Onsemi FQP4N90C與FQPF4N90C MOSFET深度解析
在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著電路的效率和穩定性。今天我們就來深入了解一下Onsemi公司的FQP4N90C和FQPF4N90C這兩款N溝道增強型功率MOSFET。
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產品概述
FQP4N90C和FQPF4N90C采用了Onsemi專有的平面條紋和DMOS技術。這種先進的MOSFET技術經過特別優化,有效降低了導通電阻,具備出色的開關性能和高雪崩能量強度。它們適用于開關模式電源、有源功率因數校正(PFC)以及電子燈鎮流器等應用場景。
關鍵參數與特性
基本參數
- 電壓與電流:這兩款器件的漏源電壓(VDSS)均為900V,連續漏極電流(ID)在25°C時為4A,100°C時為2.3A,脈沖漏極電流(IDM)可達16A。
- 導通電阻:在VGS = 10V、ID = 2.0A的條件下,RDS(on)最大為4.2Ω。
- 門極電荷:典型值為17nC,較低的門極電荷有助于降低開關損耗。
- 反向傳輸電容:典型值為5.6pF,低Crss有利于提高開關速度。
絕對最大額定值
| 參數 | FQP4N90C | FQPF4N90C | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDSS(漏源電壓) | 900 | 900 | V |
| ID(連續漏極電流,25°C) | 4 | 4* | A |
| ID(連續漏極電流,100°C) | 2.3 | 2.3* | A |
| IDM(脈沖漏極電流) | 16 | 16* | A |
| VGSS(柵源電壓) | ±30 | ±30 | V |
| EAS(單脈沖雪崩能量) | 570 | 570 | mJ |
| IAR(雪崩電流) | 4 | 4 | A |
| EAR(重復雪崩能量) | 14 | 14 | mJ |
| dv/dt(峰值二極管恢復dv/dt) | 4.5 | 4.5 | V/ns |
| PD(功率耗散,25°C) | 140 | 47 | W |
| PD(25°C以上降額) | 1.12 | 0.38 | W/°C |
| TJ, TSTG(工作和存儲溫度范圍) | -55 to +150 | -55 to +150 | °C |
| TL(焊接時最大引腳溫度) | 300 | 300 | °C |
熱特性
| 參數 | FQP4N90C | FQPF4N90C | 單位 |
|---|---|---|---|
| RJC(結到殼熱阻,最大) | 0.89 | 2.66 | °C/W |
| RCS(殼到散熱器熱阻,最大) | 0.5 | 0.5 | °C/W |
| RJA(結到環境熱阻,最大) | 62.5 | 62.5 | °C/W |
電氣特性
關斷特性
- BVDSS(漏源擊穿電壓):VGS = 0V,ID = 250μA時,最小值為900V。
- IDSS(零柵壓漏極電流):VDS = 900V,VGS = 0V時,最大值為10μA;VDS = 720V,TC = 125°C時,最大值為100μA。
- IGSSF(正向柵體泄漏電流):VGS = 30V,VDS = 0V時,最大值為100nA。
- IGSSR(反向柵體泄漏電流):VGS = -30V,VDS = 0V時,最小值為 -100nA。
導通特性
- |VGS(th)|(柵閾值電壓):VDS = VGS,ID = 250μA時,最小值為3.0V。
- 靜態漏源導通電阻:VGS = 10V,ID = 2A時,典型值為3.5Ω,最大值為4.2Ω。
動態特性
- Ciss(輸入電容):VDS = 25V,VGS = 0V,f = 1MHz時,典型值為740pF,最大值為960pF。
- Coss(輸出電容):典型值為65pF,最大值為85pF。
- Crss(反向傳輸電容):典型值為5.6pF,最大值為7.3pF。
開關特性
- td(on)(開啟延遲時間):VDD = 450V,ID = 4A,RG = 25Ω時,典型值為25ns,最大值為60ns。
- tr(開啟上升時間):典型值為50ns,最大值為110ns。
- td(off)(關斷延遲時間):典型值為40ns,最大值為90ns。
- tf(關斷下降時間):典型值為35ns,最大值為80ns。
- Qg(總柵電荷):VDS = 720V,ID = 4A,VGS = 10V時,典型值為17nC,最大值為22nC。
- Qgs(柵源電荷):典型值為4.5nC。
- Qgd(柵漏電荷):典型值為7.5nC。
漏源二極管特性
- IS(最大連續漏源二極管正向電流):最大值為4A。
- ISM(最大脈沖漏源二極管正向電流):最大值為16A。
- VSD(漏源二極管正向電壓):VGS = 0V,ISD = 4A時,最大值為1.4V。
- trr(反向恢復時間):VGS = 0V,ISD = 4A,dIF/dt = 100A/μs時,典型值為450ns。
- Qrr(反向恢復電荷):典型值為3.5μC。
封裝與訂購信息
封裝形式
這兩款器件提供TO - 220 Fullpack、TO - 220 - 3LD 3 - Lead / TO - 220F - 3SG等封裝形式。
訂購信息
| 產品型號 | 封裝 | 包裝數量 | 狀態 |
|---|---|---|---|
| FQPF4N90C | TO - 220F | 1000 Units / Tube | 正常 |
| FQP4N90C | TO - 220 | 1000 Units / Tube | 已停產 |
典型特性曲線
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流與殼溫的關系以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線對于工程師在實際設計中評估器件性能、優化電路參數具有重要的參考價值。
機械尺寸
文檔詳細給出了TO - 220 Fullpack、TO - 220 - 3LD等封裝的機械尺寸及公差要求,為PCB設計和器件安裝提供了精確的指導。
總結與思考
Onsemi的FQP4N90C和FQPF4N90C MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應用場景,在電子設計中具有重要的地位。不過,在使用時需要注意FQP4N90C已停產,在選擇器件時要充分考慮其可用性。同時,工程師在設計過程中應根據實際應用需求,結合器件的各項參數和特性曲線,進行合理的電路設計和參數優化,以確保電路的穩定性和可靠性。大家在實際應用中是否遇到過類似MOSFET的選型和設計問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗和見解。
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