威兆半導體推出的 VS3620GPMC 是一款面向 30V 低壓超大功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（RDS(on)?）：VGS?=10V時 5.0mΩ、VGS?=4.5V時 8.1mΩ，低壓場景下傳導損耗低；
  • 連續漏極電流（VGS?=10V，柵極限制）：T=25°C時 60A、T=100°C時 38A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：240A（T=25°C），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：兼具低導通電阻與快速開關特性，提升低壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 34mJ，抗沖擊能力強；
• 高功率密度：PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設計，散熱性能優異；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（T=25°C，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓超大功率 DC/DC 轉換器；
  • 儲能系統、工業設備的超大電流負載開關；
  • 高功率電源管理系統的核心功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）