Onsemi N溝道MOSFET FQU2N100和FQD2N100的特性與應(yīng)用

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電源和電路設(shè)計(jì)中。今天我們來(lái)詳細(xì)探討Onsemi公司的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET——FQU2N100和FQD2N100。

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產(chǎn)品概述

FQU2N100和FQD2N100采用了Onsemi專有的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，旨在降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。該器件適用于開(kāi)關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

電氣性能

• 額定參數(shù)：這款MOSFET的漏源電壓（$V_{DSS}$）可達(dá)1000V，連續(xù)漏極電流（$I_D$）在$T_C = 25^{circ}C$ 時(shí)為1.6A，在$TC = 100^{circ}C$ 時(shí)為1.0A，脈沖漏極電流（$I{DM}$）為6.4A。
• 導(dǎo)通電阻：在$V_{GS}=10V$、$ID = 0.8A$的條件下，導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$最大為9Ω。
• 低柵極電荷：典型柵極電荷為12nC，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
• 低Crss：典型值為5pF，可減少米勒效應(yīng)，提高開(kāi)關(guān)速度。
• 雪崩測(cè)試：經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，保證了器件在雪崩情況下的可靠性。
• 環(huán)保特性：這些器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵化物的，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

熱特性

• 熱阻：結(jié)到外殼的熱阻（$R{BC}$）最大為2.5°C/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻（$R{UA}$）在2oz銅最小焊盤時(shí)最大為110°C/W，在1in2的2oz銅焊盤時(shí)最大為50°C/W。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：在$ID = 250mu A$、$V{GS}=0V$的條件下，$B_{V_DSS}$為1000V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：在$I_D = 250mu A$、參考溫度為$25^{circ}C$時(shí)，典型值為0.976V/°C。
• 零柵壓漏極電流：在$V{DS}=1000V$、$V{GS}=0V$時(shí)，最大值為10μA；在$V_{DS}=800V$、$T_C = 125^{circ}C$時(shí)，最大值為100μA。
• 柵體泄漏電流：正向（$V{GS}=30V$、$V{DS}=0V$）和反向（$V{GS}=-30V$、$V{DS}=0V$）的最大值均為100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：在$V{DS}=V{GS}$、$I_D = 250mu A$的條件下，范圍為3.0 - 5.0V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在$V_{GS}=10V$、$I_D = 0.8A$時(shí)，典型值為7.1Ω，最大值為9Ω。
• 正向跨導(dǎo)：在$V_{DS}=50V$、$I_D = 0.8A$時(shí)，典型值為1.9S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：在$V{DS}=25V$、$V{GS}=0V$、$f = 1.0MHz$的條件下，典型值為400pF，最大值為520pF。
• 輸出電容：典型值為40pF，最大值為52pF。
• 反向傳輸電容：典型值為5pF，最大值為6.5pF。

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：在$V_{DD}=500V$、$ID = 2.0A$、$R{G}=25Omega$的條件下，典型值為13ns，最大值為35ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間：典型值為30ns，最大值為70ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：典型值為25ns，最大值為60ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間：典型值為35ns，最大值為80ns。
• 總柵極電荷：在$V_{DS}=800V$、$ID = 2.0A$、$V{GS}=10V$的條件下，典型值為12nC，最大值為15.5nC。
• 柵源電荷：典型值為2.5nC。
• 柵漏電荷：典型值為6.5nC。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流：為1.5A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：為6.0A。
• 漏源二極管正向電壓：在$V_{GS}=0V$、$I_S = 1.6A$時(shí)，典型值為1.4V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：在$V_{GS}=0V$、$I_S = 2.0A$、$dI_F/dt = 100A/mu s$的條件下，為520ns。
• 反向恢復(fù)電荷：為2.3μC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師在實(shí)際應(yīng)用中更好地理解和使用該器件。

封裝與標(biāo)識(shí)

FQU2N100和FQD2N100采用DPAK3封裝，有CASE 369AR和CASE 369AS兩種封裝形式。標(biāo)識(shí)中包含了器件代碼、Onsemi標(biāo)志、組裝位置、日期代碼和批次追溯代碼等信息。

訂購(gòu)信息

FQD2N100TM采用DPAK3（無(wú)鉛）封裝，以2500個(gè)/卷帶和卷軸的形式發(fā)貨。需要注意的是，該器件已停產(chǎn)。

總結(jié)

Onsemi的FQU2N100和FQD2N100 MOSFET具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種電源和電路設(shè)計(jì)。然而，由于該器件已停產(chǎn)，工程師在選擇時(shí)需要考慮替代方案。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師應(yīng)根據(jù)具體的電路需求和工作條件，仔細(xì)參考器件的電氣特性和典型特性曲線，以確保器件的正常工作和系統(tǒng)的可靠性。你在使用MOSFET時(shí)遇到過(guò)哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。