寬SOA(安全工作區)MOSFET廣泛應用于熱插拔、電池保護、驅動管等應用場景,隨著近年來電動汽車、數據中心、激光等領域的興起,表現出蓬勃的市場需求。新潔能推出150V SGT 新品 NCEP15LT14T,通過優化器件結構,有效降低器件零溫度系數點(ZTC),顯著拓寬SOA,同時兼顧低導通電阻和強短路能力特點,助力高可靠性、高性能系統的搭建。
核心優勢
1、更低零溫度系數點(ZTC)
零溫度系數點(ZTC)代表器件溫度系數為0時的工作狀態,當器件工作狀態在ZTC以上時,為正溫度系數區,局部溫升會抑制電流集中,即局部電流隨著溫度增加而減小,此時熱穩定性較強;當工作狀態在ZTC以下時,為負溫度系數區,局部溫升會促進電流進一步集中,即局部電流隨著溫度增加而增大,器件熱穩定性較弱。ZTC低意味著正溫度系數區域更大,器件可以在更低的VGS電壓以及更低的IDS電流條件下進入熱穩定狀態,更適合工作在線性模式。下圖為寬SOA產品NCEP15LT14T與通用平臺NCEP15T14T零溫度系數點測試對比。測試結果表明,得益于器件結構的優化,NCEP15LT14T的零溫度系數點顯著低于NCEP15T14T。

零溫度系數測試結果(圖中IDS電流受限于測試設備電流)
2、超寬安全工作區(SOA)
寬SOA新品NCEP15LT14T與通用平臺NCEP15T14T SOA熱不穩定性圖實測對比如下。1ms脈寬條件下,在VDS=40V時,NCEP15LT14T最大電流為97.5A,相較NCE15T14T最大電流51.1A,提升至1.91倍;并且隨著VDS增大,最大電流提升幅度增加。結果表明,NCEP15LT14T有效地拓寬了SOA熱不穩定限制部分的區域,相較通用平臺產品更適合工作于線性模式。

熱不穩定性SOA測試結果

測試平臺
3、強短路能力
寬SOA新品NCEP15LT14T與通用平臺NCEP15T14T一類短路測試對比如下:
1)當測試條件為VDD=120V、VGS=10V時,NCEP15LT14T短路時間為32us,相比NCEP15T14T 3us提升至10.6倍。
2)當測試條件為VDD=120V、VGS=15V時,NCEP15LT14T短路時間為4us,相比NCEP15T14T 2us提升至2倍。
測試結果表明,NCEP15LT14T的一類短路能力相較于NCEP15T14T有顯著提升。

VGS分別10V、15V時一類短路測試波形

一類短路測試結果
產品基本特性
寬SOA新品NCEP15LT14T 基本電性參數如下:

應用場景
2、電動汽車:汽車空調風量控制器、車載充電器
3、儲能:BMS系統
4、通信/服務器:熱插拔
命名規則
針對不同場景的應用,新潔能推出不同系列的產品,NCEP15LT14T中的L代表該產品屬于寬SOA系列,針對Linear mode應用進行特殊設計優化,若此處無字母,則代表通用平臺系列。

-
MOSFET
+關注
關注
151文章
9998瀏覽量
234233 -
熱插拔
+關注
關注
2文章
273瀏覽量
41140 -
SOA
+關注
關注
1文章
327瀏覽量
29291 -
新潔能
+關注
關注
0文章
38瀏覽量
3333
原文標題:新潔能 150V 寬 SOA SGT MOSFET 產品介紹
文章出處:【微信號:NcePower,微信公眾號:無錫新潔能股份有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
美格納發布第8代150V MXT MV MOSFET
安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產品平臺
新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品介紹
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品列表
新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產品
ZK150G002TP:SGT技術賦能的150V高壓大電流MOSFET標桿
ZK150G002B:SGT工藝賦能的中壓大電流MOSFET技術解析
龍騰半導體推出新一代150V G3平臺SGT MOSFET產品LSGT15R032
新潔能150V寬SOA SGT MOSFET產品介紹
評論