探索 onsemi FQU2N100 和 FQD2N100 N 溝道 MOSFET 的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源和電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FQU2N100 和 FQD2N100 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，了解它們的特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。

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產(chǎn)品概述

FQU2N100 和 FQD2N100 采用 onsemi 專有的平面條紋和 DMOS 技術(shù)制造。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。

關(guān)鍵特性

電氣性能

• 高耐壓與大電流：具備 1000 V 的漏源電壓（$V{DSS}$）和 1.6 A 的連續(xù)漏極電流（$I{D}$），能滿足高電壓、大電流的應(yīng)用需求。
• 低導(dǎo)通電阻：在 $V{GS}=10 V$、$I{D}=0.8 A$ 時(shí)，$R_{DS(on)}$ 最大為 9 Ω，有效降低導(dǎo)通損耗。
• 低柵極電荷：典型值為 12 nC，有助于減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
• 低反饋電容：$C_{rss}$ 典型值為 5 pF，降低了米勒效應(yīng)的影響，提升了開關(guān)性能。

可靠性

• 雪崩測(cè)試：經(jīng)過 100% 雪崩測(cè)試，確保在雪崩情況下的可靠性和穩(wěn)定性。
• 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：這些器件符合無鉛、無鹵和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$B{VDS}$ 在 $I{D}=250 mu A$、$V_{GS}=0 V$ 時(shí)為 1000 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：$frac{Delta B{VDS}}{Delta T{J}}$ 典型值為 0.976 V/°C。
• 零柵壓漏極電流：$I{DSS}$ 在 $V{DS}=1000 V$、$V{GS}=0 V$ 時(shí)最大為 10 μA；在 $V{DS}=800 V$、$T_{C}=125^{circ}C$ 時(shí)最大為 100 μA。
• 柵體泄漏電流：正向 $I{GSSF}$ 和反向 $I{GSSR}$ 在 $V{GS}=pm30 V$、$V{DS}=0 V$ 時(shí)最大為 ±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V{GS(th)}$ 在 $V{DS}=V{GS}$、$I{D}=250 mu A$ 時(shí)為 3.0 - 5.0 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：$R{DS(on)}$ 在 $V{GS}=10 V$、$I_{D}=0.8 A$ 時(shí)典型值為 7.1 Ω，最大值為 9 Ω。
• 正向跨導(dǎo)：$g{fs}$ 在 $V{DS}=50 V$、$I_{D}=0.8 A$ 時(shí)典型值為 1.9 S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：$C{iss}$ 在 $V{DS}=25 V$、$V_{GS}=0 V$、$f = 1.0 MHz$ 時(shí)典型值為 400 pF，最大值為 520 pF。
• 輸出電容：$C_{oss}$ 典型值為 40 pF，最大值為 52 pF。
• 反向傳輸電容：$C_{rss}$ 典型值為 5 pF，最大值為 6.5 pF。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：$t{d(on)}$ 在 $V{DD}=500 V$、$I{D}=2.0 A$、$R{G}=25 Omega$ 時(shí)為 13 - 35 ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間：典型值為 30 - 70 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：$t_{d(off)}$ 為 25 - 60 ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間：$t_{f}$ 為 35 - 80 ns。
• 總柵極電荷：$Q{g}$ 在 $V{DS}=800 V$、$I{D}=2.0 A$、$V{GS}=10 V$ 時(shí)為 12 - 15.5 nC。
• 柵源電荷：$Q_{gs}$ 為 2.5 nC。
• 柵漏電荷：$Q_{gd}$ 為 6.5 nC。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流：$I_{S}$ 為 1.5 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：$I_{SM}$ 為 6.0 A。
• 漏源二極管正向電壓：$V{SD}$ 在 $V{GS}=0 V$、$I_{S}=1.6 A$ 時(shí)典型值為 1.4 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：$t{rr}$ 在 $V{GS}=0 V$、$I{S}=2.0 A$、$di{F}/dt = 100 A/mu s$ 時(shí)為 520 ns。
• 反向恢復(fù)電荷：$Q_{rr}$ 為 2.3 μC。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更好地理解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購(gòu)信息

• 封裝：采用 DPAK3 封裝，有 CASE 369AR 和 CASE 369AS 兩種類型。
• 訂購(gòu)信息：FQD2N100TM 采用 DPAK3（無鉛）封裝，以 2500 個(gè)/卷帶和卷軸的形式發(fā)貨。

總結(jié)

onsemi 的 FQU2N100 和 FQD2N100 N 溝道 MOSFET 憑借其卓越的電氣性能、高可靠性和環(huán)保特性，為開關(guān)模式電源、PFC 和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用提供了理想的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過程中，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，參考器件的各項(xiàng)參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用這些器件，以實(shí)現(xiàn)最佳的性能和可靠性。你在使用類似 MOSFET 器件時(shí)，遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。