電子發燒友網報道(文/吳子鵬)近日,一則關于蘋果芯片代工格局變動的消息引發半導體行業廣泛關注:有證券機構披露,蘋果計劃讓英特爾代工部分M系列處理器及非Pro版iPhone芯片,其中2027年發貨的低端M系列芯片、2028年推出的iPhone標準版芯片,有望率先采用英特爾18A-P先進工藝。
然而,這一看似“臺積電+英特爾”雙保險的戰略布局,卻遭到了行業專家的強烈質疑。核心爭議點在于英特爾全面押注的“背面供電(BSPD)”技術,其在提升性能的同時帶來的散熱硬傷,可能成為英特爾拿下iPhone訂單的“阿喀琉斯之踵”。
根據相關計劃,蘋果預計在2027年發貨的“低端M系列處理器”中試水英特爾代工,隨后在2028年的“iPhone標準版(非Pro)芯片”中進一步擴大合作。英特爾18A-P工藝作為其IDM 2.0戰略的核心,采用了RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術,旨在提升芯片的每瓦性能與能效;在芯片互連方面,英特爾采用了EMIB-T 2.5D嵌入式橋接技術。通過在橋接器內部添加硅通孔(TSV),電力和信號不僅可以橫向傳輸,還能實現垂直傳輸,從而最大化互連密度。理論上,這為蘋果在芯片設計上提供了更高的靈活性。
蘋果考慮引入英特爾作為第二芯片供應商的核心目的,是分散供應鏈風險。目前,英偉達因AI服務器芯片需求激增,已超越蘋果成為臺積電最大客戶,高端制程產能競爭日益加劇。隨著產能向AI芯片傾斜,市場傳言臺積電可能正對蘋果提價。據媒體報道,由于AI需求擠壓了其他半導體產品的生產空間,蘋果不僅面臨成本上升的壓力,其在臺積電的生產優先級也可能受到挑戰——這表明供應鏈的話語權正隨著終端需求的變化而轉移。此外,有知情人士透露,蘋果的這一地位早在2024年底就已受到挑戰:2024年四季度,臺積電為優先保障英偉達H100 AI芯片的生產,曾削減蘋果M3 Max的代工產能,導致相關MacBook Pro機型上市延遲,進而影響了蘋果假日銷售季的表現。
值得注意的是,此次合作并非蘋果與英特爾的首次牽手。雙方在芯片領域有著深厚的合作淵源:2016年至2020年,英特爾為iPhone 7至iPhone 11系列提供蜂窩基帶芯片;2006年至2023年,英特爾更是為Mac系列產品供應x86架構處理器,直至蘋果Mac轉向自研Apple Silicon后,雙方在電腦芯片領域的合作才逐漸淡化。與過往不同的是,此次合作中,英特爾僅承擔芯片制造環節,蘋果將繼續主導芯片設計工作,且初期僅承接小部分代工份額,臺積電仍將是蘋果芯片的主力代工廠。這種“主次分明”的模式,也充分體現了蘋果的謹慎態度。
在先進芯片制程競爭中,供電技術的選擇直接決定芯片的性能、功耗與散熱表現,而臺積電與英特爾的技術策略差異,也造就了雙方在移動芯片代工領域的競爭力分野。因此,資深人士的這一論斷,并非基于對英特爾制造能力或良率的質疑,而是源于兩者在技術路線上的根本性分歧——背面供電(BSPD,Backside Power Delivery)技術的應用。
據悉,BSPD技術的核心優勢在于提升芯片性能。傳統芯片的供電線路與信號線路均布局在芯片正面,線路擁擠易導致電阻增加、信號干擾;而BSPD技術將電源網絡移至芯片背面,通過背面更短、更粗的金屬路徑供電,既能降低電壓降,又能釋放正面金屬層用于信號互連,從而支持芯片實現更高、更穩定的工作頻率。英特爾在其最先進的18A和14A工藝上全面押注BSPD技術,試圖通過這一差異化布局,追趕臺積電、三星在先進制程領域的優勢。
但這一技術優勢,在移動芯片領域卻難以轉化為實際競爭力,反而成為制約其代工iPhone芯片的“致命短板”。行業人士指出,對于iPhone所采用的移動芯片而言,BSPD技術帶來的性能增益微乎其微——移動芯片的性能表現更多受限于功耗控制,而非單純的頻率提升,而BSPD技術的性能優勢,在低功耗場景下幾乎無法體現。
更關鍵的是,BSPD技術會引發嚴重的自發熱效應,且散熱難度極大。由于電源線路布局在芯片背面,垂直散熱效果較差,橫向散熱效率也大幅下降,這就要求終端設備配備額外的散熱措施。但iPhone作為輕薄化移動設備,內部空間極度緊張,無法為芯片配備復雜的散熱模塊;且蘋果對iPhone的溫度控制有著嚴苛要求,BSPD技術帶來的散熱難題,在現有iPhone產品形態下幾乎無法解決。因此,行業專家明確表示,采用背面供電技術后,芯片的散熱需求將大幅增加,而手機有限的內部空間根本無法滿足這些需求。
