国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

qq876811522 ? 來源:汽車半導體情報局 ? 作者:汽車半導體情報局 ? 2023-04-01 11:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連,形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發展,許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術中。目前,常用的鍵合線有鋁線、金線、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術中常用材料的性能。

表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性

f1d56892-cd76-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

1. 鋁線鍵合

鋁線鍵合是目前工業上應用最廣泛的一種芯片互連技術,鋁線鍵合技術工藝十分成熟,且價格低廉。鋁線根據直徑的不同分為細錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁線被稱為細鋁線,直徑大于100um小于500um的鋁線被稱為粗鋁線。

粗鋁線的載流能力比細鋁線強,直徑為500um的粗鋁線可承受直流約為23A的電流。鋁的熱膨脹系數為23×10-6K-1,與硅芯片的熱膨脹系數相差較大,在長時間的功率循環過程中會在封裝體內積累熱量,使模塊溫度升高,產生并積累熱應力。很容易使鍵合引線斷裂或鍵合接觸表面脫落,最終導致模塊的整體失效。在通流能力要求較高的情況下,引線的數目過于龐大,會造成鍵合接觸表面產生裂紋。 為了提高鍵合引線的載流能力,鋁帶鍵合技術逐步發展起來,圖2所示為鋁帶鏈合實物圖。

相比于鋁線鍵合,鋁帶的橫截面積大,可靠性高,不但提高了整體的通流能力,避免由于髙頻工作時造成的集膚效應,而且還有效地減小了封裝體的厚度。表面積較大,散熱效果也比鋁線要好。鋁帶鍵合由于導電性能好,寄生電感小,在頻率高,電流大的工作情況下應用較為廣泛,其缺點是不能大角度彎曲。

2. 銅線鍵合

由表1可知,銅線比鋁線的電阻率低,導電性能好,熱導率比鋁線高,散熱性能好。現在功率模塊大多追求小體積、高功率密度和快散熱,銅線鍵合技術得到了廣泛的應用。

銅線的通流能力強,直徑400um的銅線可以承受直流約32.5A的電流,比鋁線的載流能力提高了71%。銅線鍵合技術的缺點也十分明顯。由于芯片表面多為鋁合金,銅線在鍵合前需要在芯片表面進行電銀或者沉積,不但增加了成本,而且增加了在生產過程中復雜程度。銅材料的熱膨脹系數較大,與芯片不匹配,在功率循環工作條件下,產生的熱應力累積,容易使鍵合引線脫落或芯片表面產生裂痕。

3. 鋁包銅線鍵合

綜合考慮鋁線與銅線的優缺點,研發人員研制了一種新型鍵合線,在銅線外層包裹一層厚度約為25~35um的鋁。鋁包銅線如圖4所示,由于其表面為鋁材料,在鍵合時不需要事先對芯片表面進行化學電鍍處理,提高了系統的可靠性。鋁包銅線的導電性能和導熱性能均比鋁線要好,增加了鍵合引線的可靠性,提高了IGBT功率模塊的使用壽命。

4. 金線鍵合

線鍵合技術主要應用在集成度較高的IC芯片封裝中,金線的熱導率較高,散熱效果好,電阻率比鋁線低,導電性強。金線的膨脹系數為14.2×10-6K-1,為所有常用鍵合金屬材料中最低的,與硅芯片的匹配性較其他鍵合材料要好。但由于其價格過于昂貴,限制了其在半導體封裝中的廣泛應用。

5.銀線鍵合

銀鍵合線比金電阻率低,熱導率高,故無論從導電性還是散熱性都比較好,且其價格也相對較為便宜。銀線的熱膨脹系數較高,鍵合可靠性問題是需要著重考慮的。

綜上所述,不同材料的鍵合引線,其主要應用領域不同,均有一定程度的優缺點。線鍵合會有較大的寄生電感,多跟線鍵合時會有鄰近效應和電流分配不均等問題。帶鍵合雖然可有效地避免上述問題,但工藝難度增加,相應的增加制造成本。另外由于鍵合材料熱膨脹系數不匹配引起的熱應力積累,最終會影響功率器件的可靠性問題。因此在選擇鍵合引線時需要綜合考慮工藝、功率器件可靠性和成本等方面。


審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    149

    文章

    10408

    瀏覽量

    178445
  • IGBT
    +關注

    關注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    263021
  • IC芯片
    +關注

    關注

    8

    文章

    265

    瀏覽量

    28120
  • igbt芯片
    +關注

    關注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    5408
  • 鍵合線
    +關注

    關注

    2

    文章

    7

    瀏覽量

    3841

原文標題:【檔案室】IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

文章出處:【微信號:汽車半導體情報局,微信公眾號:汽車半導體情報局】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    NTC熱敏芯片工藝介紹

