01為什么要推出 G3？

在碳中和與高功率密度的雙重賽道上，電源工程師面臨的挑戰從未如此嚴峻：體積要更小，效率要更高，發熱要更低。

今天，龍騰半導體正式交出答卷 --基于自主工藝路線開發的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。

這不僅僅是一次產品迭代，更是我們對多層外延技術數年深耕的成果展示。我們不談虛的“革命”，只談它能為你的設計帶來哪些實實在在的改變。

02四大硬核突破，重構性能邊界

G3平臺不是簡單的參數微調，而是從元胞結構到制造工藝的系統性重塑。

極致緊湊：元胞間距壓縮至5.5μm

這是目前國內同類產品中最緊湊的芯片結構之一。我們通過多層外延工藝與領先器件設計的高度匹配，打破了空間限制。這意味著在同樣的封裝體積下，你能獲得更大的功率密度。對于車載充電器、高密度服務器電源等應用場景，G3 提供了全新的解題思路。

損耗探底：Rsp 9.0 mΩ·cm2 (600V)

同等硅面積，更低阻抗，更少發熱。在TO247封裝下，我們成功將導通電阻做到14mΩ，逼近了硅基超結的理論極限。這意味著電流通道更“寬闊”，傳導損耗被壓到了極致。

極速開關：Qg ↓ 24%，Coss ↓ 50%

這是高頻電源設計的福音。相比上一代 G1 平臺，G3 在動態特性上實現了質的飛躍：

柵極電荷（Qg）降低 24%@10V，驅動更輕松，開關速度更快。

輸出電容（Coss）降低 50%@400V，硬開關應力顯著緩和。

關斷損耗（Eoss）降低 40%@400V，使系統在更高頻率下運行仍能保持低溫與高效。

圖：G3與G1的Eoss曲線比較

堅若磐石：工業級可靠性

無懼電網波動與負載突變，我們深知“炸機”是工程師的噩夢。G3 延續了我們對可靠性的偏執，在單脈沖雪崩能量（EAS）耐受能力和高溫穩定性上做足了冗余，確保在嚴苛的工業、通信環境下依然穩如泰山。

03全拓撲兼容，哪里需要去哪里

G3系列的設計初衷就是“全能”。無論是追求極致效率的軟開關，還是強調耐受性的硬開關，它都能勝任。

軟開關場景： LLC 諧振變換器、ZVS 移相全橋

硬開關場景： PFC、TTF 拓撲

目標應用：

消費電子（快充、適配器、LED、TV、PC電源）

工業電源

數據中心與5G通信電源

新能源（光伏儲能）

充電樁、車載充電機（OBC）