前言

傳統的氮化鎵快充方案包括控制器+驅動器+GaN功率器件等，電路設計復雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現原有數顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數，減小振鈴，從而降低開關損耗，還不易受初級電流干擾，提高可靠性和開關速度。電源工程師在應用過程中能更加方便、快捷地完成調試，加速產品研發周期。

合封氮化鎵還有成本低，元件數量少，易于調試的優勢，簡化氮化鎵充電器的設計，降低氮化鎵快充的開發難度，助力實現小體積高效率的氮化鎵快充設計。在提高空間利用率的同時降低了生產難度，也有助于降低成本，加快出貨。

東科合封氮化鎵全鏈路解決方案

東科半導體根據拓撲架構的不同推出了多款合封氮化鎵，這些產品在設計上充分考慮了實際應用環境和性能要求，以滿足不同行業和領域的需求。

多種拓撲架構包括ACF架構、AHB架構與QR架構，其中ACF拓撲通過有源鉗位的方式實現功率管軟開關，既減小開關損耗，提高轉換效率，又支持更高開關頻率，可充分發揮新型功率管氮化鎵GaN的優勢，且利于磁元件小型化。QR拓撲則是傳統適配器中采用的一種準諧振反激拓撲，具有結構簡單、控制容易等優點。AHB則是一種高性能非對稱半橋反激式控制器，可滿足大功率筆記本的需求。

充電頭網將會對以上不同架構的多款芯片作出相應講解。

ACF

DK8607AD

DK8607AD 是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位反激控制 AC-DC 功率開關芯片。DK8607AD 利用漏感能量，可以實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統效率，降低功率管的應力，減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8607AD支持最高1MHz開關頻率，效率高達95%，待機功耗小于50mW，具備自適應死區時間，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內置高壓啟動和X電容放電電路，可適應寬電壓，推薦功率為70W，可為系統提供更高的性能和可靠性。

DK8607AD 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8607AD 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過、欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP），輸出短路保護等。

DK8607AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、機頂盒適配器等領域之中。

與一元硬幣實觀對比。

DK8612AD

DK8612AD是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位反激控制 AC-DC 功率開關芯片。

DK8612AD 利用漏感能量，可以實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統效率，降低功率管的應力，減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8612AD支持最高1MHz開關頻率，效率高達95%，待機功耗小于50mW，具備自適應死區時間，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內置高壓啟動和X電容放電電路，帶有升壓PFC，推薦功率為120W，可為系統提供更高的性能和可靠性。

DK8612AD 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8612AD 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過、欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP），輸出短路保護等。

DK8612AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、機頂盒適配器等領域之中。

與一元硬幣實觀對比。

AHB

DK8710AD

DK8710AD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。DK8710AD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統效率。同時軟開關還可以降低功率管應力，減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8710AD的內阻為365-480mΩ，推薦應用功率為100W。

DK8710AD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8712AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等，采用DFN8*8封裝。

DK8712AD

相較于DK8710AD，DK8712AD主要是內阻進一步減少，為270-350mΩ，推薦應用功率為120W。

DK8712AD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。DK8712AD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統效率。同時軟開關還可以降低功率管應力，減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8712AD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8712AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等，采用DFN8*8封裝。

DK8715AD

DK8715AD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片，其能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管ZVS，副邊整流管ZCS，從而提高電源系統效率。同時軟開關還可以降低功率管應力，從而減小開關損耗并改善電磁干擾。

DK8715AD支持最高800KHz開關頻率，待機功耗小于50mW，具備自適應死區時間，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內置高壓啟動和X電容放電電路，可為系統提供更高的性能和可靠性。

DK8715AD外圍精簡，可極大簡化AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8715AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC 過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等。

DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動車充電器、通信電源、LED電源等領域之中。

與一元硬幣實觀對比。

DK8718AD

相較于DK8715AD，DK8718AD主要是內阻進一步減少，為115-150mΩ，推薦應用功率為180W。

DK8718AD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。DK8718AD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統效率。同時軟開關還可以降低功率管應力，減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8718AD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK8718AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等，采用DFN8*8封裝。

QR

DK012G

東科DK012G是一款集成了 650V/2.2Ω GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片。DK012G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK012G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK012G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK012G氮化鎵合封芯片支持250KHz開關頻率，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路，內置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應用。

DK020G

東科DK020G是一款集成了 650V/1.2Ω GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片。DK020G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK020G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK020G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK020G氮化鎵合封芯片支持250KHz開關頻率，峰值效率高達92%，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路，內置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應用。

DK025G

東科DK025G是一款集成了 650V/800mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片。DK025G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK025G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK020G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK020G氮化鎵合封芯片支持250KHz開關頻率，峰值效率高達92.7%，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路，內置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應用。

DK035G

東科DK035G是一款集成了 650V/600mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片。DK035G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK035G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK035G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK035G氮化鎵合封芯片效率最高可達93%，最高支持250KHz開關頻率，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路，內置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應用。

DK045G

東科DK045G是一款高度集成的氮化鎵合封芯片。內置650V/400mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片，支持45W及以下功率應用。DK045G檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK045G極大的簡化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密 度的產品。DK045G具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK045G采用PDFN5*6封裝模式，可廣泛應用于高功率密度PD快充、筆記本平板電腦適配器以及輔助和待機電源。

相關閱讀：

1、東科半導體合封氮化鎵芯片應用案例匯總

DK045GCD

東科DK045GCD是一款高度集成的氮化鎵合封芯片。內置650V/400mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片，支持45W及以下功率應用。DK045GCD檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK045GCD極大的簡化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK045GCD具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK045GCD通過IEC 62368-1:2018安全認證，編號為NO123514，采用DFN8*8封裝模式，可廣泛應用于高功率密度PD快充、筆記本平板電腦適配器以及輔助和待機電源。

DK065G

DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片，其中集成了控制和驅動電路。

DK065G采用了專利的谷底鎖定QR算法，在降低開通損耗，提高系統效率的同時，穩定的鎖谷底算法避免了音頻噪聲的引入，大大簡化了高功率密度反激電源的設計。DK065G具備完善的保護功能，支持輸出過壓保護，供電過壓、欠壓保護，過熱保護等保護功能。

東科DK065G通過IEC 62368-1:2018安全認證，編號為NO123514，采用DFN8*8封裝，外圍元件精簡，適用于高功率密度快充適配器，筆記本電源適配器等應用。

與一元硬幣比較。

相關閱讀：

1、東科半導體合封氮化鎵芯片應用案例匯總

2、單芯片實現65W，東科合封氮化鎵芯片DK065G規模化商用

DK075G

東科半導體的合封氮化鎵系列產品DK075G內部集成了650V/160mΩ氮化鎵功率管，并集成了控制和驅動電路芯片。DK075G采用了專利的谷底鎖定QR算法，在降低開通損耗，提高系統效率的同時，穩定的鎖谷底算法避免了音頻噪聲的引入，大大簡化了高功率密度反激電源的設計。

DK075G峰值效率高達94.3%，最高支持250KHz開關頻率，待機功耗低于50mW，內置算法優化的谷底檢測電路和谷底鎖定電路以及退磁檢測電路和抖頻電路，可有效改善EMI，同時內置的高低壓輸入功率補償電路可保證高低壓下最大輸出功率一致。DK075G具備無鹵素特性，符合ROHs要求。

DK075G具備完善的保護功能，支持輸出過壓保護，供電過壓、欠壓保護，過熱保護等保護功能。

東科DK075G采用DFN8*8封裝，外圍元件精簡，適用于高功率密度快充適配器，筆記本電源適配器等應用。