動態

• 發布了文章 2025-12-18 17:42

  選型手冊：VS2622AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

  MOS 威兆半導體 晶體管

  65瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-18 17:40

  選型手冊：VS6808DH 共漏極雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的共漏極雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持2.0V邏輯電平控制，采用SOT23-6L封裝，適配小型化低壓雙路電源的負載開關、電源通路控制等領域。一、產品基本信息器件類型：共漏極雙通道N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配雙路低壓供電場景；導通電

  MOS 威兆半導體 晶體管

  57瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-18 17:37

  選型手冊：VS2301BC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負載開關、電源通路控制等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-20V（P溝道耐壓為負值，適配20V低壓場景）；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半導體 晶體管

  48瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-18 17:33

  選型手冊：VS3603GPMT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS3603GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半導體 晶體管

  51瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-18 17:24

  選型手冊：VS3522AA4 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS3522AA4是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN22x6.5-8L封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

  MOS 威兆半導體 晶體管

  408瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-17 18:24

  選型手冊：VS40200AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半導體 晶體管

  79瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-17 18:20

  選型手冊：VS4603GPMT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半導體 晶體管

  79瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-17 18:13

  選型手冊：VS40200ATD 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配雙路低壓供電場景；導通電阻（\(R_

  MOS 威兆半導體 晶體管

  66瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-17 18:11

  選型手冊：VSD007N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSD007N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半導體 晶體管

  101瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-17 18:09

  選型手冊：VS6614GS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配60V低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型

  MOS 威兆半導體 晶體管

  95瀏覽量