2月20日，福州市可持續發展暨企業家大會召開，大會進行了重大項目集中簽約儀式，長樂區簽約落地16個重大項目，其中之一為天睿半導體項目。

據悉，天睿半導體項目將新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠，并通過產業并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關設備生產等全產業鏈。項目落地后將為福州帶來先進的SiC、GaN等領域生產研發經驗，打造千億級第三代半導體產業集群。

福建天睿半導體有限公司成立于2023年2月14日，由福州新投天睿投資有限公司與福州昊盛天睿投資有限公司共同出資成立。

此外，今年1月，福州還引入2個GaN項目，投資總金額超10億元。

·芯睿半導體GaN晶圓廠項目：由福建芯睿半導體有限公司建設，具體項目細節未公布。

·福州鎵谷GaN外延片項目：由福州鎵谷半導體有限公司建設，主營第三代半導體的研發與生產，預計投入10億元，達產后年產能24萬片。

近年來，以碳化硅和氮化鎵為代表第三代半導體材料，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，是支撐新能源汽車、光伏儲能、高速軌交、智慧電網、新一代移動通信等產業持續發展的重點核心材料。

各地政府陸續出臺政策支持第三代半導體發展，鼓勵企業深入布局。在福州已簽約的第三代半導體相關項目基礎上，此次天睿半導體項目簽約落地，有助于福州進一步完善第三代半導體產業鏈。

來源：福州新聞網、集邦化合物半導體

審核編輯：劉清