Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率

為功率電子設(shè)計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩(wěn)健型175℃標準IGBT。
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奈梅亨，2023年7月5日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅(qū)動（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業(yè)自動化、功率逆變器、不間斷電源(UPS)、光伏(PV)串聯(lián)組件、EV充電以及感應(yīng)加熱和焊接。
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IGBT是一項相對成熟的技術(shù)。盡管如此，這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia的600 V IGBT采用穩(wěn)健、經(jīng)濟高效的載流子儲存溝槽柵場截止(FS)結(jié)構(gòu)，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關(guān)損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用（如電機驅(qū)動和伺服、機器人、電梯、機器操作手和工業(yè)自動化等）的效率和可靠性。
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設(shè)計人員可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之間自由選擇。這些IGBT采用非常緊密的參數(shù)分布設(shè)計，允許多個器件安全地并聯(lián)連接。此外，與競品器件相比其熱阻更低，因此能夠提供更高的輸出功率。這些IGBT還并聯(lián)了全電流反向軟快恢復二極管。這意味著它們適用于逆變器,整流器及雙向變換電路應(yīng)用，在過流條件下更加穩(wěn)健。
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Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理姜克博士表示：“Nexperia通過發(fā)布IGBT，為設(shè)計人員提供了更多的電源開關(guān)器件選擇，以滿足廣泛的電源應(yīng)用需求。IGBT是對Nexperia現(xiàn)有的CMOS和寬帶隙開關(guān)器件系列產(chǎn)品的理想補充，Nexperia由此可為功率電子設(shè)計師提供一站式服務(wù)。”
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這些IGBT采用無鉛TO247-3L標準封裝，并通過嚴苛的HV-H3TRB質(zhì)量標準，適合室外應(yīng)用。Nexperia計劃在本次產(chǎn)品發(fā)布后將推出1200 V IGBT系列器件。欲了解有關(guān)Nexperia IGBT的更多信息，請訪問：https://www.nexperia.com/igbts

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電源(262167) 電源(262167)

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2012-05-17 10:00:20

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2012-05-18 09:25:34

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IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD

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2023-03-28 10:08:12

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Nexperia針對要求嚴苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進的650 V碳化硅二極管

合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨， 2023 年 4 月 20 日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管

2023-04-20 09:39:30

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(供應(yīng)) SL1583 DC-DC降壓恒壓 600千赫，18V，2A同步降壓轉(zhuǎn)換器分布式電源系統(tǒng) 數(shù)字機頂盒無線和DSL調(diào)制解調(diào)器筆記本電腦

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2022-03-04 16:10:58

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實現(xiàn)更低損耗與小型化

進一步實現(xiàn)小型化。開關(guān)損耗大幅降低，可進一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計開發(fā)出新型封裝，從而開發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)

2018-12-04 10:20:43

IGBT單管是什么

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2012-07-09 10:01:42

IGBT單管是什么

2012-07-09 11:53:47

IGBT單管測量好壞

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯請哪位高手指點一下，如何測量IGBT單管的好壞，謝謝

2012-07-25 21:49:17

IGBT單管簡述

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道，IGBT單管相當?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.

2021-11-15 08:51:39

Nexperia 80 V，1 A NPN中功率晶體管

`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導熱性和導電性等優(yōu)勢。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101

2020-03-11 17:20:01

Nexperia N溝道TrenchMOS邏輯電平FET

（th）額定值大于0.5VVDS=60V，ID=75A，Ptot=137W應(yīng)用：12 V汽車系統(tǒng)；電機，燈具和電磁閥控制；起停微混合動力應(yīng)用；變速箱控制；超高性能電源開關(guān)引腳信息：`

2021-01-23 11:20:27

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Nexperia（安世半導體）近日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO，集成輸出保護功能，且輸入電壓范圍較寬，因此

2025-02-26 11:01:33

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提供正負偏置電壓。主要特色雙路隔離式輸出，+15V/-9V @ 200mA，4.8W 功率，單 IGBT 柵極驅(qū)動器的理想偏置電源小型電源模塊設(shè)計，標準 DIP 封裝+/-5% 交叉調(diào)節(jié)，87% 峰值

