中國大陸擁有龐大IC產品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產品進口。為此中國國務院于2015年3月發起“2025年中國制造”（MIC 2025）計劃，目標到了2020年達到4成的IC產品自給自足率目標，到了2025年更要達到7成水準。不過市調機構IC Insights分析認為，這項目標恐難達成，而技術落差也成為現階段大陸IC產業發展面臨的最主要困境。

國家層級IC產業供需自給自足的迷思

根據IC Insights報導指出，現實情況下在整體IC產業中由于各環節環環相扣，任何缺少不論是一款低階IC、制程材料或封裝類型等的情況，都有可能導致整個電子系統的生產及出貨受到影響。因此，透過政府力量設定一個要達到的自給自足或一定水準供應比例的數字，將是不切實際的做法。

如美國政府在1980年代初期試圖確保用于生產軍用IC的每個晶圓制造、封裝材料以及半導體制程設備的每個環節中，至少有一個是來自美國本地制造的產品、材料或技術，但若有無法由美國本地供應的情況產生，就有可能導致整個產線無法生產及出貨，因此政府設定低于100%自給自足率目標的規定反而成為了限制及不可能達成的任務。美國政府30多年前這項目標最終就以不得不放棄告終，即使當年的IC制程還不是很復雜。

因此，可以說任何在IC產業中低于100%自給自足率的情況，都可以說是未達自給自足的水準。

大陸發展IC產業資金不成問題　技術才是主要困境

對中國政府來說，若要讓2025年中國制造的計劃成真，資金及技術掌握將成為兩大關鍵，兩者被認為對目標達成與否有著相等重要性，其中在資金掌握上較不是問題，如中央政府已批準提供大陸本地IC產業發展達近200億美元的資金支持，大陸地方政府及民間投資者合計也可望提供另外近1，000億美元的資金支持。

整體而言上述合計的龐大資金支援規模，可能已足以投建至少10座大規模300納米IC產線。由此可確定大陸在發展自有IC產業上，在資金獲取上應不是什么太大問題。

因此，發展阻礙反而主要是出在技術掌握上。雖然自2014年起大陸IC產業積極尋求向海外進行既有IC企業及技術收購移動，欲借此壯大自有新投建的晶圓廠房實力，并因此獲致部分成功案例，如買下ISSI及豪威科技（OmniVision），但發展至今許多海外國家政府對于大陸IC產業對中國IC企業的收購移動均已產生戒心，美國政府即為一明確案例，因而對大陸IC產業的收購移動會有所限制及阻擋。

在此情況下，反而不利大陸IC產業未來持續借由收購策略，壯大自有技術實力的可能性，可以說此途徑的機會之窗已經關上，未來大陸IC產業只能尋求自行研發的方式壯大自有技術水平。

因此，目前大陸新投建晶圓廠所采用的制程技術，相較于全球一線晶圓大廠仍落后達至少兩個世代，如福建省晉華集成電路公司投建的12吋晶圓廠仍在32納米DRAM制程技術階段，上海華力微電子新廠房制程技術也仍在28納米世代，這讓大陸半導體業者要與國際一線大廠競爭，仍存在一段明顯技術上的落差。

人才挖角取得他廠知識產權策略　恐得不償失

雖然近期外傳大陸IC產業透過挖角三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及英特爾（Intel）大陸IC產線工程師的方式，欲強化自主技術開發能力，因這些被挖角工程師能夠將原服務公司的專利權及經驗帶到新公司，不過IC Insights認為這是相當危險的方法，最顯著例子就是約10多年前臺積電與中芯國際（SMIC）的專利侵權案。

臺積電在2003年控訴中芯國際挖角超過100名前臺積電員工，要求這些員工提供臺積電的商業機密給中芯國際，臺積電指控中芯國際侵犯該公司5項IC制程技術專利，而后再增至8項，最后到了2015年初由中芯國際支付臺積電1.75億美元、以及臺積電取得中芯國際8%股份解決此爭議。由此，可看出要透過人才挖角取得他廠專利，反而可能導致自身面臨更大的法律爭訟與賠償風險。

全球DRAM及NAND Flash產業發展多年，發展至今形成只剩幾家主要大廠瓜分市占率局面，這些大廠早已掌握大量相關專利，若大陸半導體業者欲自行開發新的DRAM或NAND Flash技術，將很有可能侵犯到主要大廠持有的專利，屆時面臨的侵權訴訟戰反而恐讓大陸業者得不償失。

雖然預期2016~2021年大陸本地IC生產的年復合成長率（CAGR）可望迎來非常強勁的18%水準，但有鑒于2016年大陸IC生產規模僅130億美元，因此即使CAGR高，但仍只是從相對小的產值規模茁壯起，規模要見到大幅擴增仍需時間。