2025年11月28日，“2025第四屆中國激光星銳企業峰會”及“第四屆中國激光星銳頒獎典禮”在武漢光谷隆重召開。度亙核芯自主研發的“915/976nm 50W 高亮度半導體激光芯片”經行業權威評審委員會嚴格評審、網絡投票等多維度綜合評選，從一眾申報技術中脫穎而出，榮膺“2025中國激光星銳獎·最佳半導體激光器技術創新獎”！

獲獎產品

915/976 nm 50W高亮度半導體激光芯片

度亙核芯研發的“915/976nm 50W高亮度半導體激光芯片”實現了半導體激光器核心技術的突破性進展。憑借50W高功率穩定輸出與優異的光束質量雙核心優勢，為工業加工、科研探索等領域提供更高效、更可靠的核心光源解決方案，賦能下游裝備升級與產業創新發展！

核心技術創新

高功率、高效率

依托高自由度外延設計 + 精細化能帶調控，精準優化內量子效率，實現低閾值電流與高斜率效率的平衡；搭配高精度摻雜控制技術，大幅降低串聯電阻、提升載流子輸運效率，使320μm條寬單管器件在50W輸出時電光轉換效率（PCE）達63%。以硬核技術實現 “高功率輸出 + 低能耗運行”，為下游設備帶來顯著的使用成本優化。

高亮度光束質量

創新采用長腔長設計，通過擴展腔長降低腔內功率密度，抑制高階模激發，提升光束質量；同時，采用多元化模式控制并結合新型擴展波導專利技術，顯著降低慢軸發散角，在50W輸出時實現95%能量內慢軸發散角≤9.2°，側向亮度達3.9W/(mm·mrad)，讓激光能量更集中、作用更精準，為高端激光加工、精密裝備等場景提供超高品質光束支撐。

高可靠性設計

以全流程精細化工藝打造低缺陷外延材料：通過優化調節氣流配比、反應室壓力、生長溫度等核心參數，實現低雜質、低光學吸收的優質材料生長；應力補償設計和精細化晶圓應力調控技術，有效控制了芯片翹曲度，確保芯片封裝的一致性和可靠性；更憑借非吸收窗口設計與獨特的腔面鈍化和鍍膜技術，大幅提升腔面損傷閾值——在55A條件下，通過2000小時老化無失效，滿足工業級嚴苛需求。

創“芯”不止，載譽前行！此次蟬聯2025“中國激光星銳獎·最佳半導體激光器技術創新獎”，是度亙核芯技術實力與行業影響力的雙重印證。作為高端半導體激光芯片及模塊領域的領軍企業，公司始終以“核心技術自主可控”為發展根基，以高端激光芯片設計與制造為核心競爭力，專注于高性能激光芯片的設計與制造。通過核心技術突破與產業化落地，度亙核芯持續為工業加工、光通信、科學研究、醫療健康等多領域提供高效、穩定、可靠的光電解決方案，推動激光技術在多領域的創新應用，為中國乃至全球激光產業的高質量發展注入強勁“芯”動能！