2018-12-21 15:06:17

ARK推出新一代250V MOS器件

ARK推出新一代250V MOS器件近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型

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近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P對管

2011-04-15 11:51:00

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2020-07-07 08:40:25

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　　近日，慣性傳感器模塊制造商XSENS宣布，隨著該公司推出新款兼容RTK的慣導產(chǎn)品，新一代高性價比的慣性傳感器產(chǎn)品將具備厘米級定位能力。　　基于常規(guī)衛(wèi)星定位信號使用RTK（實時動態(tài)定位）擴展功能

2020-07-07 09:01:12

[原創(chuàng)]TI針對能量采集和低功耗應(yīng)用推出高效率電源轉(zhuǎn)換器_TPS62120

TI針對能量采集和低功耗應(yīng)用推出高效率電源轉(zhuǎn)換器_TPS6212075 mA DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器可支援 2 V 至 15 V 輸入電壓靜態(tài)電流僅為 11 uA TI宣布針對能量采集和低功耗相關(guān)

2010-10-12 21:03:17

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2023-03-09 16:39:58

內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%

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2022-07-27 10:27:04

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安國半導體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)在為擴大經(jīng)營范圍特推出新款觸摸按鍵價格比義隆合泰都更有優(yōu)勢性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以聯(lián)系***

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德州儀器推出新型PWM控制器

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2015年3月9日 –Imagination Technologies 宣布推出新款PowerVR高效率視頻編碼（HEVC） IP系列產(chǎn)品，她是專為提供最高質(zhì)量H.265編碼所設(shè)計，并能優(yōu)化硅晶面積與帶寬占用。

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ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC

2016-11-02 17:19:43

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德國馬勒推出新款48V電池在安全和成本方面更具優(yōu)勢

據(jù)外媒報道，德國馬勒（MAHLE）全資工程服務(wù)部門馬勒Powertrain推出了新款48V電池，可用于輕度混合電動汽車，將存儲和釋放的回收能量實現(xiàn)最大化，從而顯著提高輕混車型的效率，節(jié)省12％至15

2019-11-14 15:00:11

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如何設(shè)計600V FS結(jié)構(gòu)的IGBT

商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術(shù)更是遠遠落后于發(fā)達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計與制造方法，并通過

2019-12-19 17:59:00

優(yōu)特電源推出新款600W緊湊型恒流LED驅(qū)動電源效率高達95％

優(yōu)特電源推出新產(chǎn)品600W緊湊型恒流LED驅(qū)動電源，效率高達95％。該產(chǎn)品采用了最新的解決方案，尺寸僅為237x125x43mm，和市面上競品480W一樣大小，廣泛應(yīng)用于球場燈，工礦燈，植物燈和高桿燈照明。

2020-03-13 13:59:54

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IGBT單管TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述

TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現(xiàn)簡單的即插即用解決方案

2020-10-22 09:33:30

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傳蘋果最早4月推出新款iPad Pro

曝蘋果最早4月推出新款iPad Pro的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，之所以這款iPad Pro備受關(guān)注，很大一部分原因在于這將是蘋果旗下首款待在mini led屏幕的產(chǎn)品。知名分析師郭明錤給出最新判斷，曝蘋果最早4月推出新款iPad Pro，看好mini LED在蘋果產(chǎn)品線中的重要度。

2021-03-19 08:59:22

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650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。

2022-08-01 10:11:29

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Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。

2022-08-25 17:33:11

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IGBT單管參數(shù)解析-上

IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。

2023-02-07 15:36:59

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IGBT單管參數(shù)解析-下

2023-02-07 15:39:28

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igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

IGBT單管的封裝形式比較簡單，只有一個IGBT晶體管，一個反向恢復二極管和一個可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復雜

2023-02-19 16:39:50

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逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護

大家都知道，IGBT單管相當?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機帶載就炸了

2023-02-22 15:09:12

FGH60N60SMD 60A600V IGBT單管在工業(yè)逆變應(yīng)用中的解決方案

場截止IGBT單管 60A600VFGH60N60SMD 采用新型場截止 IGBT技術(shù)，為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信、ESS 和 PFC 等低導通和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用。

2023-02-24 09:58:53

Nexperia(安世半導體)針對要求嚴苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V

2023-04-20 15:55:36

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Nexperia | USB4 ESD 二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

