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美浦森推出新一代低損耗IGBT產品及配套的FRD

CHANBAEK ? 來源:美浦森半導體 ? 2026-03-26 17:15 ? 次閱讀
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近年來,光伏儲能,電能質量以及充電模塊和 UPS 技術呈現出迅猛發展的態勢。由 IGBT和FRD組成的不同形式的三電平電路憑借其高效率、低諧波損耗及優異的電壓適應能力,在電能質量,光伏儲能以及充電模塊和 UPS 行業得到了廣泛應用,成為了提升設備性能與可靠性的關鍵電路架構之一。

NPC1 三電平電路的其中一個橋臂(如下圖所示),有四個IGBT和兩個鉗位FRD組成??梢宰?50V/750V IGBT工作在800VDC母線電壓和380VAC輸出電壓中,讓1200V的IGBT工作在1500VDC母線電壓和650VAC輸出電壓中。同時具有動態響應快,開關頻率高(大于20kHz,適合APF高頻動態補償(響應<2ms),雙向功率友好等優點。所以被新能源行業廣泛應用,同時組成該電路的器件也面臨較大的損耗挑戰。

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維也納三電平電路廣泛用于充電模塊和UPS的PFC電路中,最常用的 380VAC輸入的維也納PFC電路,由接入380VAC電網的由6顆1200VFRD和6顆650V的IGBT組成(如下圖)。具有可靠性高,效率高,成本和散熱友好等優點,同時因為應用中有效率要求,所以也對器件損耗提出挑戰。

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美浦森推出全新一代高性能IGBT單管和配套的FRD。該產品以最新一代IGBT 7技術為基準,實現了損耗顯著降低與溫升大幅優化的核心突破。專為三電平等先進拓撲結構深度優化,它能直接幫助客戶實現:

— 系統效率全面提升:更低導通與開關損耗,直接將(PCS)儲能和電能質量變流器效率推升至新高度。

— 運行更可靠,壽命更長:優異的低溫升特性,降低了系統熱應力,顯著提升功率循環壽命與整體可靠性。

下面是MSH75GS065DB1(VCESAT@75A=1.4V,Ets<4mJ)和國外IGBT 7的參數對比圖,MSH75GS065DB1產品性能和國外IGBT完全對標,同時優于國產競品,實際應用中也有良好表現。

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MSH75GS065DB1三管并聯電路,在Ic=200A,VCC=400V 下進行了半橋電路的雙脈沖動態性能(模擬T1 T2上半部分)(下圖測試波形),產品呈現出較好的動態性能,也有較好的柔軟度表現,完全滿足現有主流的多管并聯應用。

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除了MSH75GS065DB1以外,美浦森還提供其他規格IGBT產品,也提供配套的FRD,形成一整套的解決方案給客戶。IGBT有650V 40A-275A, 750V 80A-120A,FRD有650V 30A-120A,1200V 60A-140A等不同規格,滿足不同客戶的需求。下面是美浦森在新能源行業的 IGBT 和 FRD 產品列表。

用于380VC和690VAC APF和光儲充電路的IGBT列表

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配套247封裝的IGBT 7快恢復二極管(FRD)列表

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關于美浦森

美浦森半導體(MSemitek)成立于2014年,總部位于深圳,是國內最早專業從事硅與碳化硅器件研發、生產和銷售的半導體公司,國家級高新技術企業、國家級專精特新“小巨人”企業。公司在深圳、蘇州設有研發中心,在深圳建立“MS OpenLab美浦森實驗室”(已通過國家級CNAS認可和廣東省工程技術研究中心認定)。

公司產品線包括:高中低壓全系列(Trench/SGT MOSFET、超結MOSFET、Planar MOSFET)、碳化硅系列(SiC Diode/MOSFET)、IGBT系列(單管/模塊),其廣泛應用于PC/服務器、工業電源、光伏/儲能逆變、汽車電子、BMS、電機/電動工具、UPS等領域。美浦森堅持投入先進制程研發、搭建系統級應用平臺,提升品質管控能力,致力于提供性能卓越的產品,為客戶創造價值。

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