    隨著半導體技術的持續創新及進步,NTC熱敏芯片工藝也不斷發展。目前,芯片工藝為順應行業發
    的頭像 發表于 02-24 15:42 ?159次閱讀

    半導體芯片技術概述

    芯片貼裝后,將半導體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進行電氣連接的工藝。它實現了芯片與外部世界之間的信號、電源和接地連接。
    的頭像 發表于 01-20 15:36 ?605次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術概述

    詳解芯片制造中的中間層技術

    依據中間層所采用的材料不同,中間層可劃分為黏合劑與金屬中間層
    的頭像 發表于 01-16 12:54 ?1344次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>芯片</b>制造中的中間層<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術

    芯片工藝技術介紹

    在半導體封裝工藝中,芯片(Die Bonding)是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關鍵步驟。
    的頭像 發表于 10-21 17:36 ?2548次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>工藝技術介紹

    引線鍵合的三種技術

    互連問題。在各類互連方式中,引線鍵合因成本低、工藝成熟,仍占據封裝市場約70%的份額。引線鍵合是一種使用細金屬線,利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密
    的頭像 發表于 09-19 11:47 ?770次閱讀
    引線<b class='flag-5'>鍵合</b>的三種技術

    IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差,引發線與芯片連接部位應力集中,脆斷

    一、引言 在 IGBT 模塊散熱系統中,封裝底部與散熱器的貼合狀態直接影響熱傳導效率。研究發現,貼合面平整度差不僅導致散熱性能下降,還會通過力學傳遞路徑引發線與芯片連接部位的應力集
    的頭像 發表于 09-07 16:54 ?1949次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> 封裝底部與散熱器貼合面平整度差,引發<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>線與<b class='flag-5'>芯片</b>連接部位應力集中,<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>脆斷

    IGBT 芯片平整度差,引發線與芯片連接部位應力集中,失效

    一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中,線失效是導致器件性能退化的重要因素。研究發現,芯片表面平整度與
    的頭像 發表于 09-02 10:37 ?1958次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>芯片</b>平整度差,引發<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>線與<b class='flag-5'>芯片</b>連接部位應力集中,<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>失效

    芯片制造中的技術詳解

    技術是通過溫度、壓力等外部條件調控材料表面分子間作用力或化學,實現不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子級結合的核心工藝,起源于MEMS領
    的頭像 發表于 08-01 09:25 ?2155次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>制造中的<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術詳解

    混合(Hybrid Bonding)工藝介紹

    所謂混合(hybrid bonding),指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合工藝,來實現三維集成,在Hyb
    的頭像 發表于 07-10 11:12 ?3472次閱讀
    混合<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>(Hybrid Bonding)工藝介紹

    什么是引線鍵合芯片引線鍵合保護膠用什么比較好?

    引線鍵合的定義--什么是引線鍵合?引線鍵合(WireBonding)是微電子封裝中的關鍵工藝,通過金屬細絲(如金線、鋁線或銅線)將芯片焊盤與外部基板、引線框架或其他
    的頭像 發表于 06-06 10:11 ?1307次閱讀
    什么是引線<b class='flag-5'>鍵合</b>?<b class='flag-5'>芯片</b>引線<b class='flag-5'>鍵合</b>保護膠用什么比較好?

    混合工藝介紹

    所謂混合(hybrid bonding),指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合工藝,來實現三維集成,在Hyb
    的頭像 發表于 06-03 11:35 ?2479次閱讀
    混合<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>工藝介紹

    倒裝芯片技術的特點和實現過程

    本文介紹了倒裝芯片技術的特點和實現過程以及詳細工藝等。
    的頭像 發表于 04-22 09:38 ?2866次閱讀
    倒裝<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術的特點和實現過程

    芯片封裝中的四種方式:技術演進與產業應用

    芯片封裝作為半導體制造的核心環節,承擔著物理保護、電氣互連和散熱等關鍵功能。其中,技術作為連接裸芯片與外部
    的頭像 發表于 04-11 14:02 ?3111次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>封裝中的四種<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>方式:技術演進與產業應用

    芯片封裝的四種技術

    芯片封裝是半導體制造的關鍵環節,承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能,這其中的技術(Bonding)就是將晶圓
    的頭像 發表于 04-10 10:15 ?3218次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>封裝的四種<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術

    芯片封裝技術工藝流程以及優缺點介紹

    芯片封裝是半導體制造的關鍵環節,承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能,這其中的技術就是將裸
    的頭像 發表于 03-22 09:45 ?6415次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>封裝<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術工藝流程以及優缺點介紹