本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-06-03 16:03:571448 
隨著市場(chǎng)對(duì)混合動(dòng)力/電動(dòng)車(chē)的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對(duì)功率電子元件市場(chǎng)的期望也越來(lái)越高；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IHS 指出，來(lái)自電源供應(yīng)器、太陽(yáng)光電逆變器（PV）以及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等的需求，預(yù)期可在接下來(lái)十年讓新興的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)以每年兩位數(shù)字的成長(zhǎng)率，達(dá)到目前的十八倍。
2013-08-05 09:38:291329 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:534300 
功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的新型寬帶隙（WBG） 類(lèi)型有望取得重大進(jìn)展。讓我們?cè)敿?xì)研究一下這些優(yōu)勢(shì)。
2022-07-29 08:07:58617 
第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-06 15:26:411139 
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:245619 
在PCIM Asia展上，英飛凌展示了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率電子產(chǎn)品組合，其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者現(xiàn)場(chǎng)探館，和大家分享一下現(xiàn)場(chǎng)所見(jiàn)。
2024-09-04 23:07:394696 
眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動(dòng)著對(duì)高性能功率器件的需求不斷增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景日益多樣，這也給電源設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料，如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的采用，因其在效率、功率密度和可靠性方面的顯著優(yōu)勢(shì)，正助推著這一需求。
2025-12-22 15:35:004827 
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
具有7A直流和脈沖電流能力，已為高功率材 料、器件和模塊特性分析和測(cè)試而優(yōu)化，如碳化硅 (SiC)、 氮化鎵(GaN)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET、太陽(yáng)電池 和面板、LED與照明系統(tǒng)、電化學(xué)
2019-05-30 14:42:53
碳化硅 (SiC)、氮化鎵(GaN)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET、太陽(yáng)電池和面板、LED與照明系統(tǒng)、電化學(xué)電池與電池組，等等。這些新的能力加上企業(yè)數(shù)十年開(kāi)發(fā)高精密、高精度源測(cè)量單元（SMU）儀器
2018-11-17 18:45:16
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個(gè)公認(rèn)的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，用于汽車(chē)功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
全球八大LED制造商簡(jiǎn)介
1,CREE著名LED芯片制造商，美國(guó)CREE公司，產(chǎn)品以碳化硅(SiC)，氮化鎵(GaN),硅(Si)及相關(guān)的化合物為基礎(chǔ),
2009-11-13 09:31:283038 安森美半導(dǎo)體作為汽車(chē)功能電子化的領(lǐng)袖之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等進(jìn)行新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，用于汽車(chē)功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2017-09-18 18:42:50
3 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 18:48:001951 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:56:1236743 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專(zhuān)利、成本等問(wèn)題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。
2018-07-19 09:47:206059 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:005391 
新興市場(chǎng)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到近10億美元，推動(dòng)力來(lái)自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:234043 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:094604 
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器和牽引電機(jī)逆變器）。
2019-06-13 11:45:005208 第三代半導(dǎo)體，又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:318930 日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。
2019-09-05 15:57:046946 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:575001 集微網(wǎng)消息，現(xiàn)如今是人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)、5G等高新技術(shù)的發(fā)展浪潮，在汽車(chē)電子、5G基站和智能芯片的推動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料（尤其是碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)）的發(fā)展異常迅猛。
2020-03-01 18:36:105305 
以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來(lái)越受到市場(chǎng)重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購(gòu)協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193244 第三代半導(dǎo)體包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料，可廣泛應(yīng)用于發(fā)光、通訊、電能變換等領(lǐng)域。而近日，華燦光電就獲批浙江省第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，將致力于第三代半導(dǎo)體材料和器件等領(lǐng)域的研究。
2020-04-08 16:24:393978 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時(shí)代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來(lái)5G時(shí)代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147928 
文章來(lái)源：電子技術(shù)設(shè)計(jì) 作者：廖均 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。 據(jù)
2020-10-16 10:47:4717150 
電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
2020-10-17 11:01:069477 第三代半導(dǎo)體主要是指碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。相比于第一、二代半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。它在新能源車(chē)、光伏風(fēng)電、不間斷電源、家電工控等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。
2020-12-10 11:00:562592 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） ? ? 眾所周知，硅元素因其獨(dú)特的穩(wěn)定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的化合物半導(dǎo)體材料走上歷史舞臺(tái)。近年來(lái)，碳化硅（SiC
