電子發燒友早八點訊：隨著全球移動芯片市場的爆發性增長，重塑了半導體產業格局，也給中國半導體產業帶來了彎道超車的機會。自2014年《國家集成電路產業發展推進綱要》發布并同期成立國家集成電路產業領導小組和國家集成電路產業投資基金以來，中國各地政府圍繞集成電路產業發展進行戰略部署，提升中國半導體產業在設計、制造和封測等技術上的長足進步，吸引了各路資本的迅猛支持，加大了自主創新的技術導入，推動了集成電路大時代的到來。

筆者通過梳理《國家集成電路產業發展推進綱要》發布前后中國半導體投資案例，發現近年來圍繞紫光、武漢新芯、海力士、合肥長鑫、三星、聯電、英特爾、福建晉華、臺積電、中芯國際等十家半導體廠商發生的中國十一大半導體投資案總額已經超過1000億美元。

1、紫光南京半導體產業基地項目投資案最大

2017年1月份，紫光集團宣布紫光南京半導體產業基地及新IT投資與研發總部項目，在南京正式簽約，總投資2600億元人民幣，其中約300億美元投向紫光南京半導體產業基地。

據悉，紫光南京半導體產業基地項目由紫光集團投資建設，主要產品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元，月產芯片10萬片。

紫光南京半導體產業基地項目位于南京市江北新區浦口經濟開發區集成電路產業園，以存儲芯片及存儲器尖端制造環節為突破口，集存儲產品設計、技術研發、生產制造、銷售于一體，可帶動設計、制造、封裝、測試等集成電路產業鏈的發展。

而除紫光南京半導體產業基地項目外，紫光集團還將投資約300億元圍繞南京半導體產業基地建設配套IC國際城，包含科技園、設計封裝產業基地、國際學校、商業設施、國際人才公寓等綜合配套設施，由紫光集團旗下紫光云數科技有限公司為主體。該項目將遵循“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”三合一的新模式。該項目巨額的投資強度居中國集成電路行業單體投資前列，將產生巨大的虹吸效應，并吸引更多的產業鏈企業和科技人才聚集，加快本地高新產業發展。

2、武漢新芯32層3D NAND芯片通過各項指標測試

2016年3月28日，國家存儲器基地項目揭牌落戶武漢新芯，項目總投資達240億美元（約1600億元人民幣）的存儲器基地正式啟動，以生產Flash、DRAM等存儲芯片為主，發展3D NAND技術。

該項目位于湖北武漢東湖高新區的光谷智能制造產業園，建設內容包括芯片制造、產業鏈配套等，將在5年內投資240億美元，預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模，到2030年建成每月100萬片的產能，年產值將超過100億美元。而這一存儲器基地項目以芯片制造環節為突破口，涵蓋存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售等。

2016年7月26日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱長江存儲）正式成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合伙企業（有限合伙）和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎上建立長江存儲，趙偉國任長江存儲董事長。武漢新芯將是長江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同出資。項目一期計劃2018年建成投產，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。

長江存儲將以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產制造能力為基礎，繼續拓展武漢新芯目前的物聯網業務布局，并著力發展大規模存儲器。目前，長江存儲的32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，預計2018年實現量產，并于2019年實現產能滿載。

3、SK海力士無錫12吋廠進入六期技術升級

自2005年以來，歷經5期重大投資建設，海力士在江蘇無錫12吋廠累計投資額達105億美元，是江蘇省單體投資規模最大的外商投資項目。

2017年6月，SK海力士12吋集成電路生產線六期技術升級項目，利用SK海力士半導體（中國）有限公司自有存量土地，引進新設備，將半導體生產技術升級至1Y納米級別。項目建設后，形成每月9萬片的生產能力。

據悉，本次六期工程將現有的20nm級產品大部分升級至10nm級產品的同時，進一步降低10nm級產品的線寬。本項目建成后，全廠將形成總產量121K片/月12英寸集成電路芯片的生產能力，其中10nm級產品115K片/月，20nm級6K片/月。2017年計劃投資46億元，將于2019年建成投產。

4、合肥長鑫興建12寸晶圓廠投產DRAM

2017年5月，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣布，預計由合肥長鑫投資72億美元的金額，興建12寸晶圓廠以發展 DRAM 產品，以生產 19nm DRAM 產品為主，預計最大月產將能高達 12.5萬片的規模。

據悉，這家由合肥長鑫公司所創立，名稱為 Rui-Li 集成電路公司的12寸晶圓廠，預計在 2018 年第 1 季開始安裝生產設備，并且開始與晶圓供應商進行商談，以確保 2018 年內獲得穩定的晶圓供應。在晶圓廠建設完成之后，月產能預計將高達 12.5 萬片，其規模與韓國SK Hynix現在的產能差不多。

