工業新質

智造無界

2025中國國際工業博覽會

9月的上海，秋意漸濃卻擋不住工業作為工業技術的“風向標”，匯聚國內外企業，展示工業數字化、智能化的最新成果。在這場“工業盛宴”中，東芯半導體NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列產品矩陣首次亮相2025中國國際博覽會，用自主研發的存儲芯片產品矩陣，為工業領域的“智能升級”注入強勁“芯”動力。

首次

亮相5.2H 新一代新信息與技術展

東芯半導體此次帶來的包含NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列產品矩陣，既有針對通用工業場景的高性能存儲，也有針對細分領域的定制化解決方案，全面滿足不同工業客戶對“高可靠性、低功耗、高容量”的需求。

目前，我們SLC NAND Flash/NOR Flash以及我們MCP系列均有產品通過AEC-Q100的驗證，實現寬溫-40℃~105℃/125℃，具備滿足嚴苛的工業級以及車規級應用環境的能力。

同時，我們不同產品系列具備不同性能特點，以滿足細分領域下的不同需求，歡迎溝通了解！

01

SLC NAND Flash:高可靠性

SPI NAND Flash:

單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內部ECC模塊，使其在滿足數據傳輸效率的同時，既節約了空間，又提升了穩定性。

PPI NAND Flash：

兼容傳統的并行接口標準，高可靠性，滿足不同應用場景。在網絡通信，智能音箱，機頂盒等領域中廣泛應用。

02

NOR Flash:低功耗

ETOX工藝,聚焦于大容量低功耗，

容量從64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 兩種電壓，

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、

DTR傳輸模式和多種封裝方式。

03

DRAM:高傳輸

DDR3(L):

具備高傳輸速率以及低工作電壓。可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，是主流的內存產品。

LPDDR1/2/4X:

LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

04

MCP:高效集成

Flash和DDR均為低電壓的設計，核心電壓1.8V

可滿足目前移動互聯網和物聯網對低功耗的需求。

其中DDR包含LPDDR1 / 2 / 4X 多種規格使其選擇更加靈活豐富。產品可將Flash和DDR合二為一進行封裝，簡化走線設計，節省組裝空間，高效集成電路，提高產品穩定性。

作為本土存儲芯片設計企業，我們將繼續強化技術創新，

針對工業場景的特殊需求開發專屬存儲解決方案，

深化與工業設備廠商的合作，共同推動產業智能化升級，

為工業化數字化轉型提供更加堅實的數據基石。

東芯，為日益發展的存儲需求提供高效可靠的解決方案！

關于東芯

東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術，專業的技術服務實力，通過國內外技術引進和合作，致力打造成為中國本土優秀的具有自主知識產權的存儲芯片設計公司。