深入解析 onsemi FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道 MOSFET

在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵的功率開關器件，其性能和特性對電路的穩定性和效率起著至關重要的作用。今天，我們就來詳細解析 onsemi 公司推出的 FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道增強型功率 MOSFET。

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產品概述

FQD2N60C/FQU2N60C 采用 onsemi 專有的平面條紋和 DMOS 技術制造。這種先進的 MOSFET 技術經過特別優化，旨在降低導通電阻，提供卓越的開關性能和高雪崩能量強度。該器件適用于開關模式電源、有源功率因數校正（PFC）和電子燈鎮流器等應用。

產品特性

電氣性能優越

• 高耐壓與大電流：具備 600V 的漏源電壓（V_DSS）和 1.9A 的連續漏極電流（I_D），能夠滿足大多數中高壓應用的需求。在 V_GS = 10V，I_D = 0.95A 的條件下，導通電阻 R_DS(on) 最大僅為 4.7Ω，有效降低了導通損耗。
• 低柵極電荷：典型柵極電荷僅為 8.5nC，這意味著在開關過程中所需的驅動能量較小，能夠實現快速的開關動作，提高電路的開關效率。
• 低反饋電容：反向傳輸電容 C_rss 典型值為 4.3pF，有助于減少開關過程中的電壓尖峰和振蕩，提高電路的穩定性。

可靠性高

• 雪崩測試：經過 100% 雪崩測試，能夠承受一定的雪崩能量，增強了器件在惡劣工作條件下的可靠性。
• 環保合規：這些器件為無鹵產品，并且符合 RoHS 標準，滿足環保要求。

關鍵參數

最大額定值

熱特性

• 結到殼熱阻：R_JC 最大為 2.87°C/W，能夠快速將熱量從芯片傳導到外殼，降低芯片溫度。
• 結到環境熱阻：在最小 2oz 銅焊盤條件下，R_JA 最大為 110°C/W；在 1in2 的 2oz 銅焊盤條件下，R_JA 最大為 50°C/W。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：B_VDSS 在 I_D = 250μA，V_GS = 0V 時為 600V，擊穿電壓溫度系數為 -0.6V/°C。
• 零柵壓漏極電流：I_DSS 在 V_DS = 600V，V_GS = 0V 時為 1μA；在 V_DS = 480V，T_C = 125°C 時為 10μA。
• 柵體泄漏電流：正向柵體泄漏電流 I_GSSF 在 V_GS = 30V，V_DS = 0V 時最大為 100nA；反向柵體泄漏電流 I_GSSR 在 V_GS = -30V，V_DS = 0V 時最大為 -100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓：V_GS(th) 在 V_DS = V_GS，I_D = 250μA 時為 2.0 - 4.0V。
• 靜態漏源導通電阻：R_DS(on) 在 V_GS = 10V，I_D = 0.95A 時為 3.6 - 4.7Ω。
• 正向跨導：g_FS 在 V_DS = 40V，I_D = 0.95A 時為 5.0S。

動態特性

• 輸入電容：C_iss 在 V_DS = 25V，V_GS = 0V，f = 1.0MHz 時為 180 - 235pF。
• 輸出電容：C_oss 為 20 - 25pF。
• 反向傳輸電容：C_rss 為 4.3 - 5.6pF。

開關特性

• 導通延遲時間：t_d(on) 在 V_DD = 300V，I_D = 2A，R_G = 25Ω 時為 9 - 28ns。
• 導通上升時間：t_r 為 25 - 60ns。
• 關斷延遲時間：t_d(off) 為 24 - 58ns。
• 關斷下降時間：t_f 為 28 - 66ns。
• 總柵極電荷：Q_g 在 V_DS = 480V，I_D = 2A，V_GS = 10V 時為 8.5 - 12nC。
• 柵源電荷：Q_gs 為 1.3nC。
• 柵漏電荷：Q_gd 為 4.1nC。

漏源二極管特性

• 最大連續漏源二極管正向電流：I_S 為 1.9A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：I_SM 為 7.6A。
• 漏源二極管正向電壓：V_SD 在 V_GS = 0V，I_S = 1.6A 時為 1.4V。
• 反向恢復時間：t_rr 在 V_GS = 0V，I_S = 2A，dI_F/dt = 100A/μs 時為 230ns。
• 反向恢復電荷：Q_rr 為 1.0μC。

封裝與訂購信息

封裝形式

該器件提供兩種封裝形式：DPAK3 (IPAK) CASE 369AR 和 DPAK3 (TO - 252 3 LD) CASE 369AS。

訂購信息

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據，可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現。

總結

onsemi 的 FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道 MOSFET 憑借其優越的電氣性能、高可靠性和良好的熱特性，在開關模式電源、有源功率因數校正和電子燈鎮流器等應用中具有很大的優勢。工程師在設計相關電路時，可以根據具體的應用需求，參考器件的各項參數和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實現電路的高效穩定運行。

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