7月11日，2025年度中國(guó)創(chuàng)新IC-強(qiáng)芯獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在ICDIA創(chuàng)芯展上揭曉獲獎(jiǎng)名單。奇異摩爾申報(bào)的Kiwi 3D Base Die產(chǎn)品從申報(bào)的142款產(chǎn)品中脫穎而出，榮獲創(chuàng)新突破獎(jiǎng)。據(jù)悉，“強(qiáng)芯評(píng)選”作為一年一度的國(guó)產(chǎn)IC權(quán)威推優(yōu)平臺(tái)，始終致力于鼓勵(lì)設(shè)計(jì)創(chuàng)新、推動(dòng)“國(guó)芯國(guó)用”、促進(jìn)整機(jī)聯(lián)動(dòng)、加速成果轉(zhuǎn)化，為國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

有源基板Base Die的架構(gòu)創(chuàng)新

一種基于Silicon的Chiplet技術(shù)能讓高性能芯片獲得更高的傳輸速度并降低各個(gè)模塊之間的傳輸功耗；它就是Active Silicon Interposer 又名有源基板 Base Die。舉例說(shuō)明，Intel 的Lakefield運(yùn)用Base Die充當(dāng)Compute Die的傳輸通道；此外與Passive Interposer有所不同的是：Base Die 集成了類似PCH的邏輯電路。由于Base Die需要很多過(guò)孔TSV，其技術(shù)難度較大。

（圖: Intel LakeField CPU架構(gòu)）

AMD MI350：

3.5D IC 繼續(xù)沿用Base Die

（來(lái)源：The serverhome）

今年在Advancing AI大會(huì)上，AMD 重磅發(fā)布下一代3.5D GPU MI350 ; AMD利用MI300發(fā)布后的兩年時(shí)間對(duì)芯粒架構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。從晶圓布局可見(jiàn)，芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行了微調(diào)：The Base Active Interposer Dies (即 3D Base Die）從四個(gè)象限合并為兩個(gè)光罩尺寸的半?yún)^(qū)，HBM存儲(chǔ)器的位置調(diào)整使得結(jié)構(gòu)支撐硅片從HBM堆棧之間轉(zhuǎn)移到了邊角位置。

（來(lái)源：AMD Advancing AI 2025）

這種布局顯著優(yōu)化了芯粒間的通信——直接消除了整個(gè)2.5D Infinity Fabric先進(jìn)封裝連接的軸向傳輸，減少芯片邊界穿越次數(shù)從而節(jié)省功耗與面積。同時(shí)解決了MI300時(shí)代對(duì)角象限芯片需要兩次跨芯片跳轉(zhuǎn)通信的問(wèn)題。

“

上述the Base Active Interposer Die 和奇異摩爾Central IOD互聯(lián)系列3D Base Die 互聯(lián)芯粒如出一轍。Kiwi 3D Base Die是用于高性能chiplet 芯片的片內(nèi)互聯(lián)芯粒，支持 3D封裝方式。該系列以高性能片上網(wǎng)絡(luò)為互聯(lián)核心，通過(guò)3D Die2Die 接口和封裝，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超平面芯片的互聯(lián)效率。并整合了多種等高速互聯(lián)接口，搭配大容量的片上近存，可實(shí)現(xiàn)高效的片內(nèi)數(shù)據(jù)傳輸調(diào)度與存儲(chǔ)，成為高性能3D芯片的基礎(chǔ)底座。

這種設(shè)計(jì)對(duì)3D堆疊良率提出了更高要求。AMD繼續(xù)采用臺(tái)積電SoIC混合鍵合工藝，現(xiàn)在每個(gè)基礎(chǔ)芯片需要鍵合兩倍數(shù)量的加速器復(fù)合芯片（XCD），若出現(xiàn)缺陷將導(dǎo)致更嚴(yán)重的良率損失和硅片浪費(fèi)。AMD敢于選擇這種方案，印證了臺(tái)積電SoIC工藝的成熟度，以及雙方長(zhǎng)達(dá)五年（AMD作為SoIC首位客戶）的深度合作。

雖然仍采用臺(tái)積電N6工藝，但基礎(chǔ)芯片已獲得多項(xiàng)速度升級(jí)：剩余芯片間互連帶寬從4.8TB/s雙向等效提升至5.5TB/s；縱向擴(kuò)展的Infinity Fabric速度提升20%；更重要的是內(nèi)存控制器現(xiàn)已支持更快的HBM3E。AMD堅(jiān)持使用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的CoWoS-S封裝技術(shù)連接3D Base Die和HBM，強(qiáng)調(diào)其封裝尺寸與MI300保持一致。

計(jì)算芯片方面，XCD從N5工藝升級(jí)至臺(tái)積電N3P節(jié)點(diǎn)。此次AMD僅啟用了芯片上36個(gè)CU中的32個(gè)（MI300為40個(gè)啟用38個(gè)）。值得注意的是，XCD在Base Die上的朝向發(fā)生變化，數(shù)據(jù)焊盤現(xiàn)在位于Base Die中央?yún)^(qū)域，數(shù)據(jù)經(jīng)256MB末級(jí)內(nèi)存附加緩存（MALL）后最終抵達(dá)HBM。

創(chuàng)始人田陌晨在2021年奇異摩爾創(chuàng)立之初就秉承為國(guó)創(chuàng)業(yè)的精神，深耕Chiplet賽道，奇異摩爾是國(guó)內(nèi)最早布局3D Base Die 互聯(lián)芯粒的科創(chuàng)企業(yè)之一，憑借在有源基板3D base tile的設(shè)計(jì)能力以及先進(jìn)封裝方面的資源整合成功聯(lián)合學(xué)術(shù)界在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)三維存算一體芯片技術(shù)突破。

此次獲得 “2025 中國(guó)創(chuàng)新 IC 強(qiáng)芯 - 創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”，既是對(duì)奇異摩爾的肯定，也在實(shí)際應(yīng)用潛力上取得了業(yè)界的高度認(rèn)可。未來(lái)公司將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，不斷探索技術(shù)新場(chǎng)景，構(gòu)建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)，為高性能 AI 計(jì)算領(lǐng)域的發(fā)展持續(xù)貢獻(xiàn)力量，助力國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。

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AI網(wǎng)絡(luò)全棧式互聯(lián)架構(gòu)產(chǎn)品及解決方案提供商

奇異摩爾，成立于2021年初，是一家行業(yè)領(lǐng)先的AI網(wǎng)絡(luò)全棧式互聯(lián)產(chǎn)品及解決方案提供商。公司依托于先進(jìn)的高性能RDMA 和Chiplet技術(shù)，創(chuàng)新性地構(gòu)建了統(tǒng)一互聯(lián)架構(gòu)——Kiwi Fabric，專為超大規(guī)模AI計(jì)算平臺(tái)量身打造，以滿足其對(duì)高性能互聯(lián)的嚴(yán)苛需求。我們的產(chǎn)品線豐富而全面，涵蓋了面向不同層次互聯(lián)需求的關(guān)鍵產(chǎn)品，如面向北向Scale-out網(wǎng)絡(luò)的AI原生超級(jí)網(wǎng)卡、面向南向Scale-up網(wǎng)絡(luò)的GPU片間互聯(lián)芯粒、以及面向芯片內(nèi)算力擴(kuò)展的2.5D/3D IO Die和UCIe Die2Die IP等。這些產(chǎn)品共同構(gòu)成了全鏈路互聯(lián)解決方案，為AI計(jì)算提供了堅(jiān)實(shí)的支撐。