三巨頭占據市場96%的市場份額，DRAM領域是如何走到今天巨頭壟斷局面的呢？訴訟不會從根本上解決巨頭聯合操縱價格的問題，更多DRAM廠商崛起形成牽制作用才是正道，國內近幾年在DRAM上也有相當多的投入，何時能夠實現自主生產也是大家關心的重點話題。

4月28日，Hagens Berman事務所律師表示，他們調查發現三星電子、海力士和美光科技互相勾結，限制市場上各種DRAM產品的供應，從而人為地推高了DRAM價格，因此該律所代表全體美國消費者，在美國加州北部地區法院向這三家企業提起集體訴訟，指控這三家DRAM供應廠家操縱DRAM存儲器價格。

截至2017年年中，三星、海力士、美光三家制造商總共占據96%的全球DRAM芯片市場份額，其中三星大約控制三分之二。在集體訴訟指控的時間段里，DRAM的價格上漲了130%。報道稱，在同一時間段，三星電子，海力士公司和美光科技的DRAM銷售收入增長了一倍多。

該訴訟指控稱，DRAM供應商作出“統一供應決定”來限制DRAM的供應，從而使2016年和2017年產品的價格暴漲，最終導致關鍵內存產品的價格在此期間飆升。

DRAM領域是如何從80年代的40~50家企業，減少到目前96%市場份額只由三星、海力士、美光三家制造商壟斷狀況的？

1韓國三星是主要推手

1996-2011年間，以三星為代表的韓國半導體企業充分利用了存儲器行業的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產過剩、其他企業削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產，通過大規模生產進一步下殺產品價格， 從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產。

在存儲器領域，三星一共祭出過三次“反周期定律”。

20 世紀 80 年代中期，DRAM 芯片價格不斷下探，但三星逆周期投資，繼續擴大產能，并開發更大容量的 DRAM。1987 年，行業出現轉折。美國政府發起針對日本半導體企業的反傾銷訴訟案，很快 DRAM 價格回升，三星開始盈利。

1996~1999 年期間，全世界 DRAM 芯片的年營銷額呈現負增長態勢時，三星卻在此時積極興建它的四個分廠，該策略對日后三星 DRAM 芯片營收大幅增長起到巨大作用。

2007 年初，對 DRAM 需求量大的 Vista 操作系統銷量不及預期，DRAM 供過于求價格下挫， 加上 08 年金融危機的雪上加霜，DRAM 顆粒價格從 2.25 美金暴跌至 0.31 美金。三星將 2007 年公司總利潤的 118%用于 DRAM 擴產，故意加劇行業虧損，DRAM 價格 2008 年中跌破了現金成本，2008 年底更是跌破了材料成本，2009 年初，德系廠商奇夢達宣布破產，2012 年初，日系廠商爾必達宣布破產，三星市占率進一步提升，穩坐 DRAM 行業霸主之位。

到此為止，全球DRAM領域巨頭就只有三星、海力士和美光了。

早在1981-1995年，三星就在DRAM領域打下堅實基礎。

1981年，在韓國政府的推動下，三星、現代和金星大舉參與超大規模集成電路技術水平的大規模芯片生產，尤其類似DRAM的金屬氧化物半導體內存芯片生產。

事實上，三星基本上引領了韓國DRAM 產業的發展。

1982 年，三星建立了半導體研究與開發實驗室， 主要集中于雙極和金屬氧化物半導體(MOS)的研制；

1983 年，三星在京畿道器興地區建成首個芯片廠，并成功大批量量產 64K DRAM，其設計技術從美光公司獲得，加工工藝從日本夏普公司獲得，當年三星取得了夏普“互補金屬氧化物半導體工藝”的許可協議。

1984 年,三星生產出 6 英寸晶圓并開發出了 256K DRAM,擠進全球芯片領域一線陣容，此時英特爾、日立和 NEC 等技術領先企業正在試生產 6 英寸的晶圓。

1985 年，三星輸出首批超大規模集成電路產品——64K DRAM； 研發出 256K ? DRAM，而且取得了英特爾“微處理器技術”的許可協議。

1986 年，三星開始大規模生產 256K DRAM；同時開發出 1M DRAM。在這一年，三星經濟研究院（SERI）成立，標志著三星開始走上自主研發的道路。同年，金星半導體公司在 256K SRAM 微晶片的制造技術上有了重大突破。

1987 年，電子通信研究所聯盟（ETRI）生產出 4M DRAM 原型，三星等大企業也從中得到相當多的技術經驗，這直接促使三星在 1988 年研制出 4M DRAM。

1990 年，三星開發出世界第三個 16M DRAM。進入 90 年代,韓國 DRAM 技術的國產化步伐加快,水平也有很大的提高,16MRAM、64M DRAM 相繼在 1990 年、1992 年開發成功,256M 和 1G DRAM 接踵于 1994 年、1995 年問世，韓國在 DRAM 領域超過日本，摘下世界第一的桂冠。

1981-1995年這十幾年的發展和沉淀，為三星后續發起多次“反周期定律”價格戰打下了堅實基礎。

很明顯，在三星發起的多次價格戰下，DRAM領域多數廠商走向破產，從而逐漸形成目前僅剩幾家壟斷市場的狀況。

2國內何時能自主生產DRAM ?

面對巨頭聯合操控DRAM價格，提起訴訟不會從根本上解決問題，即時他們被強制要求罰款（或許根本不會罰），之后他們仍然可能繼續操控價格，因為沒有挑戰者，下游廠商還是必須買他們的產品。

為了打破目前被壟斷的局面，近幾年國內在DRAM領域也有相當多的投入。目前在DRAM 領域有投入的包括合肥長鑫、福建晉華、長江存儲這三家。

合肥長鑫

2018年4月15日，在合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，睿力集成電路有限公司首席執行官王寧國在介紹合肥長鑫存儲器項目的 5 年規劃時表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

項目進展

2018年1月，已經完成DRAM內存芯片一期（一廠廠房）建設；

2018年底將開始生產8Gb DDR4存儲器的工程樣品；

2019年底有望達到2萬片/月的產能；

2020年再開始規劃二廠廠房的建設；

2021年要完成對17nm工藝節點的技術研發。

如果合肥長鑫存儲項目正式投產，預計將在DRAM市場占得約8%的市場份額。

福建晉華

國家重點支持DRAM存儲器生產項目，由福建省電子信息集團及泉州、晉江兩級政府共同投資。項目被國家納入了“十三五”集成電路重大生產力布局規劃項目列表，并獲得首筆30億元人民幣的國家專項建設基金支持。

該項目由臺聯電與晉華合作開展，雙方曾簽署了技術合作協議，項目接受晉華委托并開發DRAM存儲器相關的制程技術，晉華則提供DRAM特用設備并依開發進度支付技術報酬金作為開發費用，開發成果由雙方共同擁有。

項目進展

2017年11月，已完成封頂；

2018年7月，預計遷入機臺設備；

2018年第 3 季度一期項目開始投產，預計達到6萬片/月的產能規模；

目前，整個項目正在加速推進中，希望能夠提前投產。

長江存儲

也在推進20/18nm的DRAM開發，但是目前重心放在3D NAND flash的開發上面。按照長江存儲的說法，DRAM進度慢于NAND FLASH，那么DRAM量產最快是在2020年。

總結語：相隔三十多年的差距，想在幾年時間內實現趕超是很艱難的，然而從近幾年的進展可以看出，多一份投入也就多一份成績，今年和明年國內將會逐漸擁有自己量產的DRAM芯片，未來能否在價格上不被巨頭聯合操縱控制，需要付出的努力還很多。