制造/封裝
權威的制造技術與封裝技術頻道，涉及半導體制程工藝、IC代工產能以及集成電路封裝測試等技術。
半導體廠展望Q1營收不同調 聯發科保守臺積電消極
半導體廠第1季營運展望不同調，聯發科與創意第1季展望保守，業績恐將季減2位數百分點，瑞昱、聯詠與譜瑞-KY則可望有淡季不淡表現，業績有機會較去年第4季持平。 半導體廠第1季營運展望不...
2017-02-14 標簽： 241
Molex 推出滾子傳動用IP67 BradHarshIO EtherNet/IP模塊
Molex最近推出了業界首個通過 ODVA 合規測試并經認證的 IP67 EtherNet/IP I/O 模塊，實現與滾子傳動的接口功能。 Molex最近推出了業界首個通過 ODVA 合規測試并經認證的 IP67 EtherNet/IP I/O 模塊，實現與...
2017-02-14 標簽： 636
臺積電、三星發展7nm各有盤算
為證明自己在全球晶圓代工的領先地位，三星電子(Samsung Electronics)與臺積電不約而同在2017國際固態電路大會(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)發表了各自最新的制程技術，然而2家廠商透...
2017-02-14 標簽： 334
ARM收歸日本軟銀后首份季度財報：收入暴增44%
去年7月，日本軟銀（SoftBank）宣布收購芯片設計商ARM，作價243億英鎊，9月，交易完成。不過，軟銀需要保證ARM在英國的總部以及未來5年增加一倍的雇員。...
Bourns再次出擊 推出新增的Murata微調電位器產品
Bourns-全球知名電子組件領導制造供貨商，日前宣布Murata微調電位器型號PVG3A及PVG3G系列產品已上市。增添的電位器產品有J型鉤及翼形引腳樣式，尺寸為3 mm且符合RoHS標準，此系列器件具備廣泛的...
美光擴大在臺投資加快先進制程布局追趕三星
美國內存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國臺灣地區成為美光的 DRAM 生產基地，內部設定以超越三星為目標，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進制程腳步，去年及今年總計投資 20 億美元...
2017-02-13 標簽：DRAM美光3D NAND Flash 1086
Vishay新款高可靠性VY1 Compact系列瓷片式電容器通過偏壓85/85加速壽命測試
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其VY1 Compact系列交流線路瓷片式安規電容器通過了“偏壓85/85”加速壽命測試。 賓夕法尼亞、MALVERN 2017 年 2 月13 日 日前，Vishay Intertechnolo...
2017-02-13 標簽： 687
格羅方德在成都建立12英寸晶圓生產基地 投資超百億美元
西南首條12英寸晶圓生產線在成都高新區開工 新年春節剛過，從成都傳來重磅消息，全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導體股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布，正式啟動建設12英寸晶圓成都制...
2017-02-13 標簽： 991
格羅方德業務拓展以滿足全球客戶需求
格羅方德今日公布其全球制造業務版圖的擴展計劃,以滿足客戶對其專有尖端技術的迫切增長的需求。公司不僅在美國和德國繼續投資其現有的先進晶圓制造廠，在中國成都設立全新工廠以積極...
2017-02-13 標簽： 544
納米級LED突破芯片間傳輸速率限制
當論及在不同處理器或內存之間提高芯片之間的傳輸流量時，光子學是一個熱門的話題。截至目前為止，微波導、光調變器、輸出耦合光閘與光探測器均已成功進行整合了，但要設計理想的微米...
全球經濟成長已經成為IC產業增長的主要因素
IC Insights的最新報告指出，自2010年以來，全球經濟成長已經成為IC產業成長的主要影響因素，包括利率、原油價格以及財政刺激（fiscal stimulus）等都是IC市場的主要驅動力；這與2010年之前的情況...
5年內進入3納米，臺積電真能做到嗎？
臺灣地區科技部長陳良基9日表示，半導體為產業競爭力核心，臺積電10納米制程已進入量產，2年后將進入7納米，不到5年將進入3納米、2納米，屆時將面臨物理極限，必須要透過基礎研究突破。...
紫光南京半導體產業基正式開工 將支撐我國存儲器跨越式發展
據悉，紫光南京半導體產業基地項目由紫光集團投資建設，主要產品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元，月產芯片10萬片。項目達產后，將有力地支撐我...
2017-02-13 標簽：DRAM存儲芯片Nand flash紫光 1362
英特爾將迎來一個千載難逢的新機遇
英特爾正在將主要業務從傳統的PC和服務器處理器，轉向數據中心、物聯網等新領域。當然，每次重大的轉型都會伴隨著陣痛，過去幾年中，英特爾經歷了退出移動處理器市場、收購McAfee、大規...
