相比傳統的硅器件,氮化鎵器件的開關速度要比硅快20倍,體積和重量更小,在一些系統里可以節能40%以上。同時相比于硅,氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍,搭配快充方案,同體積下充電速度可以提升3倍
2021-11-26 09:42:13
6891 宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統,內含具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體是這種系統的一個理想解決方案,因為它所具備的性能可以在高頻、高
2012-08-16 10:22:16
1405 眾所周知,氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行,實現高功率密度和高效率帶來可能。然而,在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規(例如EN55022 B類標準)要求。
2023-10-16 14:32:45
3760 
本推文簡述氮化鎵器件,主要包括GaN HEMT和二極管,幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
2023-11-27 17:12:01
5665 
220V轉5V小體積方案采用TT119非隔離電源芯片來實現,些方案輸入端采用了DC全電壓模式,內部峰值電壓可達DC500V,方案輸出默認5V150mA和200mA。220V轉5V小體積方案外圍元件
2019-12-13 10:55:22
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后,即2008年,氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體(MOSFET)(在硅襯底上形成)得到推廣,但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件,使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點;納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
鎵等技術,從而提高電源管理系統的效率和規模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個新的水平。) 尋找理想開關 任何電源管理系統的核心是開關,可以打開和關閉電源。它就像墻上的照明開關一樣,但是速度會
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年,氮化鎵技術走出實驗室,正式運用到充電器領域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術,當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵(GaN)被稱為第三代半導體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅,有效降低內部變壓器等原件體積,同時優秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求,WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用,WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
數據中心),或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備,均可受益于氮化鎵等技術,從而提高電源管理系統的效率和規模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個新的水平。)
?
尋找理想開關
任何電源管理系統的核心
2019-03-14 06:45:11
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點,可以簡化設計,降低GaN快充的開發難度,有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
公司最近給我安排了一個新的項目,180W的高頻LLC+有源PFC拓撲的開關電源,工作頻率達到了500k,要求工作的效率在93%以上(低壓),采用目前市面上較火的氮化鎵開關管,菜鳥求助設計此款電源需要注意哪些方面,特別是磁性元器件方面的選取。
2018-01-10 20:34:36
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協議,意法半導體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點,又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢,采用硅來做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗,以及電子具備更短的轉換時間。總的來說,氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
,在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現,將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
和信號,一直是業界無法實現的。因為硅器件的開關速度太慢,而且存在驅動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉換器/隔離器,導致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,氮化鎵充電器的充電器件運行速度,比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統的硅,可以在更小的器件空間內處理更大的電場,同時提供更快的開關速度。此外,氮化鎵比硅基半導體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比,氮化鎵器件輸出的功率更大;與LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工藝相比,氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產業原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優勢,因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源,因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
材料特性對比展開,通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設計和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵開關管來取代,一顆頂四顆,并且具有更低的導通電阻。通過使用氮化鎵開關管來減少硅MOS管的數量,還可以減小保護板的面積,使保護板可以集成到主板上,節省一塊PCB,降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
實質上是一種開關管,相比傳統硅MOS管具有更低的導通電阻,更小的輸入輸出電容,開關速度非常快,可以支持更高的開關頻率。通過使用氮化鎵開關管,可以突破傳統硅器件的性能限制,生產出更高效率和更小體積的電源
