工業(yè)新質(zhì)

智造無界

2025中國國際工業(yè)博覽會

9月的上海，秋意漸濃卻擋不住工業(yè)作為工業(yè)技術(shù)的“風向標”，匯聚國內(nèi)外企業(yè)，展示工業(yè)數(shù)字化、智能化的最新成果。在這場“工業(yè)盛宴”中，東芯半導體NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列產(chǎn)品矩陣首次亮相2025中國國際博覽會，用自主研發(fā)的存儲芯片產(chǎn)品矩陣，為工業(yè)領(lǐng)域的“智能升級”注入強勁“芯”動力。

首次

亮相5.2H 新一代新信息與技術(shù)展

東芯半導體此次帶來的包含NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列產(chǎn)品矩陣，既有針對通用工業(yè)場景的高性能存儲，也有針對細分領(lǐng)域的定制化解決方案，全面滿足不同工業(yè)客戶對“高可靠性、低功耗、高容量”的需求。

目前，我們SLC NAND Flash/NOR Flash以及我們MCP系列均有產(chǎn)品通過AEC-Q100的驗證，實現(xiàn)寬溫-40℃~105℃/125℃，具備滿足嚴苛的工業(yè)級以及車規(guī)級應用環(huán)境的能力。

同時，我們不同產(chǎn)品系列具備不同性能特點，以滿足細分領(lǐng)域下的不同需求，歡迎溝通了解！

01

SLC NAND Flash:高可靠性

SPI NAND Flash:

單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內(nèi)部ECC模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，既節(jié)約了空間，又提升了穩(wěn)定性。

PPI NAND Flash：

兼容傳統(tǒng)的并行接口標準，高可靠性，滿足不同應用場景。在網(wǎng)絡通信，智能音箱，機頂盒等領(lǐng)域中廣泛應用。

02

NOR Flash:低功耗

ETOX工藝,聚焦于大容量低功耗，

容量從64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 兩種電壓，

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、

DTR傳輸模式和多種封裝方式。

03

DRAM:高傳輸

DDR3(L):

具備高傳輸速率以及低工作電壓。可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

LPDDR1/2/4X:

LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

04

MCP:高效集成

Flash和DDR均為低電壓的設計，核心電壓1.8V

可滿足目前移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對低功耗的需求。

其中DDR包含LPDDR1 / 2 / 4X 多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。產(chǎn)品可將Flash和DDR合二為一進行封裝，簡化走線設計，節(jié)省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

作為本土存儲芯片設計企業(yè)，我們將繼續(xù)強化技術(shù)創(chuàng)新，

針對工業(yè)場景的特殊需求開發(fā)專屬存儲解決方案，

深化與工業(yè)設備廠商的合作，共同推動產(chǎn)業(yè)智能化升級，

為工業(yè)化數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供更加堅實的數(shù)據(jù)基石。

東芯，為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案！

關(guān)于東芯

東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術(shù)，專業(yè)的技術(shù)服務實力，通過國內(nèi)外技術(shù)引進和合作，致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片設計公司。