今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。

　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2D NAND閃存好得多，廠商也會借此降低成本，提高產量。以美光為例，他們的2D NAND閃存主力是16nm工藝的，MLC/TLC閃存的核心容量不過128Gb，而3D NAND技術的MLC閃存核心容量就有256Gb，TLC更是達到384Gb，大大高于2D NAND閃存。

　　在轉向3D NAND方面，實力最強的三星跑得最快，東芝/閃迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND閃存開始量產，由于容量先天性的優勢，產能超過2D NAND閃存是遲早的事。美光CFO Ernie Maddock在參加巴克萊銀行全球技術、媒體及通訊大會上就確認，該公司的3D NAND閃存產能與2D NAND閃存已經來到拐點上，也就是說3D閃存的產能（以bit容量計）要超過2D NAND閃存了。

　　Ernie Maddock還提到他們第一代3D NAND閃存在降低成本上已經達到預期目標，此前美光在今年上半年的路線圖上指出3D NAND閃存比2D NAND降低至少20%的成本，現在已經實現了20-25%的成本降低。

　　對美光來說，好事還不止這一件，他們的第二代3D NAND閃存也要量產了，早前美光公布消息稱第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工廠開始生產，相比目前的32層堆棧，第二代3D NAND閃存堆棧層數提升到64層，容量進一步提高，成本也會進一步降低30%。那么對國內公司有哪些影響，主要有三點：

　　1. 難得機遇

　　由于2D NAND Flash架構面臨技術推進瓶頸，芯片容量難再提升，使得存儲器大廠2016年起明顯擴大3D NAND Flash投資，2D NAND Flash產能因此快速下滑。

　　2D NAND Flash產品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降，而3D NAND Flash產品的出貨量將以200％的年均復合增長率遞增，預計2020年達到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產品將逐漸取代傳統的2D NAND Flash產品，成為NAND Flash的主流產品。

　　不同于基于微縮技術的2D NAND Flash，3D NAND Flash的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且除了三星，其他企業在3D NAND Flash布局方面走的并不遠。

　　中國企業通過自主研發或者技術合作、專利授權許可，可以快速切入該領域，避免了國際企業在傳統技術研發中的設備折舊優勢，并且在這個技術變革過程中，又有希望實現彎道超車。

　　2. 追趕仍然艱難

　　盡管中國自主3D NAND Flash雛形漸現，長江存儲旗下的武漢新芯已與購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3D NAND技術，但由于門檻較高，仍有很長且很艱巨的路要走，這是一個持久戰，我們需要有清醒的認識和思想準備。

　　從三星、東芝、海力士、美光的3D NAND Flash研發經歷也可以看出，盡管他們都投入了大量資源，但仍耗費相當長的時間才構建完成，3D NAND Flash技術的發展成熟以及制作當中所必需的精密工藝技術都需要長時間打磨方可實現。

　　3. 需創新合作模式

　　NAND Flash產業壟斷高、投資大、壁壘高，中國3D NAND Flash項目今后要走的是一條充滿挑戰之路。因此絕對不能閉門造車，要盡量少走彎路少試錯，在創新合作模式上下功夫，利用上下游供應鏈和全球產業鏈的資源，聚合眾人之力推動其發展。

　　中國試圖在3D NAND Flash方面進行突破面臨著非常難得的歷史機遇，在國家強“芯”戰略的助力下，有望打造一個以技術為突破、以市場為導向、以盈利為目的，國際一流的3D NAND Flash產業，實現中國大存儲器產業零的突破。