2021-11-02 09:03:39
,氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件,使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面,起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計,被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
結構將擊穿電壓提高到了750伏。在這些器件中,氧化鎵實現高工作電壓相對容易,這一成績相當顯著;僅僅幾年,這種材料的研究就取得了長足進步,而氮化鎵的研究則花了幾十年的時間。 不過,在更快的開關電源應用中
2023-02-27 15:46:36
會產生熱量。這些發熱限制了系統的性能。比如說,當你筆記本電腦的電源變熱時,其原因在于流經電路開關內的電子會產生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料,它的發熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵功率器件及其應用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:00
7864 
氮化鎵功率器件及其應用(二)TI用氮化鎵器件實現的DCDC設計方案
2019-04-03 06:13:00
6339 
最近風靡的氮化鎵充電器,對我們消費者最直觀的感覺就是小。當然,在充電功率等同的情況下,體積越大的充電器,散熱必然就越好,如果一個充電器不做好電路可靠性就貿然縮小體積,就會有爆炸等隱患。氮化鎵充電器之所以能夠做的這么小,最主要的原因就是用了氮化鎵材質的FET取代了傳統的硅材料。
2020-06-16 15:50:09
6092 氮化鎵器件的應用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:38
0 近年來,氮化鎵開關非常火爆,PI的InnoSwitch3內部就集成了氮化鎵開關,在本次發布的新品中也使用了氮化鎵開關。閻金光說,氮化鎵開關導通電阻低,比硅器件效率更高,尤其是在低壓輸入、高電流時。
2022-03-29 09:38:45
2642 的行業痛點問題,安睿信科技現已推出基于國內氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設計出一系列大功率充電器方案,例如:下面介紹的這款已投放市場批量生產應用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點: (1)65W輸出
2022-06-02 15:32:52
3981 
隨著PD快充技術的普及以及氮化鎵快充市場的爆發,消費類電源市場對高頻率、高效率、小體積的產品需求量日益提升。而在開發高頻率快充電源時,除了利用氮化鎵器件的高頻特性縮小變壓器的體積之外,氮化鎵快充的高頻特性也會帶來EMI的問題。
2022-07-19 09:07:07
5940 
未來已來,氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合,隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:25
1382 
方案介紹
輸入電源:220V
輸入頻率:50HZ或60HZ
輸出電壓:12V
輸出電流:1A
單層板,可以雙層板打樣。
可以用做電源適配器。也可以當輔助電源使用。此電源可以改為小體積電源。元器件相對較少,成本也比較低。
2022-12-02 16:18:11
7 第三代半導體材料,有更高的禁帶寬度,是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系,下游應用包括微波射頻器件(通信基站等),電力電子器件(電源等),光電器件(LED照明等)。不過,第三代半導體材料中,受技術與工藝水平限制,氮化鎵材料作為襯底實現
2023-02-03 14:38:46
3001 相對于硅材料,使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件,可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本,允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作,使得電子電子器件使用更少的能量
2023-02-05 14:30:08
4274 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體,也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵,該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10906 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:33
7265 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料,主要應用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對傳統硅材料進行替代。預計中短期內硅基氮 化鎵將在手機快充充電器市場快速滲透,長期在基站、服務器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:27
4965 在碳化硅(SiC)上開發了更薄的III族氮化物結構,以期實現高功率和高性能高頻薄高電子遷移率晶體管和其他器件。新結構使用
高質量的60納米無晶界氮化鋁成核層來避免大面積的擴展缺陷,而不是1-2米厚的氮化鎵緩沖層(圖1)。成核層允許在0.2 m內生
長高質量的氮化鎵。
2023-02-15 15:34:52
4 ?這兩款適配器,看似體積以及外形都差別不大,但是從原理出發確是天壤之別。今天,我們從原理出發剖析市面上氮化鎵的功能以及參數。 右側為氮化鎵脫掉外衣的樣子,那么!氮化鎵氮化鎵!到底是哪個電子元器件添加
2023-02-21 15:04:24
6 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件,它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比,合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術,將多個半導體器件集成在一個芯片上,使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:23
2504 、筆記本電腦、路由器等數碼產品中。基于氮化鎵功率器件,研發出的快充電源方案,可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率,極大提升充電體驗。本文介紹了一款65W氮化鎵(1A2C) PD快充電源方案,該方案采用功成半導體最新
2023-04-21 11:00:20
4182 
、磁性材料廠商如何應對及未來第三代半導體材料發展趨勢和難點。 編者按: 以氮化鎵為代表的第三代半導體材料可使得器件適用于高頻高溫的應用場景。氮化鎵的特性成為超高頻器件的極佳選擇,主要應用在服務器電源、數據中心、
2023-05-08 15:43:35
1473 
、顯示等領域。 2. 激光器:氮化鎵可制成激光器器件,用于通信、材料加工等領域。 3. 太陽能電池:氮化鎵可用于制造高效率的太陽能電池。 4. 無線通訊:氮化鎵的高頻特性使其成為高速無線通訊的理想材料。 5. 集成電路:氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:46
