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半導體芯片鍵合技術概述

中科院半導體所 ? 來源:Semika ? 2026-01-20 15:36 ? 次閱讀
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文章來源:Semika

原文作者:Semika

本文主要講述半導體芯片鍵合技術。

鍵合是芯片貼裝后,將半導體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進行電氣連接的工藝。它實現了芯片與外部世界之間的信號電源和接地連接。鍵合是后端制造中最關鍵的步驟之一,因為互連質量直接影響器件的可靠性、性能和可擴展性。

工藝概述

目的:建立從芯片焊盤到封裝或板級互連的穩健電氣通路。

方法:引線鍵合、倒裝芯片鍵合,以及先進互連技術(硅通孔TSV、微凸點、混合鍵合)。

流程:在芯片貼裝后執行;鍵合之后是封裝和最終測試。

選擇范圍:技術選擇取決于器件復雜度、I/O密度、性能要求和成本目標。

鍵合方法

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潔凈室與環境要求

在1000級或更低潔凈度的潔凈室中進行。

引線鍵合需要機械穩定性和振動控制。

倒裝芯片和先進鍵合通常需要氮氣或真空環境,以防止回流過程中的氧化。

優勢與局限性

優勢:支持各類器件的電氣和熱集成;從低成本引線鍵合到尖端3D互連,方法具備可擴展性。

局限性:成本、性能和I/O密度之間存在權衡;先進鍵合需要生態系統級的標準化和投資。

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原文標題:半導體芯片鍵合技術概述

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