威兆半導(dǎo)體推出的 VSP011N10MS-G 是一款面向 100V 中壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6 封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(VDSS?):100V,適配中壓供電場(chǎng)景;
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on)?):VGS?=10V時(shí) 8.5mΩ、VGS?=4.5V時(shí) 13mΩ,中壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低;
- 連續(xù)漏極電流(VGS?=10V):T=25°C時(shí) 50A、T=100°C時(shí) 32A,承載能力較強(qiáng);
- 脈沖漏極電流(IDM?):200A(T=25°C),可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)大電流沖擊。
二、核心特性
- VeriMOS? II 技術(shù):兼顧低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性,提升中壓電源能效;
- 高可靠性:通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試,單脈沖雪崩能量達(dá) 26mJ,抗沖擊能力強(qiáng);
- 高功率密度:PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設(shè)計(jì),散熱性能優(yōu)異;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(T=25°C,除非特殊說(shuō)明)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | VDSS? | 100 | V |
| 柵源極電壓 | VGS? | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | IS? | 50 | A |
| 連續(xù)漏極電流(VGS?=10V) | ID? | T=25°C: 50;T=100°C: 32 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM? | 200 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS? | 26 | mJ |
| 最大功耗 | PD? | T=25°C: 44;T=100°C: 4.2 | W |
| 工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍 | 、 | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景
- 封裝形式:PDFN5x6 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷;
- 典型應(yīng)用:
- 100V 級(jí)中壓大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的中壓電流負(fù)載開(kāi)關(guān);
- 中功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開(kāi)關(guān)。
五、信息來(lái)源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。)
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