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新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2026-02-26 17:06 ? 次閱讀
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新品

英飛凌XHP 2系列2300V CoolSiC

碳化硅MOSFET

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為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V直流母線應(yīng)用日益增長的趨勢,英飛凌推出XHP 2系列2300V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品擴(kuò)充。該系列產(chǎn)品電流規(guī)格豐富,最高可達(dá)2000A,并提供4kV或6kV的隔離電壓等級,非常適用于高功率應(yīng)用。結(jié)合可靠耐用的.XT擴(kuò)散焊技術(shù),該產(chǎn)品在使用壽命和可靠性方面均達(dá)到同類最佳水平,為高可靠性應(yīng)用提供了堅實的保障。


每款模塊均可提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料版本,以簡化組裝流程,并實現(xiàn)最佳熱性能。


產(chǎn)品型號:

FF1000UXTR23T2M1_B5

FF1000UXTR23T2M1P

FF1000UXTR23T2M1

FF1300UXTR23T2M1P

FF1300UXTR23T2M1

FF2000UXTR23T2M1P

FF2000UXTR23T2M1


產(chǎn)品特性


CoolSiC MOSFET,耐壓2.3kV

集成體二極管

導(dǎo)通電阻低至0.95mΩ

低電感XHP 2封裝

.XT擴(kuò)散焊技術(shù)

對稱的模塊設(shè)計

高浪涌電流承受能力

短路耐受能力

極低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗

最高持續(xù)工作結(jié)溫175°C

4kV與6kV隔離電壓

銅基板與鋁碳化硅復(fù)合基板可選


應(yīng)用價值


卓越能效

超高功率密度

更長使用壽命

業(yè)界頂尖的可靠性


競爭優(yōu)勢


2300V阻斷電壓,適用于更高的直流母線電壓(標(biāo)稱1500V,最高可達(dá)1800V)

具備短路魯棒性

具備浪涌電流魯棒性

材料結(jié)構(gòu)允許芯片最高持續(xù)工作結(jié)溫達(dá)175°C


應(yīng)用領(lǐng)域

可再生能源(風(fēng)電、光伏)

電池儲能系統(tǒng)

氫能

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