(ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出一系列非易失性單通道、雙通道和四通道數(shù)字電位計(digiPOT)AD512x和AD514x
2012-11-12 09:12:59
4684 為了實現(xiàn) 對非易失內(nèi)存的管理與利用、對文件數(shù)據(jù)緩存的管理與訪問，本文設計并實現(xiàn)了面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:102366 并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。
2022-11-14 15:34:192378 
東北大學近日宣布，單晶鈷（Co）/鉑（Pt）結(jié)構(gòu)是一種簡單的鐵磁/非磁雙層結(jié)構(gòu)，可以在不使用外部磁場的情況下通過電流注入來磁化。表明Co/Pt結(jié)構(gòu)可以用光記錄信息，也可以有效地用電記錄信息，并且，他們已經(jīng)開發(fā)了一種非易失性磁場，可以存儲來自光纖和電線的數(shù)據(jù)。宣布已成功開發(fā)一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55691 
計算機、游戲機、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進行操作。設計人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263490 
在“精工匠制 靈炫未來”2019新品發(fā)布會上， 上海安路信息科技有限公司（以下簡稱“安路科技”） 面對通信接口、工業(yè)控制、顯示控制、接口擴展、IOT應用等市場不斷變化的設計需求，在廣受市場歡迎
2019-04-04 09:04:142021 新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應用，包括航天和工業(yè)應用。
2021-04-01 11:10:543053 進芯電子，是我國專業(yè)從事數(shù)字信號處理芯片研發(fā)的高科技企業(yè)，國內(nèi)唯一可批量供貨的32位工業(yè)控制DSP的企業(yè)，其DSP產(chǎn)品累計獲得相關(guān)授權(quán)發(fā)明、實用新型專利及電路設計證書16項。目前AVP32F335
2022-02-21 11:42:37
2011年易飛揚發(fā)布系列AOC產(chǎn)品后，迄今又過去5年，這5年易飛揚在AOC產(chǎn)品上主要的進步表現(xiàn)在COB工藝的純熟和自動化生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升。易飛揚目前已經(jīng)可大批量對市場提供25G/100GAOC產(chǎn)品。我們
2017-08-09 17:14:15
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
），查找表（LUT，Look up table）查找表（LUT, look up table）編程元素非易失性（Flash，EEPROM）易失性（SRAM）特點
非易失性 ：即使切斷電源，電路上的數(shù)據(jù)
2011-09-27 09:49:48
?！备咴瓢雽w全球市場副總裁兼中國區(qū)銷售總監(jiān)黃俊先生表示，“GW1N
系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N
系列產(chǎn)品，高云半導體可以向用戶提供高安全
性、單芯片、低成本、小薄封裝等優(yōu)勢的最優(yōu)化
非易失性FPGA解決方案?！?/div>
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
安路科技成立于2011年，總部位于上海張江，2014年獲中信資本投資，2015年獲杭州士蘭微和深圳創(chuàng)維集團聯(lián)合投資，2017年獲華大半導體和上海科技戰(zhàn)略投資。
安路科技團隊已從2019年初的120人
2024-01-24 10:46:50
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
ELF系列是CPLD還是FPGA？
2023-08-11 06:05:42
摘要： 云棲大會·上海峰會，6月7日，阿里云宣布與國內(nèi)規(guī)模最大的汽車企業(yè)上汽集團合作，上線業(yè)內(nèi)首個混合云汽車研發(fā)仿真計算服務平臺——上汽仿真計算云SSCC（SAIC Simulation
2018-06-19 16:04:24
Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點 ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護功能。本文從應用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:35
18 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時開啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 TI推出具備非易失故障日志功能的新型八通道電源定序器與監(jiān)控器
德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備非易失故障日志功能的新型八
2008-10-30 09:09:01793 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲的應用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22883 AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設計者提供了充分的靈活性，可以專為某些特定應用需求量身定制非易失性存儲器。AgigA
2010-08-20 09:27:261002 概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯誤，
2010-08-26 10:52:38669 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
MAX5417/MAX5418/MAX5419為非易失性、線性變化的數(shù)字電位器，實現(xiàn)機械電位器的功能，采用簡單的2線數(shù)字接口就取代了機
2010-12-21 09:51:061455 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
賽普拉斯半導體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設計者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
賽普拉斯半導體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 （nvSRAM） 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25858 DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
2014年10月8號，北京——Altera公司（NASDAQ： ALTR）今天宣布開始提供非易失MAX? 10 FPGA，這是Altera第10代系列產(chǎn)品中的最新型號。
2014-10-08 13:38:301338 使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 大型廠商的產(chǎn)品導入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。 新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境 相變存儲
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關(guān)的存儲與事務處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢；然后，對影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設計的非易失性存儲技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務技術(shù)進行綜述
2018-01-02 19:04:400 2016年11月9日，上海安路信息科技有限公司在“IC-CHINA 2016”芯品發(fā)布會上，宣布EAGLE系列EAGLE-20 FPGA芯片產(chǎn)品正式發(fā)布，本次增添的器件包括EG4X20和EG4A20，即日起開始對這兩顆器件批量供貨。
2018-07-11 18:58:004541 包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02933 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 在許多較早期的系統(tǒng)中，代碼存儲使用ROM或者OTP-EPROM，它們是非易失性的且不能在系統(tǒng)中進行修改。因此，設計上的主要問題是存儲器的大小、存取時間，以及工作電壓等基本參數(shù)。 隨著嵌入實系統(tǒng)的發(fā)展要求對存儲器進行應用中編程，閃存由于具備可寫入特性被作為較合適的代碼存儲器。
2019-04-21 09:53:041812 ADI最新的AD512x / 4x系列非易失性數(shù)字電位計簡介。最新的創(chuàng)新型專利解決了一個傳統(tǒng)的對數(shù)增益問題，確保寬輸出范圍和帶寬，且容差誤差小于1%。
2019-07-08 06:13:002889 近日，華工科技去年9月拿到5G光模塊國內(nèi)首單，10月開始小批量供貨后，今年5月產(chǎn)能開始放量。
2019-06-15 09:55:154715 事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個功能豐富的平臺，為嵌入式設計人員提供了一種快速簡便的方法，可以在非易失性FPGA中體驗定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開發(fā)。
2019-08-12 14:14:292036 中國北京（2020 年7月3日） — 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新 GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，隆重推出國內(nèi)首款容量高達 2Gb、高性能 SPI NOR Flash
2020-07-03 16:24:451534 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計算IC“BU70013TL”。這個產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306 ADM1260：帶芯片間總線和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-16 17:27:200 ADM1169：帶裕度控制和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-17 10:06:150 ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412 UG-932：使用芯片間總線和非易失性故障記錄評估ADM1260超級序列器
2021-04-24 14:38:011 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時延和寫磨損特性差異，使得測試結(jié)果無法準確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 AD5258：非易失性I2C?兼容64位數(shù)字電位器產(chǎn)品手冊
2021-05-12 17:43:542 低功耗設計的植入人體的增強生命的患者監(jiān)護設備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462412 文章介紹一些應用在血液透析機上的非易失性MRAM. 血液透析機使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因為MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 ? F-RAM存儲器（鐵電存取存儲器）開始批量供貨。該系列儲存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲器，能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲器
2022-11-23 13:57:42792 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:410 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16918 
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