與英特爾不同,臺積電采取了更為靈活的技術策略:在部分工藝節點采用BSPD技術,面向對性能要求極高的桌面芯片、服務器芯片;在另一部分工藝節點則放棄BSPD技術,優先保障功耗與散熱控制,以適配移動芯片的需求。通過這種差異化布局完善產品組合,臺積電才能長期穩固占據蘋果iPhone芯片的獨家代工地位。
盡管英特爾代工iPhone芯片的前景黯淡,但行業人士并未完全否定蘋果與英特爾在M系列處理器上的合作可能性——這與產品的物理形態密切相關。MacBook等電腦設備內部空間相對充裕,且往往配備主動散熱系統(如風扇)或大面積均熱板(如iPad Pro、MacBook Air),這意味著M系列芯片擁有更好的散熱環境,能夠容忍BSPD技術帶來的散熱挑戰。因此,2027年推出的低端M系列芯片,或許真的會成為英特爾代工業務突破的重要契機。
對英特爾而言,與蘋果的代工合作,是其拓展半導體代工業務、擺脫經營困境的重要突破口。近年來,英特爾在消費級芯片市場面臨AMD的激烈競爭,市場份額持續萎縮,而代工業務(Intel Foundry)已成為其戰略轉型的核心方向。此時,若能成功獲得蘋果的代工訂單,不僅能帶來穩定的營收支撐,更能顯著提升其先進工藝的行業認可度,吸引更多客戶合作,進而加速良率與產能的優化,推動代工業務走出虧損困境。
不過,除了BSPD技術帶來的散熱問題,英特爾18A工藝的產能與良率問題也值得重點關注。英特爾管理層在財報說明會上表示,18A工藝雖持續改善良率,但目前仍未達到行業領先水平;同時,該工藝的緩沖庫存已消耗殆盡,當前庫存水平已降至峰值的約40%,導致公司處于“現做現賣”的供應緊張狀態。因此,2026年將成為英特爾先進制程產能爬坡的關鍵一年。
然而,這一看似“臺積電+英特爾”雙保險的戰略布局,卻遭到了行業專家的強烈質疑。核心爭議點在于英特爾全面押注的“背面供電(BSPD)”技術,其在提升性能的同時帶來的散熱硬傷,可能成為英特爾拿下iPhone訂單的“阿喀琉斯之踵”。
傳聞引爆:蘋果的“第二供應商”算盤
此次傳聞的核心,是英特爾先進工藝與蘋果芯片需求的對接。據悉,蘋果計劃分階段推進與英特爾的代工合作,優先覆蓋低端M系列處理器和非Pro版iPhone芯片,這兩類產品對性能的極致要求低于高端機型,被視為雙方合作的“試金石”。根據相關計劃,蘋果預計在2027年發貨的“低端M系列處理器”中試水英特爾代工,隨后在2028年的“iPhone標準版(非Pro)芯片”中進一步擴大合作。英特爾18A-P工藝作為其IDM 2.0戰略的核心,采用了RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術,旨在提升芯片的每瓦性能與能效;在芯片互連方面,英特爾采用了EMIB-T 2.5D嵌入式橋接技術。通過在橋接器內部添加硅通孔(TSV),電力和信號不僅可以橫向傳輸,還能實現垂直傳輸,從而最大化互連密度。理論上,這為蘋果在芯片設計上提供了更高的靈活性。
蘋果考慮引入英特爾作為第二芯片供應商的核心目的,是分散供應鏈風險。目前,英偉達因AI服務器芯片需求激增,已超越蘋果成為臺積電最大客戶,高端制程產能競爭日益加劇。隨著產能向AI芯片傾斜,市場傳言臺積電可能正對蘋果提價。據媒體報道,由于AI需求擠壓了其他半導體產品的生產空間,蘋果不僅面臨成本上升的壓力,其在臺積電的生產優先級也可能受到挑戰——這表明供應鏈的話語權正隨著終端需求的變化而轉移。此外,有知情人士透露,蘋果的這一地位早在2024年底就已受到挑戰:2024年四季度,臺積電為優先保障英偉達H100 AI芯片的生產,曾削減蘋果M3 Max的代工產能,導致相關MacBook Pro機型上市延遲,進而影響了蘋果假日銷售季的表現。
值得注意的是,此次合作并非蘋果與英特爾的首次牽手。雙方在芯片領域有著深厚的合作淵源:2016年至2020年,英特爾為iPhone 7至iPhone 11系列提供蜂窩基帶芯片;2006年至2023年,英特爾更是為Mac系列產品供應x86架構處理器,直至蘋果Mac轉向自研Apple Silicon后,雙方在電腦芯片領域的合作才逐漸淡化。與過往不同的是,此次合作中,英特爾僅承擔芯片制造環節,蘋果將繼續主導芯片設計工作,且初期僅承接小部分代工份額,臺積電仍將是蘋果芯片的主力代工廠。這種“主次分明”的模式,也充分體現了蘋果的謹慎態度。
