10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會(huì)展中心（寶安新館) 正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì)，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)。發(fā)布會(huì)由譽(yù)鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷主持，首次向行業(yè)展示了Super IDM產(chǎn)業(yè)集群的生態(tài)模式，帶來了氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的效率革命。實(shí)現(xiàn)了1.5年從建廠到中試線穩(wěn)定產(chǎn)能1.5萬片、7天外延至成品器件周期、量產(chǎn)平均良率85%、研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3的驚人成果。超過十多家媒體，多個(gè)地方政府招商團(tuán)、數(shù)十個(gè)行業(yè)投資機(jī)構(gòu)，幾十個(gè)上下游企業(yè)代表參與了該發(fā)布會(huì)。

發(fā)布會(huì)上，氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠基人之一的酒井士郎教授（譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體總工）與觀眾分享氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)的歷史沿革、現(xiàn)狀發(fā)展和未來機(jī)會(huì)。譽(yù)鴻錦提出“第三代化合物半導(dǎo)體憑借其顯著的性能特點(diǎn)，展示出在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領(lǐng)域具有廣泛的需求前景，且其器件生產(chǎn)工藝和技術(shù)也日趨成熟，但目前的市場(chǎng)普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有數(shù)量級(jí)差距”的行業(yè)現(xiàn)實(shí)問題。

在“如何實(shí)現(xiàn)更快、更大規(guī)模的氮化鎵應(yīng)用推廣”這個(gè)關(guān)乎產(chǎn)業(yè)效率的問題上，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體通過回歸產(chǎn)業(yè)價(jià)值的本質(zhì)，提出”產(chǎn)業(yè)價(jià)值=能效提升-替換成本>0“的解題思路，認(rèn)為高性能是推動(dòng)應(yīng)用創(chuàng)新的動(dòng)力，而低成本則是推動(dòng)應(yīng)用普及的基礎(chǔ)。目前行業(yè)現(xiàn)狀是，全球諸多廠商都在積極推進(jìn)氮化鎵技術(shù)應(yīng)用的普及，其中海外廠商更多的策略重心是高性能器件的應(yīng)用，國內(nèi)廠商則更多是通過常規(guī)器件的低成本來推廣氮化鎵應(yīng)用。

從材料成本來說氮化鎵（GaN）器件并不會(huì)比硅基器件昂貴。譽(yù)鴻錦認(rèn)為氮化鎵滲透率依然低的原因，并不是很多人所認(rèn)為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導(dǎo)致成本均攤困難。因?yàn)橐?guī)模是結(jié)果而并非原因，本質(zhì)問題出現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)效率上，只有把系統(tǒng)效率提升，才能用更低的成本推動(dòng)器件的大規(guī)模應(yīng)用。只有從第一性原理出發(fā)，搞清楚氮化物半導(dǎo)體的材料原理才能實(shí)現(xiàn)正向的研發(fā)和工藝，也就是我們俗說的KNOW HOW，這樣才能把器件研發(fā)效率提升，同時(shí)還需要掌握設(shè)備的優(yōu)化能力來配合器件的制造需求，把良率提升，生產(chǎn)效率提升，也減少后期分選封測(cè)的工作量，再通過對(duì)工藝制程的理解來實(shí)現(xiàn)核心設(shè)備的國產(chǎn)替代和自研，進(jìn)一步降低產(chǎn)線的成本，并最終通過全流程IDM集成的方式減少過程中的時(shí)間成本和經(jīng)濟(jì)成本的損耗。最終實(shí)現(xiàn)匹敵于硅器件的產(chǎn)業(yè)鏈效率和成本。