13931 ,安全可靠的各種元器件成為首選目標。深圳銀聯寶科技12W開關電源芯片U62153,六級能效認證,小體積低功耗,有利優化電路拓撲結構設計!12W開關電源芯片U62153為了
2022-11-21 09:21:01
2385 
相對于傳統的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少,因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:23
10672 氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能,氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:15
4483 氮化鎵 30W A+C過認證方案:
可提供整套方案,價格有優勢,小體積,高性能。
2022-04-11 11:34:55
1117 
65WPD快充方案不但可以支持手機的大功率快速充電還可以支持20V輸出,可以為電腦充電,具有通用性好的優點,搭配氮化鎵,體積可以做到很小,驪微電子推出65w快充方案
2022-06-10 17:06:30
2843 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優勢,能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56
1025 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同,本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:34
10639 
基于 NCL2801+NCP13992 的一整套你所需要的方案: 適配于氮化鎵 (GaN) 開關器件,工作于高頻開關頻率場合下的小體積PFC LLC方案 。 NC L2801是安森美開關電源方案中PFC控制芯片家族的一員。內置谷底計數頻率返走(VCFF)、谷底開通等技術,提供優秀的總諧波失
2023-09-19 19:10:01
1378 作為第三代半導體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點,是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率,減少熱量的產生,并且縮小了充電器的體積,使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33
1748 
在當今的高科技社會中,氮化鎵(GaN)功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品,其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而,為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性,制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23
1900 
高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實現簡化電源設計,CX75GE030DI內部集成了氮化鎵功率管控制和驅動電路芯片,外圍精簡,能有效優化充電器體積。
2023-10-19 09:12:09
1673 氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料,具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統的硅材料,氮化鎵材料的帶隙寬度更大,能夠承受更高的電壓和溫度,同時具有更高的電子遷移率和更快的開關速度。這些特性使得氮化
2023-11-07 15:48:01
941 電子發燒友網站提供《電源適配器對器件的小體積要求.doc》資料免費下載
2023-11-15 11:48:17
1 氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片,它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域,如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:30
11007 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22
1796 氮化鎵開關管是一種新型的半導體器件,適用于高頻高壓控制信號的開關應用。它由四個電極組成,包括柵極(G,Gate)、源極(S,Source)、漏極(D,Drain)和襯底(B,Body)。 首先,我們
2023-12-27 14:39:18
2373 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41
6131 氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領域有著廣泛應用的潛力。以下是幾個氮化鎵芯片的應用領域
2024-01-10 10:13:19
3277 前言傳統的氮化鎵快充方案包括控制器+驅動器+GaN功率器件等,電路設計復雜,成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片,一顆芯片即可實現原有數顆芯片的功能,不僅使電源芯片外圍器件數量大幅降低,而且有效降低了快
2024-02-19 12:15:21
2576 
工程名稱:基于STM32的氮化鎵BUCK-BOOST開關電源前言用STM32,做了一個氮化鎵BUCK-BOOST開關電源。本文會嘗試講透該方案的設計原理(見第3章)。涉及知識點包括:同步整流、氮化鎵
2024-06-28 08:04:55
339 
景和技術需求。 氮化鎵(GaN)的優勢 高頻與高效率 :氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率,使得它在高頻和高功率應用中表現出色。例如,在5G通信、雷達系統、衛星通信等需要高頻工作的領域,氮化鎵器件能夠提供更高的工作頻率和更大的
2024-09-02 11:37:16
7231 氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔,通過緊密配合,顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中,氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力,能夠迅速地切換電路狀態,實現
2025-01-15 16:08:50
1733 器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破,成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:33
4534 
氮化鎵憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發熱低等優勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765!
2025-04-29 18:12:02
943 電源方案全電壓認證款:U8722BAS+U7612B方案來咯!主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片
2025-05-22 15:41:26
734 
氮化鎵(GaN)器件在高頻率下能夠實現更高效率,主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:18
1363 
評論