2021-06-04 18:21:234507 
％。ACS37002系列的高速運(yùn)行能力使客戶(hù)可以選擇更高開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)支持更高效率的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新型開(kāi)關(guān)電源平臺(tái)。
2022-01-01 11:12:004612 
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:542830 
在物理性能方面，AIN比碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有更小的損耗和更高的耐壓，因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”，即導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的能量差，與硅(Si
2022-04-26 11:09:483624 對(duì)更高效電子產(chǎn)品的追求集中在功率器件上，而半導(dǎo)體材料處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在多年前取代鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而，今天，硅正在將其在功率器件中的主導(dǎo)地位讓給兩種效率更高的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。
2022-07-27 09:08:231890 
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿(mǎn)足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:462460 
半導(dǎo)體材料從以鍺（Ge）和硅（Si）為代表的第一代到以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代，再到目前熱門(mén)的以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代，家族在不斷壯大。而在汽車(chē)領(lǐng)域，碳化硅將發(fā)揮怎樣的重要作用？
2022-07-29 10:32:412636 近年來(lái)，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現(xiàn)在是不可否認(rèn)
2022-08-05 14:51:331182 
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅，因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受，專(zhuān)家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 09:28:322540 
隨著直流電流隨著電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)等應(yīng)用中開(kāi)關(guān)頻率的增加而增加，對(duì)直流電源總線的性能要求不僅僅是 IR 降（即電壓降）和熱考慮。由于設(shè)計(jì)需求和以碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 開(kāi)關(guān)為代表的寬帶隙器件 (WBG) 的使用增加，該總線現(xiàn)在必須在數(shù)百千赫茲的更高頻率下具有非常低的電感。
2022-08-08 09:52:04784 
碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計(jì)提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持續(xù)增長(zhǎng)。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN
2022-08-08 09:52:41657 
寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 半導(dǎo)體材料顯示出優(yōu)異的性能，允許功率器件在高壓下工作，尤其是在高溫和開(kāi)關(guān)頻率下。電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。
2022-08-17 14:43:02822 在電力電子應(yīng)用中，為了滿(mǎn)足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門(mén)。
2022-09-06 15:06:561332 
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有類(lèi)似的高寬帶隙能量，從而使它們?cè)陂_(kāi)關(guān)能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導(dǎo)體更具優(yōu)勢(shì)。
2022-09-21 14:40:361035 ? ? ? 針對(duì)要求最嚴(yán)苛的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢(shì)，從而引入改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類(lèi)型，將顯著提高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的性能，尤其是汽車(chē)牽引逆變器
2022-11-16 10:57:401350 
一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個(gè)電子市場(chǎng)上得到更廣泛的采用。
2022-12-13 10:01:3516399 S32K39高性能MCU為實(shí)現(xiàn)牽引逆變器的智能、高精度控制而進(jìn)行了優(yōu)化，可將電動(dòng)汽車(chē)電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，驅(qū)動(dòng)現(xiàn)代化牽引電機(jī)。該系列MCU既支持傳統(tǒng)的絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT），也支持新推出的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)。
2022-12-15 15:31:05966 在這種情況下，第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)等方面的優(yōu)勢(shì)以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點(diǎn)
2023-02-01 14:39:431358 在這種情況下，第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)等方面的優(yōu)勢(shì)以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點(diǎn)
2023-02-03 11:09:461997 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙半導(dǎo)體具有更高的擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:342592 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:151764 隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料在二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和其他元件中的不斷應(yīng)用，電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開(kāi)始。這些新組件仍然比傳統(tǒng)硅組件昂貴得多，但它們的性能指標(biāo)，如開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)關(guān)損耗，很難與之匹配。
2023-02-05 14:41:093573 第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅；第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦；第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表。
2023-02-20 14:10:341008 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子
密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-02-27 14:49:138 NI宣布收購(gòu) SET GmbH(簡(jiǎn)稱(chēng)“SET”)。SET是長(zhǎng)期專(zhuān)注于航空航天和國(guó)防測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的專(zhuān)家，也是功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試領(lǐng)域的創(chuàng)新者。加入NI后，將共同縮短關(guān)鍵的、高度差異化的解決方案的上市時(shí)間，并以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等功率電子材料為切入點(diǎn)，加速?gòu)陌雽?dǎo)體到汽車(chē)的供應(yīng)鏈融合。
2023-03-15 17:42:562174 電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材料起到了極大的作用。
