近年來，全球電子產業的飛速發展，拉動了中國本土的電子市場高速增長，無論是在消費端還是制造端，中國的全球地位日益重要。但與終端市場的火爆相比，中國在電子產品上游的元器件領域表現則差強人意。

　　早兩年的海關數據顯示，集成電路竟然取代石油成為中國進口額最大的商品，尤其是在主控和存儲這些與安全密切相關的芯片，更是牢牢掌握在國外廠商手里，這一切讓中國的自主可控成為一個偽命題。

　　為了實現真正的自主可控，國內成立了集成電路投資基金，通過內部建設和外部收購兩種方式，全方位推動中國集成電路發展。在全民投入的影響下，中國集成電路在即將過去的2016年里也取得了驕人的成績，主要體現在以下幾個方面。

　　一． 國內遍地開花的晶圓廠建設

　　二． 中國存儲三足鼎力，挑戰美日韓

　　三． 中國集成電路設計企業數量翻倍達1300家

　　四． 國產服務器CPU芯片初見曙光

　　五． 中國FPGA的出路在何方？

　　六． 國內瘋狂擴張的OLED工廠建設，能重演LCD的輝煌嗎？

　　七． 君正正式拿下OV（OminiVision），補全中國CMOS 傳感器CIS的空缺

　　八． 中興被制裁事件，凸顯中國缺“芯”之痛

　　九． 中國半導體海外并購之路愈發艱難

　　十． 華為Kirin 960手機處理器，追上國際領先水平

　　一、 國內遍地開花的晶圓廠建設

　　自從臺積電的張忠謀開創了晶圓代工這種模式以后，半導體產業起了翻天覆地的變化，不但孕育了很多專注于設計的Fabless，針對不同的應用和領域的晶圓廠也如雨后春筍般冒起。

　　作為半導體產業鏈的重要組成部分，晶圓廠的地位無可取替，因為沒有他，你再高明的設計最后都是落實不下來。尤其是最近幾年，隨著設計的復雜化和制程的推進，晶圓廠的地位日益重要。

　　另外，龐大的市場份額和營收，也讓實業家對其虎視眈眈。

　　根據市場研究公司Gartner的數據顯示 2015年全球半導體市場規模為3348億美元，而晶圓代工產業的總產值則為 488 億美元，所占比率為13.38%，當中尤以臺積電最為出色。2015年，臺積電的市場份額高達54.8%。

　　正在大力建設半導體產業的中國半導體不會對這個大蛋糕視而不見。從國際大廠英特爾、三星到***的聯電、力晶和臺積電，到中國本土的中芯國際、長江存儲等半導體廠商在中國投資、設廠的消息頻頻躍上新聞版面。

　　根據國際半導體協會（SEMI）的數據顯示，2016、2017 年新建的晶圓廠至少就有19 座，其中高達10 座都將落腳中國，中國的晶圓廠建設熱度可見一斑。從PDF Solution（中國）提供的數據，我們更是對中國晶圓廠布局了解得一清二楚。

　　二、中國存儲三足鼎立，挑戰美日韓

　　中國在存儲（主要是DRAM和Flash）的布局也是2016年最值得銘記的一件事。

　　大家知道，存儲是電子設備必不可少的組成部分，尤其是近年來移動設備和大數據的火熱，全球對存儲的需求更是水漲船高。2015年，全球存儲器的銷售額為772億美元，占全球半導體總額的23%。中國市場的消耗量更是占了大半壁江山，去年的市場規模約為400億美元。

　　未來的大數據持續的前景看好加上物聯網可見爆發帶來的驅動，市場對存儲的需求會持續升溫，旨在發展自主半導體產業的中國廠商不會放任這個市場被美日韓的鎂光、三星、SK海力士和東芝等壟斷，于是在2016年加大投入建設中國自主存儲產業，而采取的方式同樣是面向海內外的合眾連橫。

　　截止2016年底，中國存儲已經形成了三大勢力：一是紫光聯合武漢新芯組成的長江存儲；一個是福建晉華和聯電組成的新勢力；還有一組勢力就是兆易創新和合肥的聯手。這三大勢力將扛起中國存儲的未來：

　　根據科技新報報道，長江存儲旗下的武漢新芯新基地將分三期，總規劃面積約 100 萬平方米，一期于 8 月開工、預計 2018 年建設完成，月產能約 20 萬片，而官方目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。第一步已與 NOR 內存廠商飛索半導體（Spansion）簽訂技術授權，從 3D NAND Flash 下手，并預計 2017 有能力推出 32 層堆疊、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash。在DRAM進展上與美光洽談技術授權還未有眉目，也有消息指出，高啟全正招兵買馬透過人脈挖角中國***地區DRAM相關人才，或為建廠做準備。

