上海 | 上海 | 1200V非穿通型和輕穿通型IGBT;600V ~ 1200V場截止型IGBT;1700V ~ 6500V場截止型IGBT (開發中) |
| 上海積塔半導體有限公司(芯片代工) | 上海 | 上海 | 電源管理芯片(PMIC)、控制器(Controller)、功率器件(IGBT、SGT、FRD、TVS等)、碳化硅器件(JBS、MOSFET)、微機電系統(MEMS)等 |
| IXYS Semiconductor GmbH | 上海 | IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、離散式二極管 | |
| 上海瀚薪科技有限公司 | 上海 | 上海 | 上海瀚薪科技是一家半導體碳化硅技術與產品研發商,專注于第三代寬禁帶半導體功率器件及功率模塊研發生產,提供碳化硅二極管、寬能隙功率模組、MOS管等產品,服務于充電樁、光伏逆變器、通信電源、高端服務器電源、儲能、工業電源、高鐵、航天工業等領域。 |
| 上海林眾電子科技有限公司 | 上海 | 上海 | 功率模塊,單管,碳化硅等 |
| 上海道之科技有限公司(斯達半導體子公司) | 上海 | 上海 | 功率半導體元器件尤其是可用于新能源汽車、工業控制和新能源等領域的IGBT芯片、FRD芯片、IGBT模塊及功率組件等 |
| 上海陸芯電子科技有限公司 | 上海 | 上海 | 最新一代Trench Field-Stop技術的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中壓SGT MOS等多個系列產品 |
| 上海擎茂微電子科技有限公司(芯片) | 上海 | 上海 | IGBT、FRD、RC-IGBT等新型電力電子芯片 |
| 上海金芯微電子 | 上海 | 上海 | IGBT,MOSFET等功率器件 |
| 上海先導均熠實業發展集團有限公司 | 上海/湖北 | 上海/十堰 | 中高壓IGBT功能開關生產線 |
| 上海獅門半導體有限公司 | 上海/浙江 | 上海/嘉興 | DISCRETE、IPM、PIM等封裝的工業級、車規級功率模塊產品及使用碳化硅及氮化鎵材料的功率模塊 |
| 成都巨子半導體有限公司 | 四川 | 成都 | 第三代半導體碳化硅(SiC)器件及模組 |
| 成都森未科技有限公司 | 四川 | 成都 | 先進IGBT芯片;IGBT模塊提供多種封裝形式,包括62mm、34mm、H類、D類、F類、B類等,可實現與國際主流廠商的PIN TO PIN替換 |
| 晶益通(四川)半導體科技有限公司 | 四川 | 內江 | IGBT模塊材料和封測模組項目 |
| 嘉興斯達半導體股份有限公司 | 浙江 | 嘉興 | 功率半導體元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等 |
| 杭州士蘭微電子股份有限公司 | 浙江 | 杭州 | 集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產,V代IGBT和FRD芯片的電動汽車主電機驅動模塊 |
| 浙江翠展微電子有限公司 | 浙江 | 嘉興 | 汽車主電控IGBT模塊、定制一體化IGBT模塊、SIC模塊,工業IGBT模塊,PIR芯片、TO247單管,汽車底層軟件服務、電機控制方案、軟件開發工具鏈等 |
| 寧波達新半導體有限公司 | 浙江 | 寧波 | IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件 |
| 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 | 浙江 | 紹興 | 截止型(Field Stop)IGBT |
| 吉光半導體(紹興)有限公司(中芯紹興) | 浙江 | 紹興 | IGBT/SiC模塊 |
| 浙江晶能微電子有限公司 | 浙江 | 杭州 | IGBT |
| 杭州泰昕微電子有限公司 | 浙江 | 杭州 | IGBT模塊 |
| 賽晶科技集團有限公司 | 浙江 | 嘉興 | IGBT、FRD以及碳化硅等芯片和模塊等產品 |
| 臻驅科技(上海)有限公司 | 浙江 | 嘉興 | 國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案 |
| 浙江萃錦半導體有限公司 | 浙江 | 寧波 | 600V至1700V范圍的硅基超結Si SJ MOSFET、碳化硅SiC MOSFET等分立器件 |
| 浙江天毅半導體科技有限公司 | 浙江 | 紹興 | 主要產品包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片、金氧半場效晶體管(MOSFET)、變頻一體機、IPM模塊一體機等 |
| 重慶平偉實業股份有限公司 | 重慶 | 重慶 | 產品包括MOS、SBD、SiC、IGBT、BJT、Power IC等功率半導體 |
| 重慶平創半導體研究院有限責任公司 | 重慶 | 重慶 | 功率模塊 |
| 辰致科技有限公司 | 重慶 | 重慶 | 車規級功率模塊 |
| 重慶安達半導體有限公司 | 重慶 | 重慶 | 大功率車規級功率模塊 |
(文章來源:半導體圈子)
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