Nexperia | USB4 ESD 二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

2023-05-24 12:17:54

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安世半導體推出新款600 V單管IGBT

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮

2023-07-05 16:34:29

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Nexperia憑借600 V器件進入IGBT市場

除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進入IGBT市場，推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。

2023-07-18 15:35:53

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Nexperia （安世半導體）推出新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率

IGBT是一項相對成熟的技術(shù)。盡管如此，這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V IGBT采用穩(wěn)健、經(jīng)濟高效的載流子儲存溝槽柵場

2023-08-14 09:34:51

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600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率

2023-08-14 16:00:49

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igbt單管和雙管的區(qū)別

小、開關(guān)速度快、耐高壓等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設(shè)備中。在IGBT被廣泛應(yīng)用的同時，許多工程師也對其進行了深入研究，一般認為IGBT單管和雙管在性能上有所不同，接下來我們將詳細講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義：單管IGBT指的是僅具有一個MOS管和一個BPT（雙極晶體管）的I

2023-08-25 15:11:22

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采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓撲如下圖所示。

2023-08-25 15:40:57

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新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率

2023-09-19 02:43:54

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SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)20A600V單管igbt規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V單管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>

2023-04-03 15:29:48

ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>

2023-04-04 10:39:34

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？

大功率應(yīng)用中，如電動汽車、工業(yè)電機驅(qū)動、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點。 1. IGBT的工作原理

2023-11-10 14:26:28

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如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

2023-12-06 15:52:18

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英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

2023-11-23 09:09:35

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高速風筒單管igbt模塊方案設(shè)計

一、引言高速風筒是一種廣泛應(yīng)用于家庭和商業(yè)領(lǐng)域的小型電器設(shè)備，用于快速干燥和造型吹風。在高速風筒的電路設(shè)計中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊扮演著重要的角色。該文章將詳細介紹高速風筒單管IGBT

2023-12-01 14:34:47

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安世半導體宣布推出新款GaN FET器件

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。

2023-12-13 10:38:17

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IGBT單管和模塊的對比和分析

最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別，優(yōu)缺點對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余，對單管和模塊都有一定的應(yīng)用，開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電

2024-01-09 09:04:35

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介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；

2024-03-15 14:26:07

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中微半導體推出新款車規(guī)級SoC BAT32A6700

近日，中微半導體（深圳）股份有限公司進一步擴展了其產(chǎn)品線，宣布推出新款車規(guī)級SoC芯片BAT32A6700。這款新型SoC芯片集成了MCU（微控制器）、LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）、LIN收發(fā)器以及CAN控制器，展現(xiàn)出了其全面的功能性和高度的集成度。

2024-05-06 15:35:53

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Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領(lǐng)域的又一重要突破。

2024-05-23 11:34:58

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陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGW60N65FMA1，產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺TO247-3L封裝

2024-07-14 11:29:23

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igbt在高頻電源的作用有哪些

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中，IGBT具有許多重要作用，以下是對這些作用的分析：高效率：IGBT具有較高的導通電阻和較低的開關(guān)損耗，因此在

2024-08-07 17:08:40

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IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別

在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復雜的IGBT器件，每一個組成部分都承載著推動電力電子技術(shù)進步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。

2024-10-15 15:23:45

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陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。

2025-03-11 16:17:25

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Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標

2025-05-08 11:09:50

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ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

。 ADuM4135提供米勒箝位，可在柵極電壓低于2 V（典型值）時實現(xiàn)穩(wěn)健的IGBT單軌電源關(guān)斷。使用或不使用米勒箝位電路，都可以采用單極或雙極次級電源供電。

2025-06-04 09:52:24

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Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J

2025-07-11 17:06:07

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飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在逆變器中的應(yīng)用

不同的逆變器對于IGBT單管使用的關(guān)注點會有所區(qū)別，常見使用的關(guān)注點會有高轉(zhuǎn)換效率（EURO≥97%）、高可靠性/短路耐受、低EMI/高開關(guān)頻率(20kHz+) 、雙向能量流動支持等。因此在選擇可以代換NCE75ED65VT型號IGBT單管時，工程師也是要考慮上述的需求點。

2025-07-24 14:16:30

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