在今日舉辦的代工論壇上，三星表示，將從 2025 年起，三星將開始針對消費、數據中心和汽車應用的 8 英寸氮化鎵 (GaN) 功率半導體代工服務。

隨著寬禁帶材料開始在功率電子領域取代硅，氮化鎵在消費市場站穩腳跟，這將在今后幾年里帶來這類材料在功率器件市場的大幅增長，尤其是在中國。

作為一種仍處于高度創新和開發階段的第三代材料（首款商用功率器件問世還只是 10 年前），氮化鎵在功率電子領域的前景極具潛力。Yole Group旗下的Yole Intelligence在其內容全面的市場報告《Power GaN》中預測，截至2027年，氮化鎵功率半導體器件市場規模將從2021年的1.26億美元增至 20 億美元。Yole Intelligence 的分析師預計該市場將出現59%的強勁年均復合增長率，而且氮化鎵在汽車和電信/數據通信等應用領域的滲透不僅將帶來獨特的合作伙伴關系，還可望產生大量并購和重磅投資。

具體到三星方面，在今年三月，有報道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準備開始生產碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導體，用于電源管理IC，而且計劃采用8吋晶圓來生產這類芯片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6吋晶圓。

韓媒The Elect報導，消息人士說，上述的支出金額顯示三星可能已經生產這類第三代半導體的原型。

碳化硅與氮化鎵比硅更耐用、能源效率更高，因此被用于最新電源管理IC。碳化硅因為其耐用度，獲得汽車產業愛用；氮化鎵則因切換速度快，獲得更多無線通訊應用。

三星今年稍早成立功率半導體任務團隊，做為生產碳化硅與氮化鎵芯片的第一步。除了三星的芯片事業員工外，來自LED團隊和三星先進技術研究院（SAIT）的員工也參與了該任務團隊。LED事業人員也參與的原因是，制造LED的晶圓已使用氮化鎵與其他氮化物材料。

三星計劃用8吋晶圓生產碳化硅與氮化鎵芯片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6吋晶圓。

MicroLED也是用8吋晶圓來制造。三星先進技術研究院已經擁有氮化鎵相關技術。

三星采用8吋來切入功率半導體生產是值得注意的，因為多數碳化硅芯片是利用4吋晶圓和6吋晶圓制造，至于在氮化鎵方面，8吋晶圓日益變得主流。

三星發言人表示，他們與碳化硅芯片相關的業務仍在「研議階段」，尚未正式決定。

與此同時，為了確保6G最前沿的技術，5納米射頻（RF）也在開發中，并將于2025年上半年上市。三星的5納米射頻工藝顯示功率效率提高了40％，降低了50％與之前的14nm工藝相比，面積有所減少。

此外，該公司還將在其 8nm 和 14nm RF 中添加汽車應用，從而擴展到目前量產的移動應用之外。

行業巨頭，涌進氮化鎵代工

其實在此之前，臺積電、聯電、世界先進等各大代工廠都已經加入這場競爭激烈的第三代半導體戰役中。

作為全球晶圓代工的龍頭，臺積電在第三代半導體領域已布局久矣，2014年在6英寸晶圓廠制造GaN組件；2015年生產用于低壓和高壓應用的GaN組件；2017年開始量產GaN-on-Si組件；去年年底有傳聞稱臺積電已具備8英寸量產能力，不過未得證實。

在臺積電看來，第三代半導體的競爭優勢就在于功率與射頻應用，因此相較于碳化硅，臺積電更看好氮化鎵的快充、輕薄、效率高的特性，更專注于氮化鎵的材料與技術開發，并鎖定快充、數據中心、太陽能電力轉換器、48V 直流電源轉換器、電動車車載充電器與轉換器等5大領域，搶攻商機。

作為晶圓代工二哥的聯電先前的第三代半導體布局，主要通過轉投資聯穎切入。

據悉，聯穎是聯電投資事業群的一員，成立于 2010 年，主要提供 6 英寸砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 制程的二極管、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通信、微波無線大型基地站、無線微型基地臺、國防航天、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測組件等。

在發展路線方面，聯電以提供功率、射頻組件方案為主，初期以氮化鎵技術先行，待其技術發展成熟后，下一步才會朝碳化硅開始布局。

對于第三代半導體，世界先進董事長方略是這么看的，“即使再過5年，第三代半導體產值也未必超過（半導體整體市值的）1％，但是新材料（碳化硅、氮化鎵）衍生的商機，將突破硅材料無法做到的領域，將是值得探索的嶄新世界。”

正是看到了第三代半導體所衍生出來的巨大商機，世界先進在2018年就宣布朝量產氮化鎵芯片的目標努力。

前年11月的法說會上，方略指出，基于GaN on QST制程的產品已經有客戶進行原型設計與送交制造，目前已經出貨的兩批產品線都通過可靠性測試，預計2021年底前會完成所有的程序設計，順利的話2022年上半年會看到有實際產品面世。

在技術方面，世界先進建立完整的氮化鎵加工技術，除了前后段制程都自行完成，同時也會建立自己的晶圓薄化技術。