威兆半導體推出的 VSP011N10MS-G 是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6 封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC 轉換器等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數:
- 漏源極擊穿電壓(VDSS?):100V,適配中壓供電場景;
- 導通電阻(RDS(on)?):VGS?=10V時 8.5mΩ、VGS?=4.5V時 13mΩ,中壓場景下傳導損耗低;
- 連續(xù)漏極電流(VGS?=10V):T=25°C時 50A、T=100°C時 32A,承載能力較強;
- 脈沖漏極電流(IDM?):200A(T=25°C),可應對瞬時大電流沖擊。
二、核心特性
- VeriMOS? II 技術:兼顧低導通電阻與快速開關特性,提升中壓電源能效;
- 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 26mJ,抗沖擊能力強;
- 高功率密度:PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設計,散熱性能優(yōu)異;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(T=25°C,除非特殊說明)
| 參數 | 符號 | 數值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | VDSS? | 100 | V |
| 柵源極電壓 | VGS? | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | IS? | 50 | A |
| 連續(xù)漏極電流(VGS?=10V) | ID? | T=25°C: 50;T=100°C: 32 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM? | 200 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS? | 26 | mJ |
| 最大功耗 | PD? | T=25°C: 44;T=100°C: 4.2 | W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | 、 | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:PDFN5x6 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷;
- 典型應用:
五、信息來源
威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
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