深入解析 ON Semiconductor 的 FQD2N90/FQU2N90 N 溝道 QFET MOSFET

引言

在電子設計領域，功率 MOSFET 是至關重要的元件，廣泛應用于各種電源電路和電子設備中。ON Semiconductor（現 onsemi）推出的 FQD2N90/FQU2N90 N 溝道 QFET MOSFET，憑借其出色的性能和特性，成為眾多工程師的首選。本文將對這款 MOSFET 進行詳細解析，幫助工程師更好地了解和應用它。

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產品概述

FQD2N90/FQU2N90 是 N 溝道增強模式功率 MOSFET，采用 ON Semiconductor 專有的平面條紋和 DMOS 技術制造。這種先進的 MOSFET 技術經過特別設計，旨在降低導通電阻，提供卓越的開關性能和高雪崩能量強度，適用于開關模式電源、有源功率因數校正（PFC）和電子燈鎮流器等應用。

產品特性

電氣性能

• 高耐壓與大電流：具備 900V 的漏源電壓（V_DSS）和 1.7A 的連續漏極電流（I_D）（T_C = 25°C），能夠滿足高電壓和大電流的應用需求。
• 低導通電阻：在 V_GS = 10V、I_D = 0.85A 時，R_DS(on) 最大為 7.2Ω，典型值為 5.6Ω，有助于降低功率損耗，提高效率。
• 低柵極電荷：典型柵極電荷為 12nC，能夠實現快速開關，減少開關損耗。
• 低反向傳輸電容：典型 Crss 為 5.5pF，有助于降低開關過程中的干擾和振蕩。
• 100% 雪崩測試：經過 100% 雪崩測試，保證了產品在雪崩情況下的可靠性和穩定性。
• 符合 RoHS 標準：產品符合 RoHS 標準，環保無污染。

熱特性

• 低熱阻：結到外殼的熱阻（R_θJC）最大為 2.5°C/W，結到環境的熱阻（R_θJA）在不同散熱條件下有不同的值，如最小 2oz 銅焊盤時最大為 110°C/W，1in2 2oz 銅焊盤時最大為 50°C/W，良好的熱特性有助于保證產品在高溫環境下的正常工作。

絕對最大額定值

這些絕對最大額定值為工程師在設計電路時提供了重要的參考，確保產品在安全的范圍內工作。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線直觀地展示了產品在不同條件下的性能表現，工程師可以根據這些曲線進行電路設計和參數優化。

測試電路與波形

文檔還給出了多種測試電路和波形，如柵極電荷測試電路、電阻性開關測試電路、非鉗位電感開關測試電路和峰值二極管恢復 dv/dt 測試電路等。這些測試電路和波形有助于工程師理解產品的工作原理和性能，同時也為產品的測試和驗證提供了參考。

機械尺寸

文檔提供了 FQD2N90/FQU2N90 的機械尺寸圖，包括 D - PAK 和 I - PAK 封裝的詳細尺寸信息。這些尺寸信息對于 PCB 設計和產品布局非常重要，工程師可以根據這些尺寸進行合理的設計，確保產品的安裝和使用。

應用建議

在使用 FQD2N90/FQU2N90 時，工程師需要注意以下幾點：

• 散熱設計：由于產品在工作過程中會產生熱量，良好的散熱設計至關重要。可以根據熱特性參數選擇合適的散熱方式，如散熱片、風扇等，以保證產品在正常溫度范圍內工作。
• 驅動電路設計：合理的驅動電路設計可以確保 MOSFET 快速、穩定地開關。需要根據產品的柵極電荷和開關特性設計合適的驅動電路，減少開關損耗和干擾。
• 保護電路設計：為了防止產品在異常情況下損壞，需要設計合適的保護電路，如過流保護、過壓保護等。

總結

FQD2N90/FQU2N90 N 溝道 QFET MOSFET 是一款性能出色的功率 MOSFET，具有高耐壓、大電流、低導通電阻、低柵極電荷等優點，適用于多種電源電路和電子設備。通過深入了解產品的特性、絕對最大額定值、典型特性曲線、測試電路和機械尺寸等信息，工程師可以更好地應用這款產品，設計出高性能、高可靠性的電路。在實際應用中，工程師還需要根據具體的應用需求進行合理的設計和優化，確保產品的性能和可靠性。你在使用這款 MOSFET 時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。