在工業(yè)制造與生物醫(yī)療領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展的當(dāng)下,2μm光纖激光器憑借其獨(dú)特性能,成為工業(yè)非金屬加工、微創(chuàng)醫(yī)療等場(chǎng)景的關(guān)鍵技術(shù)支撐。度亙聚焦行業(yè)需求,依托強(qiáng)大的新品及封裝平臺(tái),推出793nm高功率光纖耦合模塊系列,以度亙高功率半導(dǎo)體激光芯片為核心,為2μm激光器泵浦技術(shù)發(fā)展注入新動(dòng)能,助力高功率2μm摻銩光纖激光器產(chǎn)品升級(jí)換代。度亙核芯此次推出的高功率793nm 泵浦模塊具有高可靠性、高穩(wěn)定性、高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì),可拓寬2μm光纖激光器應(yīng)用場(chǎng)景,更有助于推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)。
技術(shù)難點(diǎn)
直面行業(yè)痛點(diǎn)
以技術(shù)創(chuàng)新破局
在2μm激光產(chǎn)品應(yīng)用不斷拓展的情況下,793nm 泵浦模塊發(fā)展發(fā)展長(zhǎng)期受困于“功率低、成本高、可靠性弱”三大核心痛點(diǎn),成為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的“攔路虎”,表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
? | 功率天花板難突破: 受量子阱材料增益低、載流子泄露嚴(yán)重等限制,傳統(tǒng)芯片單管輸出功率被限制在10W;若要實(shí)現(xiàn)模塊300W及以上功率輸出,至少需38顆 10W 芯片,等同976nm波段光纖耦合模塊1000W功率輸出,進(jìn)一步提升模塊功率難度加大、可靠性低。 |
? | 系統(tǒng)成本居高不下: 低功率芯片倒逼串聯(lián)數(shù)量的增加,直接導(dǎo)致光學(xué)元件數(shù)量增加、封裝工時(shí)延長(zhǎng),良品率的下降,制造成本高。 |
? | 可靠性危機(jī)凸顯: 高功率793nm 芯片的光子能量(≈1.57 eV)已接近GaAs表面氧化激活能,導(dǎo)致腔面光化學(xué)降解速率加快,COMD(腔面災(zāi)變損傷)閾值大幅降低,影響產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性。 |
開發(fā)成果
自主研發(fā)15W芯片
定義產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力
針對(duì)行業(yè)痛點(diǎn)與市場(chǎng)需求,度亙核芯成功研發(fā)并量產(chǎn)15W高功率芯片,并推出系列光纖耦合模塊,從功率、效率、可靠性等維度實(shí)現(xiàn)突破:
? | 高功率、高效率,突破性能上限: 在芯片外延技術(shù)方面,度亙通過優(yōu)化量子阱生長(zhǎng)條件,有效降低外延缺陷密度,量子阱增益顯著提升;同時(shí)調(diào)整外延結(jié)構(gòu),提高載流子限制能力,實(shí)現(xiàn)芯片閾值電流密度降低與斜率效率提升,在15A電流下輸出光功率15W,滿足高功率應(yīng)用需求。 |
? | 高可靠性保障: 在器件結(jié)構(gòu)和工藝方面,通過優(yōu)化表面金屬工藝及腔面鍍膜材料,成功解決了793nm光子能量高帶來的腔面光化學(xué)降解速率加快的問題,COMD閾值顯著提高,激光器芯片實(shí)現(xiàn)高可靠性工作,在25℃、CW 15W的使用條件下,壽命保證20000H,QCW 18A 10%占空比超調(diào)使用壽命保證100000H。 |

793nm 15W單管典型LIV曲線
形成系列產(chǎn)品
芯片系列產(chǎn)品

度亙基于自主研發(fā)的高功率15W芯片,推出高功率光纖耦合塊,形成220μm 120W、180W、300W系列產(chǎn)品,滿足市面上2μm激光器方案,極具性價(jià)比。
模塊系列產(chǎn)品

系列產(chǎn)品外形尺寸及典型LIV曲線圖
793nm 120W光纖耦合模塊

產(chǎn)品外形尺寸

典型LIV曲線
793nm 180W光纖耦合模塊

產(chǎn)品外形尺寸

典型LIV曲線
793nm 300W光纖耦合模塊

產(chǎn)品外形尺寸

典型LIV曲線
度亙始終以深耕激光“心臟”技術(shù)為使命,持續(xù)迭代芯片與模塊技術(shù),與產(chǎn)品應(yīng)用拓展提供硬核支撐,以 “中國(guó)芯”賦能全球激光產(chǎn)業(yè)革新,讓世界看見中國(guó)光的力量!
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