文章來源:Semika
原文作者:Semika
本文主要講述半導體芯片鍵合技術。
鍵合是芯片貼裝后,將半導體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進行電氣連接的工藝。它實現了芯片與外部世界之間的信號、電源和接地連接。鍵合是后端制造中最關鍵的步驟之一,因為互連質量直接影響器件的可靠性、性能和可擴展性。
工藝概述
目的:建立從芯片焊盤到封裝或板級互連的穩健電氣通路。
方法:引線鍵合、倒裝芯片鍵合,以及先進互連技術(硅通孔TSV、微凸點、混合鍵合)。
流程:在芯片貼裝后執行;鍵合之后是封裝和最終測試。
選擇范圍:技術選擇取決于器件復雜度、I/O密度、性能要求和成本目標。
鍵合方法

潔凈室與環境要求
在1000級或更低潔凈度的潔凈室中進行。
引線鍵合需要機械穩定性和振動控制。
倒裝芯片和先進鍵合通常需要氮氣或真空環境,以防止回流過程中的氧化。
優勢與局限性
優勢:支持各類器件的電氣和熱集成;從低成本引線鍵合到尖端3D互連,方法具備可擴展性。
局限性:成本、性能和I/O密度之間存在權衡;先進鍵合需要生態系統級的標準化和投資。
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原文標題:半導體芯片鍵合技術概述
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發表于 04-01 16:37
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