目前，合肥長鑫的施工速度要比長江存儲的速度快一些，廠房正在加速建設中，預計9月完成。從產品的原型設計，到試量產仍需要一年多的時間，加上產能的提升，預計2019年2月才能實現大規模量產，2019年底有望實現12.5萬片的月產能。

5、三星西安廠有望擴產，傳9月動工

三星電子早在2012年宣布在陜西西安設立三星半導體西安工廠，工廠建設初期所投入23億美元資金，并計劃將在數年間對工廠階段性地分批投資70億美元。

根據計劃，三星電子計劃分三期建設完成，一期投資的12英寸閃存芯片項目在西安高新區開工奠基，到2013年年底達到設計產能后，每月可生產NAND閃存芯片10萬片。

2014年首次啟動的西安工廠，是三星3D V-NAND的核心生產基地。相關人士表示，啟動不到2年的西安工廠，如以晶圓投入基準來看，已逼近每月10萬片水準，產量大大超過原本預估的6萬~7萬片水準。

2017年5月，三星電子正在考慮擴大西安工廠的產能，但具體細節還未確定，包括可能的投資規模以及新增產能將用于生產哪些產品。消息人士透露，三星與西安政府正進行協商最后階段，很可能在9月動工。目前，三星西安廠現有第一產線是在2014年興建，月產12萬片NAND內存晶圓，若加上規劃中的第二產線，產量將達20萬片。

6、聯電廈門12寸晶圓廠切入28納米，Q3量產

2015年3月晶圓代工廠聯電與廈門市政府、福建省電子信息集團合資成立晶圓廠聯芯集成電路開始動工，并在同年11月宣布，廈門12寸合資晶圓廠聯芯集成電路制造（廈門）開始營運，這是首座兩岸合資12寸晶圓廠，投資金額將達到62億美元。

據悉，聯芯集成電路12寸廠于2014年底籌建，2016年12月試生產。初期將投入40/55納米晶圓代工，月產能可達6000片12寸約當晶圓的數量，后逐步過渡到最先進的28納米，鎖定通訊、信用卡、銀聯卡等芯片應用。

2017年5月，聯芯在聯電的協助下，28納米制成初期投產的良率高達94%，顯示了聯電在28納米制程技術上的穩定性。目前，聯芯有40納米的月產能達6000片，2017年年底前月產能將拉高至1.6萬片。

目前，聯電的先進制程技術已前進至14納米，轉投資的廈門聯芯也已獲準切入28納米。聯電財務長劉啟東表示，聯芯引進28納米制程之后，本季投產5000片，預計第3季產出，主要是供應大陸客戶通訊應用所需，后續規劃今年底前再增5000片設備裝機，明年初投產后，估計明年中會開始有產出。后續聯芯產能擴增到2.5萬片的部分，會以28納米為主，但擴產時程未定。

7、英特爾大連NAND Flash廠今年實現增資擴建

2015年10月20日，英特爾宣布與大連政府配合，將原先以 65 納米制程生產處理器芯片的中國大連廠，轉型為生產最新的 3D NAND Flash 芯片，總投資金額高達 55 億美元。據英特爾投資金額與大連廠的產能建置來評估，每個月至少可布建 30，000-40，000 片的 3D-NAND Flash。

英特爾大連工廠2007年奠基，2010年正式投產。2015年決定增加投資55億美元對英特爾大連工廠進行升級改造，打造世界最先進的非易失性存儲設備制造基地。2016年7月，升級改造工程實現提前投產。大連工廠是英特爾在全球首個使用300毫米晶圓領先生產技術的NVRAM產品集成電路制造中心。

2017年5月，英特爾公司在英特爾半導體（大連）有限公司正式發布DC P4500及P4600系列兩款世界領先的采用3D NAND技術的全新數據中心級固態盤新產品，并宣布將對英特爾大連工廠進一步增資擴建。這兩款產品主要為云存儲解決方案所設計，可應用于軟件定義存儲及融合式基礎設施，代表著世界領先水平，標志著大連市集成電路產業躍上新高度，為大連成長為世界級的存儲制造中心奠定了基礎。

