利用光刻技術和離子刻蝕技術，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。

　　濕法氧化

　　生長未有氮化硅保護的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區。

　　生成SIO2薄膜

　　熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。

　　氧化

　　LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進行光刻，以及等離子蝕刻技術，柵極結構，并氧化生成 SiO2 保護層。

　　形成源漏極

　　表面涂敷光阻，去除 P 阱區的光阻，注入砷 (As) 離子，形成 NMOS 的源漏極。用同樣的方法，在 N 阱區，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。

　　沉積

　　利用 PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護元件，并進行退火處理。

　　沉積摻雜硼磷的氧化層

　　含有硼磷雜質的SiO2 層，有較低的熔點，硼磷氧化層(BPSG) 加熱到800 oC 時會軟化并有流動特性，可使晶圓表面初級平坦化。

　　深處理

　　濺鍍第一層金屬利用光刻技術留出金屬接觸洞，濺鍍鈦+ 氮化鈦+ 鋁+ 氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結構，并用PECVD 在上面沉積一層SiO2 介電質。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦，加熱去除SOG 中的溶劑。然后再沉積一層介電質，為沉積第二層金屬作準備。　　(1) 薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。有絕緣膜、半導體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學反應的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理現象的PVD(physical vapor deposition) 法兩大類。CVD 法有外延生長法、HCVD ， PECVD 等。PVD 有濺射法和真空蒸發法。一般而言， PVD 溫度低，沒有毒氣問題; CVD 溫度高，需達到1000 oC 以上將氣體解離，來產生化學作用。PVD 沉積到材料表面的附著力較CVD 差一些， PVD 適用于在光電產業，而半導體制程中的金屬導電膜大多使用PVD 來沉積，而其他絕緣膜則大多數采用要求較嚴謹的CVD 技術。以PVD 被覆硬質薄膜具有高強度，耐腐蝕等特點?！　?2) 真空蒸發法( Evaporation Deposition )采用電阻加熱或感應加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發原料的分子(或原子)的平均自由程長( 10 -4 Pa 以下，達幾十米)，所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達基片。到達基片的原料分子不具有表面移動的能量，立即凝結在基片的表面，所以，在具有臺階的表面上以真空蒸發法淀積薄膜時，一般，表面被覆性(覆蓋程度)是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空( <10 – 8 torr )，并且控制電流，使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長( MBE ： Molecular Beam Epitaxy )?！　?3) 濺鍍( Sputtering Deposition ) 所謂濺射是用高速粒子(如氬離子等)撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現象來形成薄膜的技術即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發法相比有以下的特點：臺階部分的被覆性好，可形成大面積的均質薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金( Al-Si, Al-Si-Cu )等都是利用濺射法形成的。最常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻( 13.56MHz )電源，使氬氣(壓力為1Pa )離子化，在靶材濺射出來的原子淀積到放到另一側電極上的基片上。為提高成膜速度， 通常利用磁場來增加離子的密度， 這種裝置稱為磁控濺射裝置( magnetron sputter apparatus )，以高電壓將通入惰性氬體游離，再藉由陰極電場加速吸引帶正電的離子，撞擊在陰極處的靶材，將欲鍍物打出后沉積在基板上。一般均加磁場方式增加電子的游離路徑，可增加氣體的解離率，若靶材為金屬，則使用DC 電場即可，若為非金屬則因靶材表面累積正電荷，導致往后的正離子與之相斥而無法繼續吸引正離子，所以改為RF 電場(因場的振蕩頻率變化太快，使正離子跟不上變化，而讓RF-in 的地方呈現陰極效應)即可解決問題。

　　光刻技術定出 VIA 孔洞

　　沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結構。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護層。

　　光刻和離子刻蝕

　　定出 PAD 位置。

　　最后進行退火處理

　　以保證整個 Chip 的完整和連線的連接性。