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電子發燒友網>存儲技術>三星1Gb eMRAM內存良率已達90% 待機狀態下完全不會耗電

三星1Gb eMRAM內存良率已達90% 待機狀態下完全不會耗電

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三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577

三星開始生產1Gb容量的eMRAM內存 最新已經達到90%

今年3月份,三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內存容量8Mb,可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。
2019-12-27 09:23:222717

三星量產1GB eMRAM內存已經達到90%

今年3月份,三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內存容量8Mb,可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。
2019-12-27 16:07:534212

三星16GB LPDDR5內存開始量產,內存速率有5500Mps

近日三星宣布開始量產單封片16GB容量LPDDR5內存,而16GB LPDDR5的內存速率可以達5500Mps,是LPDDR4X-4266的1.3倍,功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372

三星Galaxy S21 Ultra的系統界面曝光:確認最高配備16GB內存

擁有16GB+512GB內存組合,這也確認了Galaxy S21 Ultra將配備16GB內存的傳聞。 網曝三星Galaxy S21 Ultra系統界面截圖 據悉,三星此次依然會帶來
2021-01-05 14:10:374559

DDR3內存或退出市場三星等大廠計劃停產DDR3內存

帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續接受且在2023年年末之前完成DDR3內存的訂單,并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內存生產。繼三星之后,SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內存的生產,不對客戶繼續提供DDR3內存,不過大芯片供應商中的美光
2022-04-06 12:22:566223

三星開發出首款512GB內存擴展器

今日,作為先進內存技術的廠商,三星宣布開發出三星首款512GB內存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業化邁出了重要一步,CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306

三星3納米代工成本如何?3納米GAA制程僅20%!

從一些公開的信息來看,三星看似在3nm制程節點上先行一步,但實際生產也難盡人意。 據悉,三星電子3納米芯片首家客戶是來自中國的半導體企業PanSemi(磐矽半導體),后者據稱是一家專門生產比特幣挖礦機芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630

三星3nm已經超過臺積電?

目前三星在4nm工藝方面的為75%,稍低于臺積電的80%。然而,通過加強對3nm技術的發展,三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:424328

三星宣布開發業界首款車用級5nm eMRAM

三星在會上表示,作為新一代汽車技術,正在首次開發5nm eMRAM三星計劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產品有價證券組合,2年后升級為8納米制程。
2023-10-23 09:57:221309

三星突破4nm制程瓶頸,臺積電該有危機感了

三星已將4nm制程提升到了70%左右,并重點在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經將其新一代FSD芯片交由三星生產,該芯片將用于特斯拉計劃于3年后量產的Hardware 5(HW 5.0)計算機。
2023-12-01 10:33:453358

三星3納米不足60%

三星近年來在半導體制造領域持續投入,并力爭在先進制程技術上取得突破。然而,據韓媒報道,三星在3納米制程上的問題似乎仍未得到有效解決,這對其在市場上的競爭力構成了一定的挑戰。 據百能云芯電子.元器
2024-03-11 16:17:051032

三星電子NAND開工已提高至90%

據相關業內人士21日透露,近期三星電子NAND開工已提高至90%,此前存儲行業衰退時三星開工一度下降至60%。
2024-04-22 15:26:29967

三星Galaxy S25 Ultra 內存將升級至16GB

據報道,三星Galaxy S24 Ultra已現身市場,其存儲版本分別有256GB、512GB1TB款,但內存皆為12GB。然而,最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或將內存提升至16GB
2024-05-10 14:25:371353

三星電子正按計劃推進eMRAM內存制程升級

三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布,其正按計劃穩步進行eMRAM(嵌入式磁性隨機存取內存)的制程升級工作。據悉,目前8nm eMRAM的技術開發已經基本完成,這一進展標志著三星電子在內存技術領域的又一次重要突破。
2024-06-04 09:35:01855

三星電子12nm級DRAM內存不足五成

近日,據韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了不足的挑戰。目前,該制程的仍低于業界一般目標的80%~90%,僅達到五成左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升
2024-06-12 10:53:411408

三星第五代DDR產品不達標

據報道,三星電子在最新的半導體技術探索中遭遇了挑戰。其第五代10nm級(1b)制程DRAM的尚未達到業界通常期望的80%~90%的水平,這一狀況引發了業界的廣泛關注。
2024-06-13 09:41:181485

三星3nm芯片低迷,量產前景不明

近期,三星電子在半導體制造領域遭遇挑戰,其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產持續低迷,目前仍低于20%,遠低于行業通常要求的60%量產標準。這一情況引發了業界對三星半導體制造能力的質疑,同時也使得該芯片未來能否順利應用于Galaxy S25系列旗艦智能手機充滿了不確定性。
2024-06-24 18:22:362241

三星蓄勢待發:揭秘完全不同的AI手機新紀元

Review》的專訪時,向外界透露了一個令人振奮的消息——三星正全力研發一款“完全不同”的AI手機,這一消息瞬間在科技圈內引起了軒然大波。
2024-07-23 15:14:071265

三星重啟1b nm DRAM設計,應對與性能挑戰

近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發里程碑延期

據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內存開發里程碑推遲

據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否認重新設計1b DRAM

據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的和性能
2025-01-23 10:04:151361

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