　　福建晉華和聯電的合資項目則針對DRAM。科技新報表示，福建省政府在 5 月宣布，所投資的晉華集成與聯電簽訂技術合作協定，由聯電接受晉華委托開發DRAM相關制程技術，生產利基型DRAM，團隊由瑞晶、美光***前總經理、現任聯電資深副總經理陳正坤領軍，在 7 月 12 寸廠建廠奠基的同時，已在中國***地區的南科建立小型試產線，據了解初期將導入 32 納米，但最終目標其實放在 25 納米以下制程，以求與其他DRAM大廠不致有太大落差，初步產能規劃每月 6 萬片，估計 2017 年底完成技術開發，2018 年 9 月試產，并在 2019 年以前將產線移轉至福建新廠。

　　而收購了美國DRAM廠ISSI的本土NOR Flash廠商兆易創新則聯手合肥政府，主攻DRAM。這個項目由兆易創新和中芯國際前CEO王寧國主導。

　　三、 中國集成電路設計企業數量翻倍達1300家

　　這是今年最受中國半導體產業關注的事件之一。

　　從魏少軍教授在湖南長沙舉辦的“中國集成電路設計業2016 年會暨長沙集成電路產業創新發展高峰論壇”上的演講得知，今年中國集成電路設計公司的總量超過1300家，較上一年的600多家差不多上升了一倍，這讓大部分的中國集成電路從業者倍感驚訝。但這一切其實都是有跡可循的。

　　首先就是國家和各地集成電路的基金支持，吸引了越來越多的公司投入了集成電路設計，而良好的半導體氛圍也吸引了更多的海外留學生回國創業，此其一。

　　其次就是ARM對M0授權方式的改變。這也是推動中國芯片設計公司爆發性增長的另一個原因。

　　根據公開資料，ARM的營收主要分為兩部分，前期授權費（upfront license fee）和版稅（royalty）。其它還有軟件工具、技術支持收費項目，但主要就是前面兩項，占ARM收入的大頭。 也就是說，你要先付給ARM一筆授權費，你才能拿到拿到相關的設計資料和信息。

　　而根據國外媒體Anandtech在2013的一篇報道我們可以看到，ARM的前期授權費一般少則100萬美元，多則1000萬美元（也可能更少或者更多），一次性付清。具體多少取決于所購授權技術的復雜程度，比如古老的ARM11就比最新的Cortex-A57便宜很多。這就使得設計公司在前期投入的成本非常高。而版稅則是指每賣出一顆芯片交一點，通常是售價的1-2％。如果芯片是賣給其它企業或者消費者的，很好計算；如果是內部消化，那就按照應有的市場價來定。可以看出，前期授權費是ARM芯片設計廠商的巨大門檻。

　　但近年來，隨著物聯網和可穿戴市場的興起，市場上對低功耗芯片的需求日益增加，這就拉動了ARM Cortex-M0系列的需求，但限于前期授權費的高昂，這也許會打擊創業者的信心，于是ARM做了一個偉大的決定，那就是改變了Cortex M0的授權方式。

　　在去年年底的ARM年度技術大會上，ARM宣布開放Cortex M0處理器，并以優惠的授權費幫助初創等廠商的芯片開發進程。

　　具體來說，人們可以通過ARM DesignStart網站免費獲得Cortex-M0處理器相關的工具，其中包括Cortex-M0的SDK以及ARM Keil MDK開發工具。值得一提的是，ARM Keil MDK工具的免費使用時間長達90天，而且是完整版本。通過ARM這個政策，你還能以995美元的低價獲得Versatile Express FPGA開發板，將設計推進到原型建模階段。不過，如果你想要把Cortex-M0處理器的設計進行商業化量產，你需要花上4萬美元獲得ARM的授權。

　　相對于上百萬的前期授權費，四萬塊對于開發者來說，財政壓力也輕松了不少，相信這也是中國集成電路爆發的另一個誘因。

　　再者，中國興起的晶圓廠，也應該對中國IC設計公司的爆發有所幫助。畢竟隨著產能的提升，流片的成本也許會有所下降，這就進一步降低了中國IC設計公司的試錯成本，推動中國IC設計公司的爆發（這部分沒有考證過，只是作者猜測，希望大家指正）。