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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>新品|國內首款兼容光耦帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅動器SLMi33x

新品|國內首款兼容光耦帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅動器SLMi33x

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2024-05-20 11:26:360

Power Integrations推出具有快速短路保護功能的適配62mm SiCIGBT模塊的門極驅動器

的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強的保護功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能,保護
2023-12-14 11:37:101162

隔離式柵極驅動器的演變(IGBT/SiC/GaN)

報告內容包含: 效率和功率密度推動變革 基本的 MOSFET 柵極驅動器功能 驅動器演進以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅動器進化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57995

具有UVLO的5A、5A光兼容單通道功能隔離式柵極驅動器UCC23113數據表

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2024-03-22 09:59:350

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:301651

Littelfuse發布IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器

近日,Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器,這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464

在電機驅動器的UCC23513光兼容隔離式柵極驅動器中實現分立式 DESAT

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2024-08-30 10:12:481

使用隔離IGBTSiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南

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2024-09-11 14:21:390

意法半導體STGAP3S系列電隔離柵極驅動器概述

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。
2025-01-09 14:48:331279

川土微電子發布CA-IS3212單通道隔離式柵極驅動器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅動器新品發布,該系列產品為驅動SiC、IGBT和GaN功率管而優化設計。
2025-01-10 18:08:421604

UCC57102Z 具有DESAT和故障靜音功能的低側驅動器數據手冊

UCC57102Z 是一單通道、高性能低側 IGBT/SiC 柵極驅動器,適用于高功率汽車應用,如 PTC 加熱、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統。它提供保護功能,包括欠壓鎖定 (UVLO
2025-05-15 11:18:331390

UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5881-Q1 器件是一隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 11:32:02821

UCC57102 低側3A/3A驅動器,具有去飽和保護DESAT)和 12V 欠壓鎖定數據手冊

UCC5710x 是一單通道、高性能低側 IGBT/SiC 柵極驅動器,適用于 PTC 加熱、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統等高功率汽車應用。它提供保護功能,包括欠壓鎖定 (UVLO
2025-05-15 13:55:402114

UCC57108 低側 3A/3A 驅動器,具有去飽和保護DESAT)和 8V 欠壓鎖定數據手冊

UCC5710x 是一單通道、高性能低側 IGBT/SiC 柵極驅動器,適用于 PTC 加熱、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統等高功率汽車應用。它提供保護功能,包括欠壓鎖定 (UVLO
2025-05-15 15:15:511473

UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5880-Q1 器件是一隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 16:48:57870

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC21738-Q1 是一電流隔離式單通道柵極驅動器,專為工作電壓高達 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。該器件具有高達
2025-05-16 10:12:06617

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628

UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器數據手冊

UCC5871-Q1 器件是一隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 14:02:45594

UCC23513-Q1 汽車級 5.7kVrms,4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC23513-Q1 驅動器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21719

UCC21710 5.7kVrms ±10A,單通道隔離式柵極驅動器, OC 檢測,用于 IGBT/SiC 的內部箝位數據手冊

UCC21710 是一隔離式單通道柵極驅動器,旨在驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21710具有高達 ±10A
2025-05-16 17:26:07845

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5870-Q1 器件是一隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 17:32:51728

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅動器,具有 2 級關斷功能,用于 IGBT/SiC FET數據手冊

UCC21732 是一電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09807

UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊

UCC23511 是一適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅動器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~RMS~增強
2025-05-17 11:44:581039

UCC23513 5.7kVrms,4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊

適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級。33V 的高
2025-05-24 14:43:00793

高性能隔離型門極驅動器 BTD5350x:開啟高效功率控制新維度

隔離型門極驅動器,以卓越的電氣性能、多元的功能配置及廣泛的行業適用性,成為驅動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想選擇。本文將深入解析其技術特性與應用價值。 一、產品概述:高集成度與高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是專為高壓隔離場景設計的
2025-06-10 09:00:57628

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器是一兼容光的單通道隔離式柵極驅動器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅動器是一高度可配置的隔離式柵極驅動器,具有可調壓擺率,用于在電動汽車和混合動力汽車(EV/HEV)應用中驅動高功率
2025-08-04 14:10:121812

德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741

UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅動器是一電流隔離式柵極驅動器,設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774

UCC23511-Q1 隔離式柵極驅動器技術文檔總結

UCC23511-Q1 是一兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET,具有 1.5A 源電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~有效值
2025-10-14 14:44:27493

?UCC23313 光兼容型單通道隔離柵極驅動器技術文檔總結

該UCC23313是一兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級。33
2025-10-15 15:22:57495

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

的6ED2231S12T,一具備集成自舉二極管和過流保護(OCP)功能的1200V三相柵極驅動器。 文件下載: 6ED2231S12T.pdf 產品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
2025-12-20 14:25:02658

探索GD3162:先進IGBT/SiC柵極驅動器的卓越性能

先進的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅動器,主要用于xEV牽引逆變器中的SiCIGBT模塊驅動。它通過先進的柵極驅動功能,在節省空
2025-12-24 14:25:02223

納芯微推出全新保護功能的智能隔離單管驅動NSi66x1A

終端客戶可免費申請樣品,我司有工程師提供1對1選型服務!納芯微推出全新保護功能的智能隔離單管驅動NSi66x1ANSi6611A/NSi6651A是單通道智能隔離式柵極驅動器,設計用于2121V
2022-10-27 10:35:38

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