為此譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在創(chuàng)立之初，就組建產(chǎn)業(yè)奠基人級(jí)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，其首席科學(xué)家邵春林博士為現(xiàn)場(chǎng)觀眾分享自己作為中國最早開展氮化鎵技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的歷史，參與開發(fā)了最早的MOCVD設(shè)備，以及參與主導(dǎo)了譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體的規(guī)劃與建設(shè)和技術(shù)創(chuàng)新。并展示了譽(yù)鴻錦目前實(shí)現(xiàn)的極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準(zhǔn)可控的載流子調(diào)控等自主關(guān)鍵技術(shù)能力。并具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍(lán)寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術(shù)矩陣，和功率電子、激光與顯示、射頻全產(chǎn)品能力。體現(xiàn)了譽(yù)鴻錦強(qiáng)大的基于KNOW HOW的正向研發(fā)能力，可以根據(jù)目標(biāo)需求，自由選擇甚至開拓新的技術(shù)路線，并實(shí)現(xiàn)快速制樣和驗(yàn)證，直至導(dǎo)入量產(chǎn)。

憑借85%平均量產(chǎn)良率獲得高一致性器件，高集成度IDM-7天制造周期、高研發(fā)效率使時(shí)間縮短2/3，自研設(shè)備和設(shè)備國產(chǎn)化使成本降低2/3，終端應(yīng)用產(chǎn)業(yè)群集成，譽(yù)鴻錦實(shí)現(xiàn)了“產(chǎn)業(yè)效率革命=高良率x IDM整合x高研發(fā)效率x設(shè)備降本x快速應(yīng)用驗(yàn)證”。 現(xiàn)場(chǎng)播放的工廠全線實(shí)拍視頻，展示了譽(yù)鴻錦在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設(shè)備產(chǎn)線，并第一次提出了包括設(shè)備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術(shù)服務(wù)體系群以及終端產(chǎn)品應(yīng)用生態(tài)鏈的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念，即“Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設(shè)備材料+IDM+終端技術(shù)應(yīng)用+零售服務(wù)生態(tài)鏈”。 基于該產(chǎn)業(yè)集群的深度耦合，實(shí)現(xiàn)上游設(shè)備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應(yīng)用終端快速導(dǎo)入和批量驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)快速普及的產(chǎn)業(yè)目標(biāo)。

在產(chǎn)品發(fā)布環(huán)節(jié)，譽(yù)鴻錦發(fā)布了從100V-650V-900~1200V的全功率段器件，能應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域。其中包括行業(yè)首個(gè)氮化鎵SBD器件，以及900V藍(lán)寶石基氮化鎵晶圓的實(shí)物展示引起了行業(yè)的重點(diǎn)關(guān)注。憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規(guī)格實(shí)現(xiàn)全場(chǎng)景需求和優(yōu)勢(shì)成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動(dòng)氮化鎵器件全面普及，以實(shí)現(xiàn)譽(yù)鴻錦“用氮化鎵半導(dǎo)體改變每個(gè)人的生活”的產(chǎn)業(yè)理想。該環(huán)節(jié)也一并發(fā)布了業(yè)務(wù)和代理招商合作意向。

在現(xiàn)場(chǎng)簽約環(huán)節(jié)，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體分享了其更多的產(chǎn)業(yè)理想——樹立高效率產(chǎn)業(yè)化標(biāo)桿，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引入和培養(yǎng)更多行業(yè)人才，加快推進(jìn)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化?，F(xiàn)場(chǎng)與行業(yè)top的應(yīng)用型大學(xué)“東莞理工”國際微電子學(xué)院就共建人才培養(yǎng)和產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)平臺(tái)項(xiàng)目簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。同時(shí)也同“大族激光”旗下的“大族機(jī)器人”簽署了氮化鎵電機(jī)研發(fā)與應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)合作戰(zhàn)略協(xié)議。

最后，譽(yù)鴻錦團(tuán)隊(duì)就記者所關(guān)心的各類問題接受了采訪和解答。并和意向的招商團(tuán)隊(duì)、投資機(jī)構(gòu)和上下游合作開展了互動(dòng)。后續(xù)譽(yù)鴻錦將啟動(dòng)媒體開放日活動(dòng)，邀請(qǐng)前往撫州工廠，參觀和了解國內(nèi)良率最高、效率最高的IDM產(chǎn)線。
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