2023-03-24 13:58:281970 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2917606 功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò) 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來(lái)越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:555831 
「碳化硅」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。寬能隙半導(dǎo)體中的「能隙」（EnergyGap），以白話方式說(shuō)明，便是代表著（一個(gè)單位能量的差距），意思就是讓一個(gè)半導(dǎo)體「從絕
2022-11-21 16:07:513284 
具體到三星方面，在今年三月，有報(bào)道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，用于電源管理IC，而且計(jì)劃采用8吋晶圓來(lái)生產(chǎn)這類(lèi)芯片，跳過(guò)多數(shù)功率半導(dǎo)體業(yè)者著手的入門(mén)級(jí)6吋晶圓。
2023-06-29 15:03:091184 根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素半導(dǎo)體為代表。
2023-09-28 12:57:431356 
SiC 和 GaN 被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：
2023-10-09 14:24:367167 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:062239 設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:002332 
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專(zhuān)注于化合物半導(dǎo)體視覺(jué)領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無(wú)損檢測(cè)裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:383463 
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:514542 第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:042219 
2月20日，福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會(huì)召開(kāi)，大會(huì)進(jìn)行了重大項(xiàng)目集中簽約儀式，長(zhǎng)樂(lè)區(qū)簽約落地16個(gè)重大項(xiàng)目，其中之一為天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目。
2024-02-23 10:44:433422 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應(yīng)用領(lǐng)域（如高頻、高功率電子器件）中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域，提供硅難以企及的差異化優(yōu)勢(shì)。
2024-03-18 12:31:28849 
在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代，半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無(wú)疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料，比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)內(nèi)的熱門(mén)話題。
2024-04-07 11:37:111454 
毫無(wú)疑問(wèn)，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 11:18:26886 
的性能提升提供了強(qiáng)大動(dòng)力。而現(xiàn)今，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，作為第三代半導(dǎo)體材料，正因其優(yōu)異的性能而備受矚目，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的發(fā)展尤為成熟。
2024-08-21 10:01:201664 
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)境下的電子器件
2024-09-02 11:19:473434 8月28日至30日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌，在深圳盛大亮相“2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia）”，以“數(shù)字低碳，共創(chuàng)未來(lái)”為核心愿景，全面展示了其在硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）功率電子領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力與創(chuàng)新成果。
2024-09-03 15:02:481022 SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252049 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ唬履茉雌?chē)需要高效、高密度的功率器件來(lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551390 趨勢(shì)一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 隨著飛機(jī)、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對(duì)功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展，技術(shù)趨勢(shì)正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在
2025-01-23 11:13:551864 
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高效電源的需求正在加速增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評(píng)估他們的驗(yàn)證和測(cè)試方法，以應(yīng)對(duì)當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，需要精心的設(shè)計(jì)和測(cè)試以?xún)?yōu)化性能。
2025-08-25 14:53:231334 
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件的廣泛應(yīng)用推動(dòng)開(kāi)關(guān)頻率突破MHz壁壘，電流變化速率達(dá)到kA/μs量級(jí)。高頻電流探頭作為觀測(cè)這些瞬態(tài)過(guò)程的核心工具，其性能直接決定著功率電子設(shè)備的研發(fā)水平和可靠性保障。
2025-08-30 10:24:49708 隨著移動(dòng)出行、工業(yè)制造與能源系統(tǒng)對(duì)高效能、高電壓應(yīng)用需求的迅猛增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體正成為推動(dòng)全球產(chǎn)業(yè)變革的核心引擎。本屆I.S.E.S峰會(huì)匯聚全球行業(yè)領(lǐng)軍者，深度聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、IGBT及功率分立器件的前沿創(chuàng)新，共同解讀中國(guó)在全球功率電子格局中日益關(guān)鍵的角色。
2025-09-12 09:48:08855 近日，廣立微自主研發(fā)的首臺(tái)專(zhuān)為碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件設(shè)計(jì)的晶圓級(jí)老化測(cè)試系統(tǒng)——WLBI B5260M正式出廠。該設(shè)備的成功推出，將為產(chǎn)業(yè)鏈提供了高效、精準(zhǔn)的晶圓級(jí)可靠性篩選解決方案，助推化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成熟與發(fā)展。
2025-09-17 11:51:44747 
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代功率半導(dǎo)體，正在以前所未有的速度，將電力電子技術(shù)推向更高頻率、更高效率、更高功率密度的新紀(jì)元。
2025-11-27 14:23:54877 
隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗(yàn)。傳統(tǒng)的離子防護(hù)理念亟待升級(jí)。本文將探討在此背景下，高性能離子捕捉劑如何從“被動(dòng)防御”轉(zhuǎn)向“主動(dòng)保障”，成為高可靠性設(shè)計(jì)的核心一環(huán)。
2025-12-08 16:36:01531 
關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車(chē)與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17135 
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