電子發燒友網報道（文/莫婷婷）據產業鏈多方消息指出，英特爾正與全球兩大云巨頭——亞馬遜（AWS）與谷歌進行磋商，或將利用英特爾自研的EMIB及EMIB-T先進封裝技術，為其自研AI芯片提供大規模代工服務。與此同時，馬斯克與英特爾合作的消息也一同傳來。
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可以看到，在AI大模型訓練對帶寬與功耗提出極致要求，封裝技術已經成為決定算力上限的“命門”。英特爾憑借其獨特的EMIB技術與IDM 2.0戰略，正試圖進入高端AI封裝領域的一家獨大局面，重塑全球半導體版圖。


技術底座：英特爾EMIB與EMIB-T的“異構集成”革命

在摩爾定律逼近物理極限的當下，無法依靠縮小晶體管尺寸提升性能。英特爾此次贏得巨頭青睞的核心籌碼，正是其深耕多年的先進封裝技術——EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）及其進階版EMIB-T。

在臺積電CoWoS方案中，通常需要鋪設一整塊巨大的硅中介層（Silicon Interposer）來連接所有芯粒，成本高昂。而英特爾的EMIB技術采用的是“按需連接”的方式，不需要全幅的硅中介層，而是在有機基板中僅于需要高速互連的芯片下方，嵌入一個微小的高密度硅橋（Silicon Bridge）。英特爾表示，這種方式避免了所有信號和供電過孔都穿越整層中介層，能夠保持I/O平衡和電源完整性，并提升整體制造效率。

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EMIB 技術（圖源：英特爾）

綜合來看，英特爾的EMIB封裝技術具備成本、良率等優勢。數據顯示，由于大幅減少了昂貴硅材料的使用面積，EMIB的整體成本比CoWoS方案低30%以上。另一方面，由于沒有大面積的中介層意味著缺陷密度更低，量產良率更易控制。同時，它支持不同制程節點的芯粒混搭，例如將10nm的計算核心與28nm的I/O單元集成，非常適合異構計算的AI芯片設計。

為了應對生成式AI對帶寬和密度的指數級需求，英特爾推出了迭代版本EMIB-T（T代表Tall或Throughput）以及EMIB-M。據英特爾向媒體透露，EMIB-T技術可以顯著提升芯片互連能效，并大幅壓縮封裝體積。EMIB-T增加了硅通孔（TSV），能夠實現垂直電源傳輸，并降低直流和交流噪聲帶來的信號串擾。EMIB-M則在硅橋中集成了金屬-絕緣體-金屬 (MIM) 電容器，能夠增強供電能力。

目前英特爾的EMIB技術已實現大規模量產。此外，關鍵的產能布局已經就位，位于美國新墨西哥州里奧蘭喬（Rio Rancho）的工廠已具備了EMIB-T技術規模化商業交付的能力。

與此同時，英特爾正將EMIB與Foveros 3D堆疊技術深度整合，構建起一套極具競爭力的組合拳。目前，Foveros技術已迭代至第五代，其中Foveros Direct實現了9微米的互連間距，互連密度突破1.2萬/平方毫米，能耗更是低至0.05皮焦/比特以下。按照技術路線圖規劃，英特爾計劃在2027至2028年間將間距進一步壓縮至3微米，屆時互連密度將躍升至約11萬/平方毫米。此外，配合流體自對準貼裝技術，其產能有望實現10倍的跨越式增長。

英特爾在業績電話會議中指出，AI時代正以前所未有的規模重塑半導體需求版圖：從承載AI加速與傳統計算的數據中心，延伸至網絡基礎設施與企業級應用，最終滲透至客戶端與邊緣設備。面對AI工作負載在多元化場景中的快速落地，行業亟需構建異構硅基解決方案，通過集成GPU、ASIC以及NPU等多種計算單元，實現算力的精準適配。

技術博弈：AI先進封裝的“算力軍備競賽”

英特爾獲得谷歌和亞馬遜的AI芯片封裝訂單，不僅標志著其代工業務在商業拓展上的重大突破，更深刻驗證了英特爾在晶圓代工領域仍掌握著不可替代的技術競爭優勢。眾所周知，英特爾經歷了“內憂外患”的一年：

在內部，2025年全年營收為529億美元，與2021年790億美元的歷史高點相比，有較大的差距；其代工業務也處于虧損狀態。盡管英特爾最先進工藝節點 18A 已正式出貨，但良率提升速度未達預期，在缺陷密度和一致性上仍有不足。

在外部，消費級芯片市場面臨來自AMD等廠商的激烈競爭，導致其市場份額不斷下降。在先進制程的競爭中，英特爾一度落后于臺積電和三星。為了奪回技術領先地位，英特爾必須投入巨額資金研發新工藝，AI先進封裝正是其押注的新機會。

英特爾的AI封裝技術找到了用武之地，而亞馬遜和谷歌也正處于自研芯片的關鍵時刻。與此同時，一則關于馬斯克“超級工廠”的消息，更是為這場算力戰爭增添了新的變數。

當下，云廠商不再滿足于僅僅購買現成的GPU，它們正在通過自研芯片來掌握算力的定價權和控制權。

就在2025年，AWS宣布 UltraServers正式上線，該產品搭載多達144顆其自主研發的Trainium 3芯片。Trainium 3是亞馬遜首款采用3nm制程工藝的芯片，其計算性能比上一代相比提升4.4倍，能效與內存帶寬也有4倍的增長，精準聚焦于AI算力領域的性價比競爭賽道。

谷歌方面，在GTC 2026上公司宣布推出的自研TPU v6 “Trillium”芯片已大規模部署于Cloud TPU Pod，該芯片采用三星7nm工藝。此外，谷歌已經成為1GW電力需求響應里程碑，成為全球首家整合該容量的云服務商。

就在業內傳出英特爾與亞馬遜、谷歌洽談的同時 ，4月7日傳出重磅消息：英特爾將加入馬斯克的超級AI芯片工廠——Terafab綜合體項目，將實現每年高達1太瓦的算力。英特爾的加入，意味著其先進封裝產能將直接服務于這個由馬斯克主導的“算力聯盟”。

根據公開的資料，在Terafab項目中，英特爾的角色將從單純的代工方轉變為全鏈路技術合作伙伴，其技術注入覆蓋了從底層工藝到頂層封裝的多個環節，包括18A制程、3D/EMIB先進封裝技術，以及PowerVia背面供電等。

英特爾預期從2026年下半年至2027年上半年，客戶將陸續做出明確的供應商選擇。在先進封裝領域，尤其是在嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）及其增強版（EMIB-T）技術上，公司具備顯著的差異化競爭優勢。英特爾CEO陳立武（Lip-Bu Tan）在第一財季業績電話會上表示，我們正提升EMIB與EMIB-T技術的質量與良率，以支持客戶在2026年下半年開始的爬坡需求。

小結：
AI芯片的算力競賽，正成為英特爾在代工領域突圍的關鍵契機。英特爾憑借其獨特的EMIB技術與IDM 2.0戰略，正試圖進入高端AI封裝領域的一家獨大局面，重塑全球半導體版圖。作為曾經的行業霸主，英特爾能否憑借技術差異化優勢重返巔峰、重塑全球半導體格局，并在AI封裝的激烈角逐中搶占戰略制高點，已成為業界關注的焦點。