Intel 14nm等于三星10nm：領先整整三年！
很遺憾，Intel剛剛宣布的8代酷睿處理器依然是14nm工藝，雖然Intel號稱有著15%的性能提升。 很遺憾，Intel剛剛宣布的8代酷睿處理器依然是14nm工藝，雖然Intel號稱有著15%的性能提升。 那么我們不禁...
2017-02-11 標簽： 462
曾經那個振興美國半導體的組織，到底什么來頭？
近日，白宮發布了一篇長達32頁的《給總統的報告：維持美國在半導體行業的領軍地位》。 近日，白宮發布了一篇長達32頁的《給總統的報告：維持美國在半導體行業的領軍地位》。報告稱中國...
2017-02-11 標簽： 3040
臺積電又要領跑7nm工藝，英特爾連三星都干不過？
Intel宣布投資70億美元升級Fab 42工廠，3-4年后準備生產7nm工藝，拉開了下下代半導體工藝競爭的帷幕。 Intel宣布投資70億美元升級Fab 42工廠，3-4年后準備生產7nm工藝，拉開了下下代半導體工藝競爭...
2017-02-11 標簽： 612
14nm工藝，又被英特爾擠出個8代酷睿處理器
14nm要宣告終結了嗎，一個不那么振奮的消息傳來!Intel在今天的投資會議上正式宣布了8代酷睿處理器，率先披露的是i7-8000系列，定于今年下半年亮相。 14nm要宣告終結了嗎，一個不那么振奮的消...
2017-02-11 標簽： 339
困擾肖特基半導體50余年的難題 或將被石墨烯破解
韓國蔚山國立科技大學(UNIST)的一個科研團隊在傳統肖特基半導體的金屬和半導體材料之間插入石墨烯，制備出了一種新型的肖特基二極管，大大提高了二極管的性能。他們的研究成果有望解決...
2017-02-11 標簽： 719
半導體五年內進入將2納米，臺灣欲靠基礎研究突破物理極限
臺積電10納米量產目前已進入量產，2年后將進入7納米，不到5年將進入3納米、2納米。 臺灣科技部長陳良基今天表示，美國特斯拉總裁伊隆馬斯克(Elon Musk)已對外表示，2030年將送人類到火星，屆...
2017-02-11 標簽： 322
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻...
投資超過百億美元 格芯12英寸晶圓生產線落戶成都
中國半導體產業又傳來重大消息。今日，全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導體股份有限公司在成都高新區正式宣布，攜手成都市政府建立全新的合資晶圓制造廠。據悉，該基地將建設中國西南...
中國晶圓廠可以從臺積電學到什么？
中國正在大規模投資建設半導體，但由于技術所限，目前基本上都是集中在比國際先進水平落后一到兩代的技術上投入。但是半導體行業觀察記者發現，某些從業人員或者旁觀者會有“中國投資...
技術第一的高通都岌岌可危 其他Fabless怎么辦？
有不少人看到高通因為專利霸權被懲罰而拍手叫好。然而，我對于這件事卻感到深深的憂慮。不要忘了，高通除了是專利大佬以外，還是全球Fabless芯片公司的領頭羊，握有全球最先進的技術，...
臺積電與三星針對7nm制程技術觀點截然不同
在近日于美國舉行的年度國際固態電路會議（ISSCC）上，三星（Samsung）與臺積電（TSMC）針對7納米制程技術，分別提供了截然不同的觀點；兩家公司都是介紹SRAM技術進展，而該技術通常都是新一...
英特爾8代酷睿處理器亮相 采用14nm工藝性能提升15%
Intel在今天的投資會議上正式宣布了8代酷睿處理器，率先披露的是i7-8000系列，定于今年下半年亮相。Intel還公開了8代酷睿的性能，稱8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。據悉，數據基于SysMark跑分...
中國半導體迎擴產潮 SK海力士將投36億建新廠
中國半導體迎來擴產潮，不只中國本土廠商，全球半導體廠商也競相在中國布建生產線，而早早在中國插旗的韓國內存大廠 SK 海力士同樣不落人后，將在中國無錫興建新廠，總投資金額將達 ...
27.5 億美元！建廣資產收購NXP標準件業務完成交割
2016年中國半導體行業迎來了史上最大的一筆海外并購案，建廣資產以 27.5 億美元收購恩智浦（NXP）標準件業務。此次收購的順利完成，標志著建廣資本有望成為我國半導體業規模最大且利潤最...
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