潑來的冷水:BSPD技術的雙刃劍
然而,就在市場為這一潛在的“聯姻”大肆炒作之際,資深行業人士卻潑了一盆冷水。他們的觀點非常明確:英特爾絕無可能在短期內代工iPhone芯片。在先進芯片制程競爭中,供電技術的選擇直接決定芯片的性能、功耗與散熱表現,而臺積電與英特爾的技術策略差異,也造就了雙方在移動芯片代工領域的競爭力分野。因此,資深人士的這一論斷,并非基于對英特爾制造能力或良率的質疑,而是源于兩者在技術路線上的根本性分歧——背面供電(BSPD,Backside Power Delivery)技術的應用。
據悉,BSPD技術的核心優勢在于提升芯片性能。傳統芯片的供電線路與信號線路均布局在芯片正面,線路擁擠易導致電阻增加、信號干擾;而BSPD技術將電源網絡移至芯片背面,通過背面更短、更粗的金屬路徑供電,既能降低電壓降,又能釋放正面金屬層用于信號互連,從而支持芯片實現更高、更穩定的工作頻率。英特爾在其最先進的18A和14A工藝上全面押注BSPD技術,試圖通過這一差異化布局,追趕臺積電、三星在先進制程領域的優勢。
但這一技術優勢,在移動芯片領域卻難以轉化為實際競爭力,反而成為制約其代工iPhone芯片的“致命短板”。行業人士指出,對于iPhone所采用的移動芯片而言,BSPD技術帶來的性能增益微乎其微——移動芯片的性能表現更多受限于功耗控制,而非單純的頻率提升,而BSPD技術的性能優勢,在低功耗場景下幾乎無法體現。
更關鍵的是,BSPD技術會引發嚴重的自發熱效應,且散熱難度極大。由于電源線路布局在芯片背面,垂直散熱效果較差,橫向散熱效率也大幅下降,這就要求終端設備配備額外的散熱措施。但iPhone作為輕薄化移動設備,內部空間極度緊張,無法為芯片配備復雜的散熱模塊;且蘋果對iPhone的溫度控制有著嚴苛要求,BSPD技術帶來的散熱難題,在現有iPhone產品形態下幾乎無法解決。因此,行業專家明確表示,采用背面供電技術后,芯片的散熱需求將大幅增加,而手機有限的內部空間根本無法滿足這些需求。
與英特爾不同,臺積電采取了更為靈活的技術策略:在部分工藝節點采用BSPD技術,面向對性能要求極高的桌面芯片、服務器芯片;在另一部分工藝節點則放棄BSPD技術,優先保障功耗與散熱控制,以適配移動芯片的需求。通過這種差異化布局完善產品組合,臺積電才能長期穩固占據蘋果iPhone芯片的獨家代工地位。
盡管英特爾代工iPhone芯片的前景黯淡,但行業人士并未完全否定蘋果與英特爾在M系列處理器上的合作可能性——這與產品的物理形態密切相關。MacBook等電腦設備內部空間相對充裕,且往往配備主動散熱系統(如風扇)或大面積均熱板(如iPad Pro、MacBook Air),這意味著M系列芯片擁有更好的散熱環境,能夠容忍BSPD技術帶來的散熱挑戰。因此,2027年推出的低端M系列芯片,或許真的會成為英特爾代工業務突破的重要契機。
對英特爾而言,與蘋果的代工合作,是其拓展半導體代工業務、擺脫經營困境的重要突破口。近年來,英特爾在消費級芯片市場面臨AMD的激烈競爭,市場份額持續萎縮,而代工業務(Intel Foundry)已成為其戰略轉型的核心方向。此時,若能成功獲得蘋果的代工訂單,不僅能帶來穩定的營收支撐,更能顯著提升其先進工藝的行業認可度,吸引更多客戶合作,進而加速良率與產能的優化,推動代工業務走出虧損困境。
不過,除了BSPD技術帶來的散熱問題,英特爾18A工藝的產能與良率問題也值得重點關注。英特爾管理層在財報說明會上表示,18A工藝雖持續改善良率,但目前仍未達到行業領先水平;同時,該工藝的緩沖庫存已消耗殆盡,當前庫存水平已降至峰值的約40%,導致公司處于“現做現賣”的供應緊張狀態。因此,2026年將成為英特爾先進制程產能爬坡的關鍵一年。
結語
蘋果與英特爾的芯片代工傳聞,是半導體行業高端化、多元化競爭的一個縮影。英特爾18A-P工藝的技術亮點,為雙方的合作提供了基礎;而BSPD技術的散熱難題、英特爾自身的產能與良率短板,則為這場潛在合作蒙上了一層陰影。2027年低端M系列芯片的代工落地情況,將成為雙方合作的首個“試金石”,而iPhone芯片的代工之路,仍充滿不確定性。這場半導體行業的“雙向試探”最終能否實現雙贏、重塑全球高端芯片代工格局,仍需時間與市場的進一步檢驗。
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