電子發燒友網訊【編譯/David】：根據賓夕法尼亞大學的研究者研究表明，半導體材料硒化鎘能夠覆蓋在柔性塑料納米粒子的表面上，這將預示著一項重大的突破性電子技術進展——在柔性襯底上能注入高性能電子。

該研發團隊是由賓夕法尼亞材料科學工程系一名博士生David Kim領銜研發，他們在一個墨汁一樣的液體中，旋轉地將納米級的硒化鎘涂布分散在一個柔性塑料薄膜上。該項突破性進展目前已經被刊登在《自然通訊》雜志中。

除了具有高速這一特點外，硒化鎘還具有優于非晶硅的溫度特性。非晶硅通常要在幾百度高溫下進行工作，硒化鎘納米粒子只需在室溫或常溫下便可正常工作，這將為未來大規模使用柔性塑料電子電路打下堅實基礎。

柔性電子樣品的最終制造是在賓夕法尼亞大學的切麗·卡根教授實驗室完成

圖片材料提供: David Kim/Yuming Lai, Penn

使用該工藝，研究者建立了三種應用電路模型用來測試該納米晶體的性能，該模型分別是：逆變器、放大器、環形振蕩器。

“該項研究還打破了應用各種納米晶體的限制顧慮，正如我們展示的，今后在材料方面不會有任何限制，”David Kim表示。