8、福建晉華12寸DRAM廠，最快明年9月投產

2016年5月，福建晉江與福建省晉華集成電路（集成電路）公司簽約合作的12寸廠，負責DRAM的技術開發與生產的工作，最快2018年9月正式投產。

福建省晉華集成電路有限公司（簡稱晉華公司）是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資的集成電路生產企業，是國家大基金積極布局的戰略項目。晉華項目總投資 370 億元（約53億美元），已納入國家十三五集成電路重大項目清單，并得到第一筆 30 億元國家專項資金支持，將通過引進***和全球技術、人才、資源，打造中國第一個自主技術的內存制造項目及 12 吋晶圓廠，爭取 3-5 年內在國內主板上市。

據悉，福建省晉華12寸新廠初期將導入32納米制程，預期在2018年9月開始試產，規劃每月 6 萬片 12 吋晶圓產能，投入DRAM及相關產品的研發生產與銷售，預計2019年到2020年期間將月產能擴大至3萬片。項目投產后，預計員工數將達 4000 多名。

2017年2月，聯電資深副總經理陳正坤出任福建晉華集成電路總經理，聯電表示，陳正坤將協助晉華建廠，力爭今年10月底完成FAB廠房主體結構，最快2018年9月正式投產。2017年4月~6月晉華已計劃推出R＆D迷你產線，以實現每月5000片的產能。

9、臺積電南京12寸晶圓廠開工，7nm 年內tape out

2016年3月28日，臺積電與南京市政府共同簽訂投資協議書，確立將以總投資額30億美元在南京市成立100%持股的臺積電（南京）有限公司，該公司下設一座12吋晶圓廠及一個設計服務中心。

臺積電在南京市的12吋晶圓廠位于南京市浦口經濟開發區，該廠規劃月產能為2萬片12吋晶圓，預計于2018年下半年開始生產16納米制程，2019年規劃產能全部達產。這是繼聯電、力晶之后，***赴大陸設立的第三座12寸晶圓廠，也是臺積電在大陸第一座12吋晶圓廠。

業界預計，臺積電南京廠投產后，臺積電芯片的全球占有率將由55%增至57%；臺積電的30億美元投資，將帶動超過300億美元的產業發展。

2017年3月，臺積電南京有限公司總經理羅鎮球表示，臺積電7納米預計2017年下半將為客戶tape-out生產。此外，他透露EUV最新曝光機臺在臺積電已經可以達到連續3天穩定處理超過1500片12吋晶圓。臺積電南京廠預計2017下半年就要移入生產機臺；2018上半年試產，2018下半年正式投入量產。

10、英特爾15億美元入股紫光展銳，持股占比20%

2014年9月26日，英特爾和紫光集團今天共同宣布，雙方已簽署一系列協議，英特爾同時將向紫光旗下持有展訊通信和銳迪科微電子的控股公司投資人民幣90億元（約15億美元），并獲得20%的股權。

雙方稱，上述協議旨在通過聯合開發基于英特爾架構和通信技術的手機解決方案，在中國和全球市場擴展英特爾架構移動設備的產品和應用。

2017年2月，雙方深度合作的首款芯片SC9861G-IA正式問世。展訊推出14nm八核64位LTE SoC芯片平臺SC9861G-IA，采用英特爾14納米制程工藝，內置英特爾Airmont處理器架構，具備高效的移動運算性能和超低功耗管理，將為終端用戶帶來旗艦級的用戶體驗。英特爾從工藝制程到芯片架構給予了大力支持，期待展訊充分利用英特爾在工藝和應用上的優勢，在市場競爭中抓住機會。

11、中芯國際收購意大利8寸晶圓代工廠LFoundry 70%股權

2016年6月24日，中芯國際、LFoundry Europe GmbH與Marsica Innovation S.p.A.共同宣布，三方簽訂協議，中芯國際將出資4900萬歐元（約5680萬美元），收購由LFE以及MI控股的意大利集成電路晶圓代工廠LFoundry 70%的股份。

此次收購使中芯國際和LFoundry雙方受益，不僅提高了聯合產能，擴大整體技術組合，更能幫助中芯國際拓展在汽車電子市場的機會。據悉，2016年中芯國際12寸月產能達6.25萬片，8寸月產能達16.2萬片，折合8寸晶圓產能每月約30.26萬片。LFoundry的8英寸晶圓產能為每月4萬片，交易完成后 ，幫助中芯國際的整體產能提升約 13% ，有助于提高對客戶產能支援的靈活性，為中芯國際和 LFoundry帶來更多的商機 。

LFoundry致力于汽車電子、安全及工業應用，包括CIS、智能電力、輕觸式顯示屏及嵌入式存儲器等，這是中國內地集成電路晶圓代工業首次成功布局跨國生產基點，中芯國際不僅在政策收緊前完成了此次收購，還憑借此項收購正式進駐全球汽車電子市場，實現在技術、產品、人才和市場方面的優勢互補。